Laser 760nm

Thomas Pototschnig schrieb:

Oha - 760nm Laserdioden ab 70eur und aufwärts. Soviel wollte ich eigentlich nicht investieren :-(

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Mfg
Thomas Pototschnig
www.oxed.de

780nm gibts bei Reichelt - 53,20Eur.

Es scheint aber auch welche in CD Playern zu geben:

780nm nützen mir leider nichts. Trotzdem Danke für den Tipp.

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Mfg
Thomas Pototschnig
www.oxed.de

Schade eigentlich... Ich habe gerade mal die Lasereinheit aus einem defekten Sharp Kopierer auseinander genommen. Ist ein LT026MD drin. Leider auch 780nm! Evtl. solltest Du die Datenblätter von Laserdruckern/Kopierern studieren und einen defekten bei ebay kaufen !?!?!?

Der Link zeigt auf eine mit 760nm ;-) Was mir aufgefallen ist: bei den "günstigen" Dioden wird teilweise eine Toleranz von +-10nm angegeben! Wenn dann die 780ger das auch haben ??? Bei

(siehe oben) gibt es auch LED für 760nm. Evtl. .... So, mehr fällt mir leider nicht mehr ein. Viel Glück!

Bei Halbleiterdioden wirken sich die Abmessungen sehr auf die Sendefrequenz aus (z.B. lassen sie sich mit einer Temperaturregelung in einem ganzen Frequenzintervall durchstimmen). Wenn die Fertigungstoleranzen nicht gut genug sind, kann es da durchaus solche Bereiche geben.

Grüße,

Björn

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BOFH Excuse #291:

Due to the CDA, we no longer have a root account.

Theoretisch: Könnte man da nicht eine 780nm zu einer 760nm machen ??? Um welchen Temperaturbereich handelt es sich? Muß man kühlen oder wärmen um zu einer kleineren Wellenlänge zu kommen? Hoffentlich wärmen ;-)

Hi snipped-for-privacy@arcor.de

zu kommen?

Kuehlen -> Chip wird kleiner -> Cavity wird kleiner -> Wellenlaenge wir= d kleiner.

Die Ausdehnung mit der Waerme wird sicher fast linear sein, aber entscheidender Faktor ist, wieviele Wellenzuege in der Cavity sind.

War das so richtig?

ps: Dein Absendename ist unvollstaendig.

--=20 mit besten Gr=FC=DFen,

Jonas Stein =20

Ich habe da was gefunden.

Kühlung 80K unter Raumtemperatur. Na, ja. Lassen wir das!

Na gut. Neuer Name.

Ich habe mal mit einem Halbleiterlaser gearbeitet, den man bei Temperaturen von 10°C bis 40°C knapp zwischen 800 und 810 nm durchstimmen konnte.

Im Prinzip ja, aber ohne größeren Aufwand bekommt man keine Temperaturregelung des Halbleiters direkt hin, sondern nur des "Halters" -- deshalb verändert sich der Zusammenhang abhängig vom Strom (Strom höher -> mehr Heizung -> größerer T-Unterschied zwischen Halterung und Diode).

So kann man es auch sagen. Das entscheidende ist eben der Frequenzkamm, der im Resonator (in Form stehender Wellen) existieren kann, und das hängt an der Bedingung l = n*lambda/2, n = 1, 2, 3, ...

Grüße,

Björn

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BOFH Excuse #449:

greenpeace free'd the mallocs

Moin!

Und da n üblicherweise um die 1000 liegt, spielt die absolute Länge der Diode ebenso wie die Temperaturabhängigkeit derselben bei einfachen (Fabry-Perot) Lasern überhaupt keine Rolle - jedenfalls nicht für Änderungen von mehr als nem nm. Dafür ändert sich das Verstärkungsprofil des Halbleiters, und diese Änderung wirkt sich stärker aus als die der Längenänderung, zu sehen an den Modensprüngen im bereits genannten Link.

Anders schauts bei DFB-/DBR-Dioden aus, die nur bei bestimmten n eine Welle zulassen. Sowas gibts aber nicht in der vom OP anvisierten Preisklasse.

Gruß, Michael.

