Ältestes halbleiterbauteil

Ralph A. Schmid, dk5ras schrieb:

OK, mich interessierte jetzt aber eigentlich, welche Parameter (die das Datenblatt offenbar nicht spezifizierte) dann jetzt davon betroffen waren.

Ist ne Weile her, daß ich in einer Schaltung den Vermerk "nur TI!" an einem IC gesehen habe, das dürfte auf was ähnliches rauslaufen.

Hanno

Die Phasenverschiebung mit steigender Frequenz hatte sich stark geändert, so im Bereich 100 - 300 KHz war es bei uns kritisch geworden, darunter war der Effekt klein genug.

Ja, mit Sicherheit...

-ras

Stefan Heimers schrieb:

eigentlich

Mir sind an Antiquit=E4ten CdS-Fotowiderst=E4nde (LDR 03) eingefallen. Wei=DF jemand, seit wann es die gibt?

Wolfgang Hauser schrieb:

Ja. Der LDR03 taucht erstmals im Valvo-TB 1961 auf. Im TB 1955 gab es "nur" Fotozellen, die TBer 56-59 besitze ich leider nicht, im TB 1960 gibt es dann zwar schon Fotowiderstände (ORPxx), aber, wie gesagt, noch nicht den LDR03.

HTH

Reinhard

Davor gabs außer Fotozellen nur Selenzellen.

Ich erinnere mich noch an Transistoren, bei denen eine Lackschicht abgekratzt werden konnte, so das die als Fototransistor missbraucht werden konnten. Mir fällt aber der Typ nicht mehr ein.

OC604 ?

Andreas Graebe schrieb:

Eigentlich alle, die ein lackiertes transparentes Gehäuse hatten. Man konnte vom BC107 auch den Deckel abfeilen.

Falk

Mein erster Fototransister genau ein auf diese Weise hergestellter. Wenn ich mich richtig erinnere, hieß das Teil OC44 oder OC45 und war von Valvo.

Ganz deutlich erinnere ich mich an das Innere. Kristall und Bonddrähte waren in einer Art Gel-Klecks (sah etwa so aus wie farbloses Sanitärsilikon) eingebettet, das hat das Fokussieren des Lichts etwas erschwert.

OC könnte passen.

Stimmt, das hatte ich mit dem BC141 öfters gemacht. Ist das lange her ;-).

Ich hab noch ein paar Transistoren im BC107-Gehaeuse rumliegen. Hm, ich sehe gerade das da auch noch Germanium-Typen dabei sind. Irgendwie zu schade zum wegwerfen.

Gerrit

Am 03.07.2010 19:03, schrieb Hanno Foest:

Es ging um einen sehr großen(!) Hersteller und um einem standard Transistor, den einige sehr große Kunden rückwärts eingesetzt hatten - frag mich nicht warum. Nach der Umstellung von einer Wafergröße auf eine andere ;-) ging das dann nicht mehr. Konkreter kann ich leider nicht werden...

Grüße

Eric.

Am 04.07.2010 20:23, schrieb Falk Willberg:

Das geht heute wieder mit allen Bauteilen in den neuen ultra kleinen und ultra flachen SMD Gehäusen - die sind nicht lichtdicht....

Grüße

Eric.

Am 05.07.2010 06:31, schrieb E.-R. Bruecklmeier:

Am 05.07.2010 07:18, schrieb horst-d.winzler:

was genau willst Du uns damit mitteilen? (Ich verstehs wirklich nicht....)

Grüße

Eric.

Am 02.07.2010 22:50, schrieb gUnther nanonüm:

Nein, NXP stellt (selber) gar keine bedrahteten Diskrete mehr her.

Grüße

Eric.

Am 05.07.2010 07:40, schrieb E.-R. Bruecklmeier:

Ich zitiere:

Ab einer bestimmten charakteristischen Spannung UBR (Durchbruchspannung) kommt es zum Durchbruch.Darunter versteht man bei einem pn-Übergang einen steilen Anstieg des Stromes weit über den Sättigungswert.

Stoßionisation mit Lawinen- bzw. Avalanchedurchbruch, z. B. IMPATT-Diode zur Erzeugung von Hochfrequenz.

Mittels des Lawineneffekts können sehr steile, energiereiche Impulse erzeugt werden. Das mit einem billigen BC107.

Wolfgang Hauser schrieb:

II/VI-Halbleiter, ab zweite Hälfte der '50er als Serienprodukt verfügbar.

Gruß Dieter

Am 05.07.2010 09:05, schrieb horst-d.winzler:

Achso, jetzt. Nein das war wohl nicht die fragliche Anwendung. Es ging um einen standard FET und zwar fast ausschließlich in Netzteilen. Unsere Vermutung war, daß einer der Kunden das mal falsch eingezeichnet hatte und die anderen dann... naja, man weiß es nicht. Der Ärger war jedenfalls groß...

Grüße

Eric.