Porta AND con 4 XOR... è possibile?

*un po' di diodi e un po' di resistenze.

così?

se e soltanto se ENTRAMBI gli ingressi (A,B) sono a livello logico alto allora l'uscità (Y) è alta altrimenti è bassa ovviamente alto e basso non significa VCC e GND ma c'è da tenere conto della Vf, cioè la tensione in diretta dei diodi...

-ice-

della

Si, cos=EC. Con l'uscita comanderei la base di un transistor NPN per mettere a massa un rel=E8. Due domande:

di solito si mette una resistenza prima di andare alla base, ma in questo caso posso farne a meno? (in quanto ho gi=E0 la resistenza di pullup dell'AND?).

devo mettere (sempre prima di andare alla base) una resistenza di pulldown per assicurarmi che piccole tensioni logiche 0 non mi attivino il transistor?

nb Proprio non si pu=F2 usare l'integrato XOR? Lavorerei pi=F9 sicuro, senza dovermi tanto preoccupare di tensioni, resistori, diodi etc.

*di solito si mette una resistenza prima di andare alla base, ma in* transistor è un termine generico... se parliamo di BJT allora si, di solito ci vuole un partitore sulla base, per impostare la corretta polarizzazione

*questo caso posso farne a meno? (in quanto ho già la resistenza di pullup dell'AND?).* devi dimensionare il resistore di pull-up in modo da far lavorare il bjt in saturazione

cmq tieni conto che se poi metti un transistor... i diodi devono avere una bassa caduta in diretta infatti se tu mettessi diodi con Vf di 0,7V quando uno degli ingressi è basso hai Y circa uguale 0,7V che potrebbero essere troppi e mandare in conduzione il bjt... bisogna fare un po' di conti prima!!!

*pulldown per assicurarmi che piccole tensioni logiche 0 non mi* se metti sia una R di pullup che una di pull-down non ha senso per la AND a diodi...

*Proprio non si può usare l'integrato XOR? Lavorerei più sicuro, senza dovermi tanto preoccupare di tensioni, resistori, diodi etc.* ci penso, stasera ti dico se si può!

-ice-

Da un punto di vista logico no! L'XOR non è un operatore funzionalmente completo, ma può diventarlo se usato assieme all'AND. Quindi non è possibile realizzare un AND con solo XOR...

A.D.

al volo:

- con le XOR non si fa

- se intanto vuoi provare ho fatto 2 conti: metti la R di pull-up per la AND a diodi da 1K, poi metti una R da 1K per andare sulla base del bjt (NPN) infine porti la base del bjt a massa con una R=4,7K (emettitore del bjt a massa ovviamente) collettore a vcc tramite resistore oppure tramite il carico (bobina del relay) a seconda di come deve lavorare... quanti ohm misura la bobina? vuoi chiudere il relay quando Y=alto o quando y=basso?

con questi valori fai in pratica un partitore che ti fa avere una Vbe di circa 0,58V quando A o B sono bassi (gnd) e 3,51V quando sia A che B sono alti (+5vcc) ho considerato una Vf di circa 0,7V per capire la regione di funzionamento del bjt servono altri parametri, tipo la Bf però per iniziare proverei con questi valori tieni conto che cmq non è una soluzione ottimale soprattutto se lavori con una batteria (ci sono molte dispersioni)

-ice-

ice ha scritto:

Un diodo in serie alla base in modo da alzare la soglia a 1.4V e rendere la base immune ai 0.7V, resistenza di pull-up per la saturazione e resistenza sulla base per forzarla a massa.

mandi

=E8

Pensandoci, usi un xor come squadratore prima del transistor del rele (come not o buffer)

si, mi pare una buona idea! così:

[FIDOCAD ] MC 45 50 2 0 200 MC 45 40 2 0 200 LI 45 50 45 30 SA 45 50 MC 55 45 0 0 730 LI 45 50 55 50 LI 55 50 55 45 LI 55 45 55 55 SA 55 50 MC 90 50 2 0 080 MC 45 30 3 0 080 MC 45 20 3 0 010 MC 105 60 0 0 040 MC 20 50 0 0 073 MC 20 40 0 0 073 TY 15 35 5 3 0 0 0 * A TY 15 45 5 3 0 0 0 * B TY 45 55 5 3 0 0 0 * Y TY 50 25 5 3 0 0 0 * 1K MC 105 20 3 0 010 LI 105 25 105 20 LI 110 20 105 20 SA 105 20 MC 110 35 3 0 200 LI 110 40 105 40 LI 105 40 105 35 SA 105 40 MC 105 25 1 0 120 LI 110 40 110 35 MC 90 50 0 0 300 TY 85 40 5 3 0 0 0 * 2K2 SA 45 40

la R da 2k2 va calcolata a seconda del bjt e della xor usati

-ice-

Con lo schema indicato l'uscita dell'XOR =E8 sempre zero. Inoltre un diodo in serie a un ingresso TTL ne compromette seriamente la soglia.

Lo schema pi=F9 semplice, gi=E0 citato da altri, imho =E8 quello allegato.

Ciao.

lucky

[FIDOCAD] SA 105 20 LI 120 20 70 20 LI 120 65 70 65 MC 90 30 3 0 080 MC 90 40 1 0 200 MC 90 65 3 0 080 MC 90 55 0 0 300 MC 85 35 2 0 200 MC 85 40 2 0 200 TY 65 30 5 3 0 0 0 * A TY 65 40 5 3 0 0 0 * B TY 85 15 5 3 0 0 0 * 3.3K TY 85 65 5 3 0 0 0 * 3.3K TY 115 15 5 3 0 0 0 * +5V TY 115 65 5 3 0 0 0 * GND LI 90 30 90 40 LI 85 35 90 35 LI 85 40 90 40 LI 105 45 105 40 SA 90 35 SA 90 40 SA 90 20 SA 90 65 SA 90 55 SA 105 65 MC 110 45 3 0 200 LI 105 45 110 45 SA 105 45 LI 105 25 110 25 SA 105 25 LI 105 30 105 20 LI 110 30 110 25 MC 105 30 1 0 120

lucky ha scritto:

Perche deve collegare un ingresso a massa(diventa buffer) o al positivo(not).

Senza il diodo, restano solo i diodi del and, la soglia ttl non =E8

0=2E8V? non siamo dentro?

Effettivamente.

mandi

grazie grazie a tutti, mi siente stati veramente utili!

ciao

Mi rispondo da solo, dipente dal livello dello zero logico prima dei diodi.

mandi