Künstliche slewrate Begrenzung

Die Konstanz und Reproduzierbarkeit des DC-Pegels zumindest ist besser mit mehr Gain. Es ist sicher richtig daß er hier auf den ersten Blick ein simpler Spannungsteiler an der Basis genügen würde. Jedoch:

Die Schaltung muß gegen unbekannte Last ( also auch

Wenn man Kunden hat der 500 ... 1000 Boards/Jahr fertigen will ( nicht jeder macht hierzulande automotive & consumer ) kann er a) Gurt Vogelfutter als Jahresbedarf kaufen, stichproben- artig auf Uth prüfen, gegebenfalls beide Widerstände in Stückliste passend ändern. b) Poti einbauen und Techniker kurbelt jedes Board ein. c) monströsere Schaltung mit exotischen ( z.B. eng tolerierten Fets ) zu entwickeln versuchen die die Macke nicht hat.

Ich hätte da keine Bedenken dem Kunden zu Variante a) zu raten da b) teuer wird und c) meist das Probleme nur verlagert. Z.B. Richtung Materialpreis oder Beschaffbarkeit.

MfG JRD

Am 24.02.2010 10:23, schrieb Rafael Deliano:

Abgesehen von der Temperaturstabilsierung machen die aber nicht viel mehr als ein Widerstand. Zumindest wenn man keine ungeregelte Versorgungsspannung hat.

In Nf-Anwendungen hatte ich wenig Probleme damit. Bei mir häufig so daß der stromführende Transistor wegen Verlustleistung z.B. BD136 ist. Der hat nicht viel Verstärkung, da ist man froh um den zweiten Transistor.

MfG JRD

Am 24.02.2010 11:35, schrieb Rafael Deliano:

Hallo,

der differentielle Ausgangswiderstand ist bei der Diode wahrscheinlich geringer als beim Widerstand. Das kann sich positiv auf die HF-Eigenschaften (z.B. Schaltverhalten, Schwingneigung, Ausgangswiderstand der Stromquelle über die Frequenz,Empfindlichkeit gegen Streukapzitäten usw.) auswirken.

Ich würde die Diode verwenden.

Oder gibt es denn keine andern Schaltungen aus der Retro-Zeit als diese Eproms aktuell waren?

Bernd Mayer

Jeder nach seinem Geschmack. Mit dem Kerko tut die

2 Transistorschaltung ja genauso.

Wie im thread andernorts erwähnt: ab 2716 anno 1977 gibts reichlich Hobbyschaltungen publiziert. Einerseits weil die technischen Anforderungen sanken, andererseits weil es mehr Anwender gab die Eigenbau anstrebten weil sie einen (Home-)Computer hatten. Für 2708 anno 1974 und älter gibts das weniger. Ähnlich wie bei PROMs werden da ordentliche Schaltungen Bauteilgräber wenn man Einhaltung von Specs wie slew-rate anstrebt. Ich sehe keinen Grund heute nochmal was dazu zu publizieren das Specs nicht einhält. Aus Sicht von 2010 habe ich auch keine Lust auf moderne Bauteile wie Fets und aktuelle ICs zu verzichten.

MfG JRD

Hallo Rafael,

Rafael Deliano schrieb:

einen Nachteil des Stromspiegels seh ich jetzt nicht, aber eine weitere Verbesserung könnte ich noch vorschlagen:

| | .-----o | | 30 pF | | --- | --- | 5K | | ___ | | .--->|-----|___|----o | | | | |\ | ___ | |/ -| >O--o---| 200 | | === GND (created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05

Bipolare Transistoren werden häufig falsch eingeschätzt, der hier hat deutliche Vorteile gegenüber dem MOSFET, nämlich eine wesentlich kleinere Sättigungsspannung bei dem Strom und IMHO eine bessere Toleranzempfindlichkeit in der Schaltung gegenüber Parameterschwankungen. Der Hauptvorteil der großen Steilheit ist hier in einem fast idealen Integratorverhalten zu sehen. Kurz und gut, die bipolare Variante sieht zumindest in der Simulation wesentlich besser aus, vor allem nachbausicher.

