Bipolartransistoren: technischer Fortschritt oder nur Jubelelektronik

Moin, moin,

als neuere Exemplare. Und ich spreche hier durchaus von einem Faktor 2 Unterschied. Auch bei gleicher Typenbezeichnung gibt es diesen Unterschied. Besonders

Ist das jetzt schlicht der technische Fortschritt bei der Herstellung oder wird heute einfach nur Schund verkauft?

kleineren Dies doch sogar besser werden, wegen des schnelleren thermischen Ausgleichs, oder?

Marcel

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Marcel Mueller
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Am 31.03.2016 um 11:55 schrieb Marcel Mueller:

manche Hersteller verkaufen nachweisbar Schrott, der die eigenen Specs

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www.headless-brewing.com
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Eric BrÃ?cklmeier

einen NXP PBSS5560PA verwendet SOT1061 60V -5A Beide haben einen effektiven aequivalenten RDS-On von 55mR.

wirtschaftlicher.

Eigentlich wohl eher nicht, da der thermische Widerstand junction nach aussen sich wohl verschlechtert (auf das ganze Bauteil bezogen).

Der FZT951 hat peak -15A und der PBSS5560PA nur noch -6A

mit den kleineren Bauteilen muss man also etwas mehr aufpassen, was Spitzen angeht.

Leider fehlt im Datenblatt des FZT der thermische Widerstand.

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WEB: http://www.nucon.de    http://www.led-temperature-protection.com 

Steinbecker Muehlenweg 95, 21244 Buchholz idN,  Germany 
UST-IDNR.: DE 231373311, phone: +49 4181 290913, fax: +49 4181 350504 



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Joerg Niggemeyer

Am 31.03.2016 um 13:18 schrieb Joerg Niggemeyer:

Hallo,

hier gibt es Angaben dazu bei den technischen Daten und auch die Diagramme "Derating Curve":

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Bernd Mayer

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Bernd Mayer

Stimmt neueres und besseres Datenblatt als das alte von Zetex, was ich noch auf dem Laufwerk hatte ;-(

es ab...

VG J Ni

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WEB:

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Joerg Niggemeyer

Marcel Mueller schrieb:

Wieviel mal wurde das hier schon detailliert durchdiskutiert? Reichen da einstellige Zahlen?

Es gibt Bezeichnungen, die sind eben keine Typbezeichnung wie die Pro Electron Bezeichnungen a la BC107 oder so, sondern eher Bezeichnungen eines Pflichtenhefts, etwa 2N3055, siehe JEDEC.

Letzteres erlaubt "Fortschritte" unter gleichem Namen weiter zu verkaufen,

Kunden oder den Hersteller. Wobei gewisse Kombinationen von obigem

Einfach diffundierte Transistoren waren relativ unkaputtbar und man hatte damals nicht mal Freilaufdioden an induktiven Lasten. Es erfolgte die Entwicklung der Mesa/Epitaxial und schliesslich der mehrfachdiffundierten Planartransistoren.

Letztere sind dann x (10 oder so) mal schneller; "alte" NF-Transistoren werden heute von Funkamateuren bis ins UHF verwendet. Die sind

Und nein, SOA eher enger mit den Winz-teilen. In RAPs Troubleshooting Guide ist ein ganzes Kapitel dem Problem gewidmet.

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mfg Rolf Bombach
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Rolf Bombach

Rolf Bombach wrote: ...

Ein Link auf den guide waere nett!

-- Uwe Bonnes snipped-for-privacy@elektron.ikp.physik.tu-darmstadt.de

Institut fuer Kernphysik Schlossgartenstrasse 9 64289 Darmstadt

--------- Tel. 06151 1623569 ------- Fax. 06151 1623305 ---------

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Uwe Bonnes

Das Buch ist wohl nicht im www:

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Die Zeitschriftenartikel als "A Tribute to Bob Pease" eher schon: "Bob Pease Lab Notes Part 1.pdf" ... "Bob Pease Lab Notes Part 9.pdf"

Zudem:

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Hat halt kein Inhaltsverzeichnis und etwas desorgansiert. Aber absehbar substantieller und mehr on topic als die hiesige newsgroup.

MfG JRD

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Rafael Deliano

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