NMOS tipo IRF250 come interruttore

a

re

Scambiando D e S funziona si....ma come diodo! i mosfet di potenza hanno all'interno un diodo di ricircolo che entra in funzione quando Vs>Vd (vedi voce nel datasheet "SOURCE =96 DRAIN DIODE CHARACTERISTICS").

Per il funzionamento on-off di fatto sbagli a usare tipo di mos se il tuo scopo =E8 quello di portare la Vcc a un circ.esterno; questo mosfet =E8 invece perfetto per portare a massa un circuito esterno(tramite drain). Se proprio hai necessit=E0 di avere 24V in uscita devi procurarti un pmos e portare il gate a una tensione negativa rispetto a Vcc. Ciao!

Il 15 Lug 2009, 22:33, "fittizio" ha scritto:

sempre

Se vuoi avere sul source 24 volt, il gate deve andare a 30-35 volt, che probabilmente non avrai a disposizione nel tuo circuito e dovrai generare con un convertitore cc-cc. Perciò quel tipo di circuito è molto scomodo. Meglio usare un PMOS, con drain a 24 V e uscita sul source. Sarà interdetto quando quando il gate è a 24 V e condurrà quando porti il gate a 15-18 volt. Attento che se porti il gate a tensioni più basse rischi di superare la tensione massima gate-source e addio mosfet, controlla il datasheet.

Questa non l'ho capita... metti il source a 0 volt?

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Scusa se chiedo conferma, quindi praticamente se vado a prelevare sul DRAIN (alla maniera BJT) praticamente non è il MOS che sta funzionando ma è il diodo interno? Ho capito bene? Però strano... ho trovato in vari posti questa configurazione e ne parlano come funzionamento on-off... mo non mi ritrovo i link ma li cerco.... Sostanzialmente parlo di questa config: [FIDOCAD ] MC 120 90 0 0 410 MC 135 110 0 0 045 LI 135 100 135 110 MC 135 65 0 0 115 LI 135 75 135 80 MC 150 80 0 0 000 LI 150 80 135 80 MC 135 60 3 0 010 LI 135 65 135 60 LI 120 90 110 90 LI 110 90 110 65 LI 110 65 135 65 TY 160 80 5 3 0 0 0 * OUT

Uhm.... mo mi ristudio l'NMOS....

No scusa, ma in questo caso non mi è sufficiente portare il GATE uguale alla tensione VD? Almeno provato con un simulatore e sembra funzionare... Lo schema è questo:

[FIDOCAD ] MC 120 90 3 1 420 MC 85 75 2 0 010 LI 85 75 110 75 LI 120 90 120 105 LI 120 105 100 105 LI 100 105 100 75 MC 165 75 0 0 000 LI 130 75 165 75 TY 80 70 5 3 0 0 0 * IN TY 170 70 5 3 0 0 0 * OUT

Grazie!

Grazie per la risposta,

vedi la mia risposta di sopra. Praticamente nel caso PMOS mi basta eventualmente collegare il gate al drain con una resistenza no?

Vedi sempre la mia risposta di sopra, ho messo uno schemetto fidocad... non ho forse ben capito la questione del diodo che diceva hexfet...

Il 16 Lug 2009, 08:27, "fittizio" ha scritto:

drain

No no! In quel modo rifai lo stesso errore che stai facendo con l'NMOS. Semplificando al massimo, un mosfet (N o P non importa) come interruttore è OFF quando porti il gate alla tensione del source. Per portarlo in ON devi dare al gate a 5..10 volt rispetto al source, volt intesi positivi se è un NMOS, o negativi se è un PMOS. Il drain non devi proprio considerarlo quando ragioni sul gate.

funziona...

non

Pensava che tu volessi mettere un NMOS con il source positivo rispetto al drain. In quel caso il mosfet si comporta come un diodo polarizzato direttamente. (Non tutti i mosfet si comportano così, quelli di potenza sì).

