Hilfe beim Flash-en eines ESP-12F

Eric Bruecklmeier, 2026-04-22 10:03:

Das gilt auch für EEPROM - das ist ja nicht anderes als "Flash", nur kleiner. Oder wird irgendwo M-RAM dafür eingesetzt? Da wären auch mehr als 1 Mio. Schreibzyklen kein Problem.

IBTD Für EEPROM werden höhere Werte für Schreibzyklen angegeben. Bei EEPROM in µC meist 10k; bei externen EEPROMs, z.B. 24C256

Am 24.04.2026 um 11:42 schrieb Arno Welzel:

Quark!

Am 24.04.2026 um 12:10 schrieb Peter Heitzer:

EEPROM AT28C010: High Reliability CMOS Technology: – Endurance: 10,000 or 100,000 cycles – Data retention: 10 years

FLASH AT29F010: Minimum 100,000 program/erase cycles guaranteed

Ich sehe da keinen großen Unterschied, wenn man vergleichbare Bausteine vergleicht.

Am 24.04.2026 um 14:24 schrieb Bernd Laengerich:

Die 28er sind kein gutes Beispiel, die waren ja eher als Ersatz für 27er gedacht. Die die ich untersuchte habe, haben nicht einmal ein extra Tunnelfenster. Echte (TM) EEPROMs sollten schon mehr als 1E6 Zyklen halten. "Unsere" taten das auch (meist). ST z.B. gibt 4E6 Zyklen bei 200 Jahren an...

Wie haben die die 200 Jahre (und die 1E6 Zyklen) errechnet?

Grüße, H.

Ist es nicht so,daß man Flash-ROM nur pageweise beschreiben kann, EEPROMs aber zellenweise? Zumindest beim ATmega328P kann man einzelne Bytes in's EEPROM schreiben.

Zusätzlich muß man Flash-ROM erst einmal löschen um es neu zu beschreiben, bzw einzelne Bits von 1 auf 0, jedoch nicht umgekehrt beschreiben?

Sooo tief stecke ich da nicht 'drin, die Doku suggeriert das aber.

Josef

Wahrscheinlich beschleunigte Alterung durch hohe Temperatur oberhalb vom im Datenblatt angegebenen T_max. Und dann zu Raumtemperatur runter- extrapoliert.

---<)kaimartin(>---

Hallo Josef,

Du schriebst am Sat, 25 Apr 2026 10:46:10 +0200:

Ist es auch nicht (mehr) unbedingt. Prinzipiell "kann man" auch Flash- EPROM zellenweise beschreiben, nur _löschen_ kann man es nur seitenweise. Bei EEPROMs gab es zumindest Typen, die man _zellenweise_ löschen konnte.

Nein, man muß Flash-EPROM nicht "erst einmal löschen um es neu zu beschreiben" - _wenn_ man nur mögliche Änderungen macht, kann man auch Flash-EPROM zellenweise beschreiben. Der _gelöschte_ Zustand ist bei Flash-EPROMs _und auch_ bei EEPROMs üblicherweise der Bit-Wert "1", so daß beim Beschreiben eben nur dort etwas passiert, wo ein Bit auf "0" geändert wird, bei EEPROM und Flash-EPROM.

"die Doku" sollte eigentlich garnichts "suggerieren", sondern eindeutig _beschreiben", aka "dokumentieren" - deswegen heißt sie ja so.

Ja, so macht man das - allerdings sind die Modelle nicht trivial, da ist auch viel Glaskugel dabei. Der Uth Shift kommt nicht nur vom Ladungsverlust durch das Tunneloxid, sondern auch aus Ladungsverschiebungen in der Interpolyisolation.

Schon eine zeit her ;-)

Am 26.04.2026 um 10:32 schrieb Eric Bruecklmeier:

Und noch länger her, meint Ingrid :-D