dass dem nicht so ist zeigt ein kurzer Blick in diverse Datenblätter. Hier geh mal zu den Grafiken, wir diskutieren hier nicht Leckströme bei x00 V. Billiger und auch im pA-Bereich sind CB-Dioden von gängigen TUP-TUN
viel besser sind die auch nicht, aber sehr viel teurer ;-)
die max. 5 nA aus dem Datenblatt werden bei 150 °C erreicht (Fig. 2 bei Philips). Commercial bis 70°C bleibt das Teil lustig unter 100 pA.
Aber sicher, sonst würd ichs doch nicht schreiben... ICBO nennt sich das dann, wenn Basis und Emmitter kurzgeschlossen sind und die Spannung gegen die CB-Diode geht. Das ist in jedem Datenblatt spezifiziert.
PAD1
vor allem auch die Platine, auf der das dann montiert werden darf, nebst Reinigungskosten... Einfach nur auf FR4 Material drauflöten ist da nicht mehr...
"Dieter Wiedmann" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@t-online.de...
Die meines Wissens nach ein JFET mit 2 Anschluessen ist...
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Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
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Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask.
Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Das, was Du forderst, widerspricht dem zweiten Hauptsatz der Thermodynamik.
Eine ideale Diode nach Markus (tm) könnte nämlich dazu verwendet werden, um das thermische Hintergrundrauschen gleichzurichten und daraus wieder nicht-thermische Leistung zu gewinnen. Damit kannst Du glatt RWE und E.ON ernsthaft Konkurrenz machen ;-)
Und genau jenes widerspricht dem zweiten Hauptsatz, ein Gerät, welches jenes leisten täte, ginge als Perpetuum Mobile zweiter Ordnung durch.
Wenn Du eine Lösung hast: Ab zum Patentamt ;-)
Gruß Oliver
P.s.: Oder Du wirst Manager, dann darfst Du Deine o.g. Anforderung in ein Pflichtenheft schreiben ;-/
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