mfg. Winfried

Zum Abschalten müßte man wohl eine Schottky-Diode nehmen, man kann die Schaltung noch verbessern:

| | .-----o | | 50 pF | | --- | --- | 1N4148 1.2K | | ___ | | .--->|-----|___|----o | | | | |\ | ___ | |/ -| >O--' .----|___|----o---| BC337 |/ | |>

| 470 | | | === === GND GND (created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05

Je höher das Beta des Transistors, desto geringer die Sättigungsspannung, ansonsten sehe ich keinen Einfluß. Wie sich die Temperatur hier auswirkt, habe ich mir nicht angesehen.

mfg Winfried

Ist die Diode hier denn noch noetig?

--

      Mit freundlichen Gruessen    Andreas Graebe
--. .-. .- . -... . .--.-. - ..-. .... -....- -... . .-. .-.. .. -. .-.-.- -.. .

Eventuell als Temperaturkompensation gedacht.

Funktioniert recht gut, macht 1usec Tr,Tf:

Woher die Verzögerung zum TTL-Signal bei der einen Flanke kommt weiß ich nicht. Eventuell Sättigung des Transistors oder die Stromquelle oben. Für EPROMer/PROMer ist eh nie Pulsbreite im usec Bereich gefordert. Sättigung ist mit BC334-140 mit 42mV tatsächlich recht niedrig.

MfG JRD

Am 25.02.2010 09:45, schrieb Rafael Deliano:

Sättigung. Man muss bei sowas den Basisstrom so auslegen, dass er gerade so ausreicht. Je höher man den Transistor übersteuert, desto niedriger ist sein Sättigungsspannung aber desto höher ist das Delay beim Abschalten.

74LS Gattern verhindert man das Sättigen mit einer Schottky-Diode. Für Dich kommt das aber vermutlich nicht in Frage.

Michael

Hat Bipolar-Transistor eben anderswo kleinen Pferdefuß, selbst wenn Ube nicht streut und Sättigung ausreicht. Eigentlich tuts mir die Fet-Schaltung.

MfG JRD

Rafael Deliano schrieb:

braucht's nicht.

Sagte ich doch schon am Montag.

Es _ist_ die Sättigung. Notfalls gäbe es dagegen noch spezielle Transistoren, lohnt hier aber nicht.

Und wenn Du jetzt noch meinen Vorschlag von gestern probierst (Integrierer an Plus und Pulldown), hast Du "gar keine" Restspannung mehr und immer noch so schöne Flanken.

Und weniger Pferdefüße als bei der FET-Schaltung.

Servus

Oliver

--
Oliver Betz, Munich
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Hallo Andreas,

Andreas Graebe schrieb:

ja stimmt, die kann man weglassen, hab ich übersehen.

mfg Winfried

Hallo Rafael,

Rafael Deliano schrieb:

ah, stimmt ja gut mit der Simulation überein, interessant den Vergleich mal zu sehen.

Auch das stimmt fast exakt überein, das ist die Sättigung des bipolaren Transistors. Falls das stören sollte, könnte man noch das machen:

| | .-----------o | | 50 pF | | --- .-----o --- | | 1.2K | | | ___ | - | .----------|___|----o ^ | | | | | |\ | ___ | | |/ -| >O--' .----|___|----o-----o---| BC337 |/ | 1N4148 |>

| 470 | | | === === GND GND (created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05

Dann schaltet er schnell ab, allerdings ist dann die Sättigunggsspannung deutlich größer, der Nachteil von bipolaren Transistoren. Sie könnte dann je nach Exemplar zwischen 90-140 mV liegen, wenn die Simulation stimmt. Eine Möglichkeit zur Verbesserung sehe ich da nicht.

mfg Winfried

Aehm, sollte dort nicht eine Schottky hin? BAT54 laesst gruessen, schoen billisch :-)

--
Gruesse, Joerg

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Hallo Joerg,

Joerg schrieb: [.....]

weiß jemand, was der Seamonkey 2.03 bei mir da macht? Das war doch bisher nicht so :-(.

