Bitte um Feedback: N-Kanal-Mosfet invertiert ansteuern

Hallo,
nachschalten. Ich dachte an folgende Schaltung:
____ 15A
,----------------------o----|----|---,
| | ???? |
| o |
|< Last o +
,--------| BC 558C o 12V
| |\ | o -
,-, | | |--' |
| | 15K | ____ | |
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Manuel Reimer
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Am 25.05.2016 um 16:51 schrieb Manuel Reimer:
Das ist schon ok so, nur die 10R durch einen 10..12 mal so hehen Wert ersetzen, der BC558 kann keine 1,2A schalten.
Gerd
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Gerd Kluger
Ich sehe da aber keinen zweiten FET :-)
Doch, von der Basis des BC558 nach Emitter wurde ich nochmals 15k oder so legen. Sonst kann es passieren, dass wenige Mikroampere Leckstrom im Taster oder drumherum die Last teilweise schalten und der FET abraucht.
Auch die Last ueberlegen. Ist die weit weg? Kann sie abgeklemmt werden? Gegebenenfalls sollte einer Diode ueber der Last sitzen, Kathode nach oben zur Versorgungsspannung, besonders wenn die Last einen induktiven Anteil hat. Wenn man die Last abklemmen kann und das nicht unter ESD-Schutz stattfindet, noch einen ESD Schutz, z.B. eine Zenerdiode ueber den FET. Manche haben auch Avalanche Rating, aber darauf verlasse ich mich nie.
Der BC558 versucht das nur fuer einen kurzen Moment, dann Du hast nur die Gate Kapazitaet des FET. Man kann aber den Wert auf 100ohm setzen, duerfte in der Schaltgeschwindigkeit kaum einen Unterschied machen, zumal der BC558 hier weniger als 1mA Basisstrom bekommt.
--
Gruesse, Joerg 

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Joerg
Am 25.05.2016 um 17:47 schrieb Gerd Kluger:
--
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Eric Brücklmeier
Ich denke die 100K sind etwas daneben. Sie verursachen ein sehr sehr langsames abschalten des Transistors.
Wenn auch die Abschaltzeit eine Rolle spielt solltest du die ganze Schaltung
Gernot
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Gernot Fink
CD4069 spendieren. Oder irgend ein CD40xx der invertiert
MfG JRD
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Rafael Deliano
Das vorgeschaltete Mosfet hat auch diese Vorschaltung. Folglich sollte
wohl keinen Sinn.
Hat diese doch deutliche Reduzierung irgendwelche Nachteile?
vermutlich gewollt. Das Ding steuert eine Heizung und die soll
Manuel
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Manuel Reimer
Wie ich schon geschrieben habe, gibt es im "Finalen Produkt" den Taster
vorhandene Baugruppe angeschlossen, die ihrerseits auch mit einem N-Mosfet gegen GND schaltet.
Faktisch hat das aber doch zur Folge, dass die 2 x 15K wie ein Spannungsteiler wirken. Eigentlich muss man doch die Basis gegen GND ziehen zum Schalten. Wenn ich noch einmal 15K draufbaue ziehe ich aber
Nein. 150 Watt Heizung wenigen Zentimeter entfernt.
Nur wenn man sie von der Schraubklemme abschraubt.
Werde ich machen.
Manuel
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Manuel Reimer
gelernt, dass ein FET wie ein Kondensator zu betrachten ist. Beim Laden
Kurzschluss. Richtig?
Manuel
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Manuel Reimer
Macht nichts, BJT wie der BC558 werden ja durch einen Basisstrom geschaltet und die Basis wird nie unter 11.3V gehen. Dabei fliesst schon ordentlich was.
Einen Spannungsteiler gibt das aufgrund des BE Diodenstreckeneffekts nicht, denn egal ob der zweite 15k drin ist oder nicht, hast Du immer 11.3V/15kohm -> 750uA. Es erhoeht aber die Kosten um einen Cent oder so und daher gibt es "pre-biased" Transistoren, die diese beiden Widerstaende bereits integriert haben.
Dann braucht man nichts gross an Schutz.
Dann wiederum doch. Falls das Hein vonne Werft mit seinen Sport-Tretern auf Linoleumboden macht.
Und den 100k auf 5-10k senken, waere fuer zackigeres Abschalten besser, wie Gernot schrieb.
--
Gruesse, Joerg 

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Joerg
Aber nur ganz kurz, selbst bei diesem dicken FET sind es weniger als 0.01uF.
Das Laden dieser Kapazitaet wird jetzt durch zwei Groessen bestimmt. Zum einen durch den 10ohm Widerstand. Dann dadurch, dass der BC558 nur 750uA Basisstrom bekommt. Nehmen wir eine Stromverstaerkung von 600 an, schafft er theoretisch knapp ein halbes Ampere. Was jedoch ueber dessen Grenze liegt, mehr als 200mA bringt er nicht aufs Parkett.
--
Gruesse, Joerg 

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Joerg
Der Nachteil ist dass der 1K Widerstand bei 12V etwa 0.14 Watt verheizt.
einzuschalten als auszuschalten.
Gernot
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Gernot Fink
Ich bin meistens zu faul um mir Gedanken um Basis-Strom und hfe zu
kleinem MOSFET und Widerstand.
12V o | Wider stand | o-------------invertiert | ||_| ||_ in_|| | | | _|_ GND
------
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Kai-Martin
Die Anstiegs- und Abfallzeiten sind deshalb von Interesse, weil der FET (oder was auch immer als Schalter verwendet wird) zwischen dem Ein und
Leistung der angeschlossenen ohmschen Last (U/2*I/2) - also fast 40W bei einer 150W Heizung, bei der erweiterten Heizung entsprechend mehr. Das
Leistung im eingeschalteten Zustand ausgelegt werden. Beim Schalten hat
abzuwandern, und der FET kann innen drin verschmoren (hotspots...), ohne
hin und her geschaltet werden.
Bei induktiver Last sieht das noch schlimmer aus, allerdings nur beim
Heizung (ohmsche Last) sieht das anders aus (siehe oben).
DoDi
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Hans-Peter Diettrich
Also vom Gate des FETs einen Pull-Up nach +12V, den NPN vom Gate nach GND.
An die Basis des NPN-Transistors einen Pull-up und dann wie gehabt den Schalter nach GND.
Schalter geschlossen -> NPN sperrt -> FET leitet
NPN Transistors niederohmig ansteuern.
Stefan
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Stefan
Geht auch, tauscht jedoch die Logik im Schalter um. Aber da haettest Du mindestens einen Cent gespart :-)
--
Gruesse, Joerg 

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Joerg
Das geht noch dekadenter, hier sparst Du auch den Widerstand:
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Joerg
der FET wenn der Schalter geschlossen wird, oder ?
Stefan
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Stefan
Stimmt. Irgendwie bin ich heute nicht ganz fit. Poison Oak hat mich voll geplaettet :-(
--
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Joerg

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