Überhaupt keine Rolle in welcher Hinsicht? Wenn du beispielsweise einen Festkörperlaser damit pumpen willst, solltest du schon eine funktionierende Absorptionswellenlänge einhalten, wenn du nicht unnötig Energie verpulvern willst.

Wenn es dir allein um Ausgangsleistung geht, ja. Geht es aber oft nicht.

Grüße,

Björn

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BOFH Excuse #13:

we're waiting for [the phone company] to fix that line

Moin!

In Hinsicht auf Wellenlängenänderungen größer als 1nm, weil dann eh schon wieder einige Modensprünge passiert sind, weil die Wellenlängenänderung durch Temperaturabhängigkeit des Verstärkungsprofils nicht identisch zur Wellenlängenänderung durch Ausdehnung des Halbleiters ist.

Du hattest geschrieben:

| Bei Halbleiterdioden wirken sich die Abmessungen sehr auf die | Sendefrequenz aus (z.B. lassen sie sich mit einer | Temperaturregelung in einem ganzen Frequenzintervall durchstimmen).

An und für sich stimmt das zwar, aber: Die Temperaturabhängigkeit der Wellenlänge hervorgerufen durch Ausdehnung beträgt bei Dioden dieser Wellenlänge gerade mal so um die 0,06nm/K - und zwar innerhalb eines schmalen Bereichs bis zum nächsten Modensprung. Um eine Diode von 780nm auf 760nm (mehr als 2%!) alleine über die Ausdehnung des Halbleiters zu ziehen, bräuchtest Du demnach 330K Temperaturdifferenz.

Wenn es um was anderes geht - nämlich um die Frequenz - sind wir aber auch nicht mehr bei eh longitudinal multimodig laufenden FP, sondern bei DFB oder DBR und damit erst recht nicht mehr bei "70eur und aufwärts wollte ich eigentlich nicht investieren".

Gruß, Michael.

Das habe ich aber schon anders beobachtet.

Den Graph habe ich mit einem GaAlAs-Halbleiterlaser aufgenommen, der einen Nd:YAG-Kristall pumpen sollte. Wie du siehst sind 5 nm Unterschied bestens drin, ohne Modensprünge. Nicht dass dieses Beispiel konstruiert wäre ;)

Der schonmal erwähnte Link sagt was von 0,25 nm/K... Bei meinem Graph kommt es sogar auf 0,3 nm/K.

ACK, über 20 nm wird es wirklich haarig. Um nicht zu sagen unmöglich. Aber um sich geeignete Maxima einer Absorption rauszusuchen reicht es, s.o.

Grüße,

Björn

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BOFH Excuse #315:

The recent proliferation of Nuclear Testing

Moin!

FP-Diode? Wie und mit welcher Auflösung hast Du die Wellenlänge gemessen? Bei 1mm Länge des Halbleiters, Brechungsindex n=3 und Wellenlänge 800nm hast Du übrigens einen Modenabstand von ca. 0,1nm.

Ich vermute mal, daß die Diode die ganze Zeit multimodig lief und sich das Verhältnis der Leistung in den einzelnen Moden halbwegs kontinuierlich verändert hat.

Der Link ist derart schwammig formuliert, im ganzen Text kommt nicht ein einziges Mal das Wort Mode vor. Insofern würde gehe ich mal davon aus, daß mit den 0,25nm/K die _mittlere_ Steigung im Graphen gemeint ist, also Ausdehnung+Modensprünge.

Die 0,06nm/K ist übrigens die Temperaturabhängigkeit üblicher DFB-Dioden in diesem Wellenlängenbereich, diese sind grundsätzlich modensprungfrei und daher das beste Beispiel dafür, wie sich die thermische Ausdehnung des Resonators ganz alleine auswirkt.

Gruß, Michael.

Nachtrag...

Und - ganz nebenbei - beträgt der thermische Ausdehnungskoeffizient von GaAs nur schlappe 6E-6/K. Das liegt _nochmal_ einen Faktor 10 unter den (0,06nm/800nm)/K und bedeutet, daß auch die geringen Frequenzänderungen ganz ohne Modensprünge weniger von der thermischen Ausdehnung, sondern wohl mehr von der Temperaturabhängigkeit des effektiven Brechungsindex stammen.

Gruß, Michael.