Dann geht die Sättigungsspannung auf 0.5 V hoch, ich hab mal eins der LTSpice-Modelle angehängt.

mfg Winfried

Version 4 SHEET 1 884 948 WIRE 16 -848 -384 -848 WIRE 144 -848 16 -848 WIRE 272 -848 144 -848 WIRE -384 -736 -384 -848 WIRE 16 -656 16 -848 WIRE 272 -656 272 -848 WIRE 144 -640 144 -848 WIRE -384 -592 -384 -656 WIRE 16 -544 16 -576 WIRE 272 -544 272 -576 WIRE 16 -416 16 -464 WIRE 272 -416 272 -464 WIRE 128 -368 80 -368 WIRE 144 -368 144 -576 WIRE 144 -368 128 -368 WIRE 208 -368 144 -368 WIRE 16 -272 16 -320 WIRE 16 -128 16 -192 WIRE 144 -128 144 -368 WIRE 144 -128 16 -128 WIRE 272 -128 272 -320 WIRE 16 -80 16 -128 WIRE 16 48 16 0 WIRE 16 192 16 128 WIRE 272 256 272 -48 WIRE 272 256 -96 256 WIRE 448 256 272 256 WIRE 592 256 448 256 WIRE 800 256 592 256 WIRE 592 288 592 256 WIRE 800 304 800 256 WIRE 272 320 272 256 WIRE 592 416 592 368 WIRE 800 416 800 368 WIRE 272 448 272 400 WIRE -96 464 -96 256 WIRE 192 608 176 608 WIRE 272 608 272 528 WIRE 272 608 256 608 WIRE -368 656 -576 656 WIRE -96 656 -96 528 WIRE -96 656 -288 656 WIRE 272 656 272 608 WIRE 176 704 176 608 WIRE 208 704 176 704 WIRE -832 736 -928 736 WIRE -688 736 -768 736 WIRE -576 736 -576 656 WIRE -576 736 -688 736 WIRE -368 736 -464 736 WIRE -96 736 -96 656 WIRE -96 736 -288 736 WIRE -16 736 -96 736 WIRE 48 736 -16 736 WIRE 176 736 176 704 WIRE 176 736 128 736 WIRE -464 784 -464 736 WIRE -928 800 -928 736 WIRE 272 800 272 752 WIRE -928 928 -928 880 FLAG 272 800 0 FLAG 592 416 0 FLAG -928 928 0 FLAG 16 192 0 FLAG -384 -592 0 FLAG 448 256 drain FLAG -16 736 gate FLAG 800 416 0 FLAG -688 736 input FLAG 128 -368 base FLAG -464 784 0 SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 256 -672 R0 SYMATTR InstName R1 SYMATTR Value 18 SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 576 272 R0 SYMATTR InstName R3 SYMATTR Value 1.3k SYMBOL Misc\\EuropeanResistor -272 720 R90 WINDOW 0 5 56 VBottom 0 WINDOW 3 27 56 VTop 0 SYMATTR InstName R4 SYMATTR Value 470 SYMBOL voltage -928 784 R0 WINDOW 123 0 0 Left 0 WINDOW 39 0 0 Left 0 SYMATTR InstName V1 SYMATTR Value PULSE(0 5 100n 100n 100n 5u 10u) SYMBOL voltage -384 -752 R0 WINDOW 123 0 0 Left 0 WINDOW 39 0 0 Left 0 SYMATTR InstName V2 SYMATTR Value 26.25 SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 0 32 R0 SYMATTR InstName R2 SYMATTR Value 6.8k SYMBOL cap 784 304 R0 SYMATTR InstName C1 SYMATTR Value 1000f SYMBOL Digital\\inv -832 672 R0 SYMATTR InstName A1 SYMATTR SpiceLine vhigh=5 trise=10n tfall=10n SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 256 432 R0 SYMATTR InstName R5 SYMATTR Value 1 SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 144 720 R90 WINDOW 0 5 56 VBottom 0 WINDOW 3 27 56 VTop 0 SYMATTR InstName R6 SYMATTR Value 1 SYMBOL Misc\\EuropeanResistor 0 -672 R0 SYMATTR InstName R7 SYMATTR Value 180 SYMBOL cap -112 464 R0 SYMATTR InstName C2 SYMATTR Value 50p SYMBOL Misc\\EuropeanResistor -272 640 R90 WINDOW 0 5 56 VBottom 0 WINDOW 3 27 56 VTop 0 SYMATTR InstName R8 SYMATTR Value 1.2k SYMBOL diode 192 592 M90 WINDOW 0 0 32 VBottom 0 WINDOW 3 32 32 VTop 0 SYMATTR InstName D2 SYMATTR Value 1N4148 SYMBOL user\\ebipolar\\bc557b 80 -320 R180 SYMATTR InstName Q1 SYMBOL user\\ebipolar\\bc557b 208 -320 M180 SYMATTR InstName Q2 SYMBOL cap 128 -640 R0 SYMATTR InstName C3 SYMATTR Value 330p SYMBOL ind 0 -560 R0 SYMATTR InstName L1 SYMATTR Value 10n SYMBOL ind 256 -560 R0 SYMATTR InstName L2 SYMATTR Value 10n SYMBOL ind 0 -288 R0 SYMATTR InstName L3 SYMATTR Value 10n SYMBOL ind 0 -96 R0 SYMATTR InstName L4 SYMATTR Value 10n SYMBOL ind 256 -144 R0 SYMATTR InstName L5 SYMATTR Value 10n SYMBOL ind 256 304 R0 SYMATTR InstName L6 SYMATTR Value 10n SYMBOL user\\ebipolar\\bc337-16 208 656 R0 SYMATTR InstName Q3 TEXT -320 -1112 Left 0 ;Eprom-Brenner mit Schwingen auf fallender Flanke TEXT -936 152 Left 0 !.tran 0 16u 0 10n TEXT -928 112 Left 0 !.lib ebipolar.lib

