dass dem nicht so ist zeigt ein kurzer Blick in diverse Datenblätter. Hier geh mal zu den Grafiken, wir diskutieren hier nicht Leckströme bei x00 V. Billiger und auch im pA-Bereich sind CB-Dioden von gängigen TUP-TUN
viel besser sind die auch nicht, aber sehr viel teurer ;-)
Marte
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D
Dieter Wiedmann
Marte Schwarz schrieb:
[Gate-Diode in J-FETs]
Okay, die einigen nA stammen vom altvorderen BF245, modernere J-FETs haben dann wenige hundert pA.
Hab ich nicht behauptet, so 10-20V sind üblich. Aber der Leckstrom ist ja kaum von der Spannung abhängig, bis dann der Lawineneffekt kommt.
Noch nicht gemessen, und in den Datenblättern steht das ehr nicht drin.
1pA max ist schon verdammt gut, und das hat halt seinen Preis.
Gruß Dieter
M
Marte Schwarz
Hallo Dieter,
die max. 5 nA aus dem Datenblatt werden bei 150 °C erreicht (Fig. 2 bei Philips). Commercial bis 70°C bleibt das Teil lustig unter 100 pA.
Aber sicher, sonst würd ichs doch nicht schreiben... ICBO nennt sich das dann, wenn Basis und Emmitter kurzgeschlossen sind und die Spannung gegen die CB-Diode geht. Das ist in jedem Datenblatt spezifiziert.
PAD1
vor allem auch die Platine, auf der das dann montiert werden darf, nebst Reinigungskosten... Einfach nur auf FR4 Material drauflöten ist da nicht mehr...
Marte
R
Ralph A. Schmid, DK5RAS
Und mit den Patschhändchen dran rumfingern erst recht nicht.
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Dieter Wiedmann
Marte Schwarz schrieb:
Stimmt, aber immerhin 100pA.
Offensichtlich hab ich da nie drauf geachtet, aber z.B. BC547 ist mit
15nA (@25°C] nicht gerade ein Hit.
Zweifellos, da sind andere Basismaterialen angesagt, und eine trockene Umgebung.
Gruß Dieter
M
Marte Schwarz
Hallo Dieter,
na ja, lassen wir mal die Kirche im Dorf, nicht? Für ne Eingangsbeschaltung mit nem LM324 reicht es dicke...
Ich hab damals den BC846 eingesetzt, der liegt noch unter 1 nA bis 70°C. Wundert mich grade ein bischen mit den 15 nA bei 25°C.
Marte
D
Dieter Wiedmann
Marte Schwarz schrieb:
Zweifellos.:-)
Datenblatt von Philips.
Gruß Dieter
M
MaWin
"Dieter Wiedmann" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@t-online.de...
Die meines Wissens nach ein JFET mit 2 Anschluessen ist...
Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/
de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/
Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
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Dieter Wiedmann
MaWin schrieb:
UL, ich hab das Die schon gesehen.
Gruß Dieter
O
Oliver Bartels
Man sollte es aber auch nicht vermarkusen (tm) :
Das, was Du forderst, widerspricht dem zweiten Hauptsatz der Thermodynamik.
Eine ideale Diode nach Markus (tm) könnte nämlich dazu verwendet werden, um das thermische Hintergrundrauschen gleichzurichten und daraus wieder nicht-thermische Leistung zu gewinnen. Damit kannst Du glatt RWE und E.ON ernsthaft Konkurrenz machen ;-)
Und genau jenes widerspricht dem zweiten Hauptsatz, ein Gerät, welches jenes leisten täte, ginge als Perpetuum Mobile zweiter Ordnung durch.
Wenn Du eine Lösung hast: Ab zum Patentamt ;-)
Gruß Oliver
P.s.: Oder Du wirst Manager, dann darfst Du Deine o.g. Anforderung in ein Pflichtenheft schreiben ;-/