MOSFET mit Ugs > Uds

Tag,

ist es für einen MOSFET-Leistungstransistor ein erlaubter Betriebszustand, wenn Ugs mehr als doppelt so groß wird wie Uds?

Die Spannungen liegen dabei innerhalb der erlaubten Größe laut Datenblatt. Die Literatur, die ich dazu eingesehen habe, schweigt dazu.

Sollte gehen, die ProFETs machen sich ja intern auch eine Hilfsspannung, aber die schützen sich ja auch gegen alles mögliche selbst ...

Marc

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Marc Santhoff
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Am 05.08.2012 10:56, schrieb Marc Santhoff:

Das ist doch ein ganz normaler Zustand, wenn Du ihn in die Sättigung treibst.

Gruß, Gerhard

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Gerhard Hoffmann

Am Sun, 05 Aug 2012 11:17:37 +0200 schrieb Gerhard Hoffmann:

Stimmt auffallend.

Nur (gewöhnlich) sind die Spannungen vor dem Einschalten gleich bzw. Ugs ist niedriger.

Marc

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Marc Santhoff

Nö nicht wirklich. Dickstrom bei 2V Schalten (Glühkerze im Modellbau oder so) erfordert schon mal zwingend ordentlich Ugs für niedrigen Rdson, und bei Pegelwandlern von 5V auf 3,3V (invertierend) siehts nicht anderd aus.

Wo sollte das Problem liegen?

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Stefan Huebner

Am Sun, 05 Aug 2012 12:25:44 +0200 schrieb Stefan Huebner:

OK.

Wenn ich's wüßte, müßte ich nicht fragen. ;)

Ist einfach nur ein ungewöhnlicher Fall für mich. Hier sind's 5V Uds und

12V Ugs, aber der MOSFET darf bis 20V Ugs beaufschlagt werden. Aber wenn nichts grundsätzliches daggen spricht, fein.

Danke euch, Marc

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Marc Santhoff

Ist was dran :) Die Frage ging auch mehr in Richtung von "welche Eigenschaft spricht für Dich evtl dagegen" - kann ja sein, dass Du etwas Konkretes gelesen etc hast, was den Fall problematisch erscheinen lässt.

Genau. Mach mal :)

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Stefan Huebner

Am Sun, 05 Aug 2012 13:15:54 +0200 schrieb Stefan Huebner:

Naja, wenn z.B. ein bisher klaglos funktionierender LDO, kurz nachdem Jörg mit seinem magischen Pusterohr gefuchtelt hat, gleich zweimal nacheinander versagt ... ;)

Marc

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Marc Santhoff
[...]

Is jenehmicht :-)

--
Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com/
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Joerg

Am Sun, 05 Aug 2012 07:14:31 -0700 schrieb Joerg:

Ich hoffe mit gezwirbeltem Schnauzer und Pickelhaube. ;)

Marc

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Marc Santhoff

Am 05.08.2012 11:17, schrieb Gerhard Hoffmann:

Sättigung ist bei MOSFETs komplett anders definiert als bei Bipolartransistoren und ein Zustand, den man im Schalterbetrieb nicht erreichen bzw. möglichst schnell durchlaufen will.

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Grüße Markus

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Markus Faust

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