mal wieder MRAMs?

Hoi Uwe!

Uwe Hercksen schrieb:

Ist MRAM das gleiche wie FRAM, dens z.B. von Ramtron via Farnell gibt?

Gr=FCessli, Edi

Eduard Iten schrieb:

Nein, basieren auf unterschiedlichen physikalischen Effekten. M=Magnetic, F=Ferroelectric.

Gruß Dieter

Uwe Hercksen schrieb:

Ich will aber lieber WOMs.:-)

Gruß Dieter

Hoi Dieter!

Hm, okee... und wie genau funktionieren die?

Dieter Wiedmann schrieb:

WOM? Write only Memory?

Gr=FCsse, Edi

Eduard Iten schrieb:

Kuckstu Datenblatt:

;)

Grüße, Benjamin

Eduard Iten schrieb:

Yepp, wirf mal Goggle nach 'Signetics WOM' an. Vorher jedwede Getränke/Speisen zur Seite stellen!

Gruß Dieter

Hallo miteinander!

Alles klar! Vielen Dank! Meint ihr, es lohnt sich mit einem solchen Bauteil ein verbessertes /dev/null versuchsweise aufzubauen? :)

MFG, Edi

Eduard Iten schrieb:

Nein, das klappt nur mit den erwähnten WOMs! :-)

Gruß Dieter

Schön ist auch der Polish Operational Amplifier von NS mit der "typical low upset voltage".

Bernd

Eduard Iten schrieb:

=2Epdf

Du hast aber geleesen, wie du den k=FChlen mu=DFt? :D Das gib ein etwas=20 unhandliches und lautes /dev/null.

scnr Guido

Ich hab mal das auf der Website des Herstellers angegebene Paper angeschaut. Das ist ja völlig verrückt, was man mit heutiger Mikrolithographie alles machen kann. Grob kapiert habe ich ungefähr folgendes:

Mir scheint es eine Wiederauflage des klassischen Kernspeichers zu sein, in geschickter Kombination mit Harddisktechnik. Quasi non-rotating fixed head disk ;-].

- Durch Verwendung der magnetoresistiven Elemente können die Magnetfelder statisch erfasst werden, es braucht weder rotierende Disks noch (destruktive) Ausleseimpulse.

- Mit der Mikrolithografie kann man jedem Bit seine eigene "ein-Bit-Disk" spendieren. Diese Schichten werden über üblicher CMOS-Mimik angebracht.

- Kernspeicher hatten den Nachteil, dass die Ströme für Zeilen- und Spaltenansteuerung genau dosiert (etwa in Ab- hängigkeit mit der Temperatur) werden mussten. War der Strom etwas zu stark, war die ganze Spalte futsch, war er zu klein, passierte nix. Bei den neuesten MRAMS wird aber die Magnetisierung um 180° gedreht. Sind die Schreib- drähte parallel/senkrecht dazu und nicht schräg, dann passiert mit der Ansteuerung eines einzelnen Schreibdrahts nie etwas, auch nicht mit viel zu hohen Strömen. Die Zeilen/Spaltendrähte müssen sequentiell genau wie beim Schrittmotor angesteuert werden, um die Magnetisierung zu drehen.

- Beim Kernspeicher hatte man nur einen Lesedraht. Um mehrere Bits (Byte oder Word) aufs Mal auslesen zu können, musste man mehrere Kernspeicher haben.