NMOS con rDS-on "piatta"

ciao!

avete in mente un NMOS per bassa potenza (tipo 100mA come Id) che abbia una rDS-on il più possibile "piatta" (in funzione della temperatura, si intende)?

non importa che la rDS-on sia bassa l'importante è che sia costante il più possibile da questo punto di vista i BJT sarebbero migliori?

grazie!

-ice-

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ice
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I bjt non hanno una caratteristica resistiva lineare. Che cosa devi fare?

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Franco

Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)
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Franco

ti faccio un esempio semplificato al max per farti capire il mio problema:

prendi un lm317 e usi una serie di npn per decidere con quale resistenza chiudere verso massa l'ingresso di ADJ in modo da avere in uscita degli step di tensione discreti un controllo "digitale" insomma... il problema sorge quando il sistema deve lavorare in ambiente con escursione termica notevole... se cambia la temperatura mi cambia anche la resistenza differenziale offerta dal bjt e quindi la tensione di uscita quindi l'idea dell' N-mos

a livello di prototipo ho messo dei reed e funziona bene solo che sono "lenti" se devi fare uno sweep e poi cmq sono componenti con parti meccaniche in movimento

grazie!

-ice-

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ice

Un bel giorno ice digitò:

Le resistenze tipiche che metti sul pin ADJ di un 317 sono di centinaia di ohm o anche di kiloohm. Se consideri che i mosfet hanno Rds(on) anche sotto all'ohm, direi che la variazione della Rds non dovrebbe interessarti più di tanto, dato che comunque non puoi ottenere precisioni di quel genere con un LM317.

Per me i reed hanno una resistenza di contatto che varia in modo ben più rilevante (sia rispetto alla temperatura che rispetto al tempo) dei mosfet!

--
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dalai lamah

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qui c'è lo schema che ho fatto (con bjt) VOUT è la tensione che devo "scalare" (diventa quindi VOUT_) e mandare all'ingresso dell'ADC

l'alternativa è togliere i BJT e usare canali diversi dell'ADC (e partitori diversi ovviamente... 1/2, 1/3, 1/4 ad esempio) se la VOUT dopo il partitore è cmq maggiore di (10+Vd)V interviene il diodo e sia op-amp che ADC sono protetti

che ne pensi?

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ice

Non ho capito bene lo schema che poi fai vedere. Usa dei mos, come ti e` gia` stato detto, con resistenza on sufficientemente bassa, oppure alza i valori di resistenza della rete. Con tutti quei trimmer, l'ultima cosa di cui mi preoccuperei sono le variazioni della r dei mos.

Se usi i bjt a correnti basse e tensioni limitate, prova a usare i bjt in modo inverso, scambiando cioe` C ed E fra di loro: il beta fa schifo, ma la Vce di saturazione e` piu` bassa che in modo diretto. Devi cercare quale modello di transistor si comporta meglio in questa connessione.

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Franco

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(L. Wittgenstein)
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Franco

potrei togliere i bjt/mos del tutto allora e fare così:

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quando la tensione prelevata dal partitore è maggiore di 10V il diodo 1n5819 conduce e impedisce che la tensione vada oltre i 10V il diodo non di brucia perchè la corrente è limitata dal partitore stesso puo andare?

ps: i vari canali (ch0, ch1, ecc...) sono i canali di ingresso di un ADC che regge max 10V

-ice-

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ice

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