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Ciao Un interruttore con PMOS e con Nmos

Ciao Giorgio

[FIDOCAD] MC 35 55 0 0 300 LI 60 20 20 20 LI 20 65 115 65 LI 90 20 115 20 LI 115 20 115 35 LI 115 50 115 65 MC 115 40 1 0 080 LI 115 35 115 40 SA 50 20 MC 20 20 2 0 010 MC 20 65 2 0 020 MC 35 55 1 0 080 MC 25 55 0 0 080 LI 25 55 15 55 SA 15 55 LI 15 45 20 45 LI 20 45 20 35 LI 20 35 30 35 LI 30 35 30 45 LI 30 45 45 45 TY 15 45 5 3 0 0 0 * 0V TY 10 35 5 3 0 0 0 * +5V SA 35 55 MC 35 65 0 0 045 SA 35 65 SA 50 65 MC 50 35 1 0 080 LI 50 30 50 35 LI 60 35 80 35 TY 60 55 5 3 0 0 0 * 2N 1711 SA 115 35 SA 115 55 TY 25 50 5 3 0 0 0 * 1k TY 35 65 5 3 0 0 0 * 4.7K LI 60 20 65 20 MC 80 35 3 1 420 LI 65 20 70 20 MC 50 20 1 0 080 LI 60 35 50 35 SA 50 35 TY 15 10 5 3 0 0 0 * 12V TY 125 45 5 3 0 0 0 * carico TY 65 10 5 3 0 0 0 * Pmos a bassa rdson TY 35 25 5 3 0 0 0 * 2.2k TY 55 45 5 3 0 0 0 * 330

Con Nmos

[FIDOCAD] MC 50 50 0 0 410 LI 60 20 70 20 LI 70 20 70 35 LI 70 35 60 35 LI 60 35 60 20 LI 65 40 65 35 LI 65 20 65 10 LI 65 60 35 60 MC 50 50 1 0 080 LI 50 50 35 50 SA 50 50 SA 50 60 LI 35 50 20 50 LI 35 60 20 60 SA 20 50 SA 20 60 LI 95 10 65 10 MC 95 40 0 0 450 LI 65 60 95 60 LI 95 60 100 60 LI 95 10 95 40 SA 65 60 MC 95 60 0 0 045 SA 95 60 TY 95 45 5 3 0 0 0 * +12 V TY 40 25 5 3 0 0 0 * carico LI 5 60 5 50 LI 5 50 10 50 LI 10 50 10 60 LI 10 60 15 60 TY 5 45 5 3 0 0 0 * 5V MC 20 60 0 0 045 TY 25 65 5 3 0 0 0 * NMOS pilotabile con 5 V

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Innanzitutto questo era lo schema con cui hai aperto il post, sbaglio?: [FIDOCAD] MC 120 90 0 0 410 LI 135 75 135 80 LI 120 90 110 90 MC 135 75 3 0 010 MC 135 100 0 0 000 TY 140 100 5 3 0 0 0 * OUT TY 140 70 5 3 0 0 0 * +24V LI 110 90 110 75 MC 110 75 3 0 000 TY 95 70 5 3 0 0 0 * +24V

poi per il famoso diodo di cui parlavo ti porto un esempio chiarificatore, osserva il simbolo del componente in prima pagina

Prima di continuare faccio un piccolo ripasso del mos:

-se Vgs=3DVth il mos =E8 acceso e pu=F2 funzionare in 1- saturazione se Vds>Vgs-Vth 2- zona lineare se Vds

Grazie veramente a tutti per le spiegazioni chiare e pratiche che mi avete dato. Grazie.

Grazie tante... Solo una domanda: Nel caso PMOS, La resistenza da 330r sopra al bjt come mai la metti? Non basta solo quella da 2.2k? Grazie

Ciao E' una precauzione ;qualcosa che limiti in qualche modo una eventuale corrente capacitiva verso il gate puo' evitare sorprese.

Ciao Giorgio

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