Ich bin auf der Suche nach einer Diode mit einer möglichst niedrigen Diffusionsspannung. Die BA159 fängt beispielsweise ab 0,53 V an zu leiten (obwohl im Datenblatt 1,1V) steht. Gibt es Dioden die schon früher anfangen zu leiten? Wenn ja welche?
Eine zusätzliche Bedingung gibt es aber noch: Die Diode muss in _beide_ Richtungen bis mind. 50mV _komplett_ dicht sein.
Anfangs habe ich eine Germaniumdiode in Betracht gezogen aber die sperrt rückwärts gar nicht richtig.
Weißt du Markus, am Anfang war es ja noch ganz erheiternd was du so geschrieben hast. Aber mittlerweile wist du immer öfters beleidigend. Es ist ja offensichtlich, dass es mit deinem Fachwissen nicht so weit her ist. Wie du da mit gutem Gewissen irgendwelche Aufträge von irgendjemanden annehmen kannst ist mir sowieso ein Rätzel. Ich hoffe nur es wurden saftige Konventionalstrafen verhängt. Aber nun mal zu der Diode. Wenn du dir das Bändermodell einer Diode ansiehst gibt es immer Minoritäten die vom N in das P Gebiet wandern. Das kann man in einem Ersatzschaltbild ganz gut durch eine Konstant- stromquelle modellieren. Das ist auch der Parameter I_s in der allg. bekannten Diodengleichung. Danach hat eine Diode einen exponentiellen Anstieg des Stroms in ab- hängkeit der Spannung. Da kann man nicht so ohne weiteres von einer Flußspannung reden obwohl das ganz gerne gemacht wird und für die Abschätzung von z.B. der Verlustleistung auch ganz brauchbar ist.
Dir bleibt eine Schottkydiode (Metall-Halbleiterkontakt) wo die "Flußspannung" eigentlich nur von der Elektronenaffinität des Metalls abhängig ist.
Wenn das nicht reicht muss es halt irgendwas aktives sein.
Aber wenn es dir schon zu viel ist dich mit den einfachen Grundlagen zu beschäftigen solltest du vielleicht ganz und gar Abstand von der sinnvollen Elektronikentwicklung nehmen.
Er hat ja anscheinend auch gleich wieder gecancelt, wie üblich.
Mein Bauelementeprof sage mal, wer in seiner (mündlichen) Prüfung die Shockley-Kennliniengleichung nicht kenne, könne sofort wieder rausgehen und in einem halben Jahr wiederkommen.
Die Gleichung kannte ich, aber den Namen dafür habe ich noch nie gehört. Aber wirklich weiter bringt mich die Gleichung auch nicht. BTW: Aktive Lösungen scheiden aus. Die Frage war aber nich sooo sehr wichtig deshalb das cancel, weil 0,5x V technisch ausreichen und eine niedrige Spannung nur besser wäre.
"Markus" schrieb im Newsbeitrag news:44e44b0a$0$10142$ snipped-for-privacy@newsspool2.arcor-online.net...
Und sie lautet ?
Warum hat dann Dieter Recht, wenn er feststellt, das es keine Diode gibt, die in beiden Richtungen bis 50mV kopmplett dicht ist ?
Und warum hat Dieter Recht, wenn er bemerkt, das alle Dioden frueher (unter 0.5V) anfangen zu leiten, (uebrigens auch IR-Dioden) ?
Dein EEG-Schutzschaltungs-Problem. Schau doch mal in kommerzielle EEG-Geraete, bevor du theoretisch versuchst etwas zu basten, was theoretischen Anforderungen genuegt. Theoretische Anforderungen koennen verwirren, weil es nichts gibt, was absolut ist, aber eine Menge gibt, die im interessierenden Bereich ausreichend sind.
--
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
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de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Das ist schon klar. Deshalb scheidet Germanium und Schotky ja auch aus. Aber dafür brauch ich die Gleichung nicht um das festzustellen da reicht eine Kennlinie. Man muss es ja nich immer alles komplizierter machen als es ist.
"Markus" schrieb im Newsbeitrag news:44e4aebb$0$20042$ snipped-for-privacy@newsspool4.arcor-online.net...
Wer meint, sich losgeloest von physikalischen Grundlagen bewegen zu koennen, sollte keine naturwissenschaftlichen Taetigkeiten machen.
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Nu laß mal - daß die beiden im Punkt Sperrstrom nicht gerade hervorragend sind ist als praktisches Allgemeinwissen durchaus brauchbar.
Übrigens: Als sehr leckstromarme Dioden (Schutz für hochohmige Meßgeräte) hat die elektor immer wieder erfolgreich die Gate-Source Strecke von kleinen FETs genommen.
Wie ich in Erinnerung habe, ist der Leckstrom ab einer gen=FCgend hohen Sperrspannung ( 100%ige Gleichspannung ) wirklich 0, da dann die Sperrschicht sehr stark ausgepr=E4gt ist. Stimmt das oder liege ich damit falsch?
Ich hab mich damit leider schon l=E4nger nicht mehr besch=E4ftigt. mfg Zatras
Die Minoritätsladungsträger (also die Löcher in N und die Elektronen im P Gebiet) wandern trotzdem durch. Die sind IMHO thermisch generiert und daher ist so eine Diode in Sperrichtung eine ganz gute Konstant- stromquelle. Wenn die Spannung sehr hoch wird verbiegen sich aber die Bänder so stark, dass einzelne Elektronen auch mit einer höheren Wahrscheinlichkeit hindurchtunneln. Zum Durchbruch kommt es, wenn die Ladungsträger durch das Feld so stark beschleunigt werden, dass sie beim "aufschlag" auf die Atome weitere Ladungsträger generieren.
Die liegen immer noch im mehrere nA Bereich, wenns *richtig* leckstromarm sein soll nimmt man dafür gedachte Spezialdioden, z.B. PAD1 von Vishay/Siliconix.
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