Vielleicht die Zeilenlaenge verstellen?

Stimmt, habe es mit 2N3904/3906 probiert weil BC nicht vorhanden. Nur ob Q4 mit einer Si-Diode wirklich bei allen gaengigen Temperaturen aus der Saettigung rausbleibt? Laut Datenblatt liegt der BC337 in Deiner Schaltung hoch, ist aber nur fuer hohe Stroeme angegeben.

Wie auch immer, ich wuerde so etwas mit Opamp plus FET machen, da ist nix mit Saettigungsproblematik.

[...]

--
Gruesse, Joerg

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Am 26.02.2010 00:09, schrieb Winfried Salomon:

Macht mein Thunderbird 3 beim Quoten seit neuestem auch. Löscht einfach die Leerzeichen raus.

Sättigung verhinderst Du nur mit einer Schottky effektiv. Mit einer Silizium-Diode gewinnst Du vielleicht was, vielleicht auch nich, kommt aufs Wetter an.

Geringe Sättigungsspannung und schnelle Abschaltzeit beißt sich beim Bipolaren gewaltig.

Für niedrige Sättigungsspannung musst Du nämlich übersteuern und gewaltig sättigen. Schnell Abschalten kannst Du einen Bipolaren aber nur, wenn er vorher nicht gesättigt war oder wenn Du die Ladungsträger andersweitig schnell rausbekommst. Mit Basisvorwiderstand geht das aber nicht.

Michael