mosfet rf di potenza

Mi ritrovo alcuni mosfet di potenza per rf

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In pratica sono mosfet ottimizzati per funzionare a 2,1 GHz. Io vorrei usarli come switch sperando che, se possono funzionare a quella frequenza, abbiano anche tempi di commutazione molto veloci, sotto il ns.

on-off. Qualcuno ne sa qualcosa di questi tipi di mosfet con reti interne di adattamento?

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Dimonio Caron
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Sigh... nxp... che tristezza...

Anch'io ho (da alcuni anni) diversi mosfet della famiglia Motorola ...21..., tutti recuperati da amplificatori smantellati dalla telefonia mobile,

perche' sono saldati al radiatore (o meglio, ad una piastra intermedia). A suo tempo ho fatto un po' di ragionamenti sulla possibilita' di usarli a frequenza piu' bassa, ad es. 432 o 1296 MHz e ho fatto qualche ricerca sulla struttura delle reti di adattamento. A quanto pare sono reti a pigreco, che usano induttori realizzati con "air bridge"

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e condensatori realizzati sul substrato di silicio.
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Le reti a pigreco sono per loro natura passa-basso, per cui usarli a frequenza piu' bassa dovrebbe essere fattibile, anche se non facile per via delle impedenze estremamente basse, con forti capacita' verso massa. Poi, come per cento altre idee, non sono andato avanti... Comunque, i componenti con cui volevo sperimentare io erano molto piu' piccoli, gli MRF21030, quindi con impedenze ancora gestibili, almeno credo.

Nel tuo caso di applicazione switching veloce potresti farcela, pero' con alcune criticita':

- ti ritroverai si' dispositivi veloci, ma con capacita' Cgs e Cds notevoli (Cgd molto bassa). Capacita' gia' grandi a livello di chip, con in piu' i condensatori di adattamento in parallelo su entrambi i lati

- essendo dispositivi a larghissima banda e alto guadagno, dovrai prestare estrema attenzione al layout delle piste ed ai bypass, perche' sapranno cogliere ogni oppurtunita' di autooscillazione

- (solo se commuti con fonti ultraripidi) tensione e corrente di picco nel MOS intrinseco potrebbero raggiungere picchi ben piu' alti che ai morsetti, per effetto degli stadi LC. -> ringing sopra le onde quadre.

La cosa piu' fastidiosa sara' sicuramente la capacita', che nelle applicazioni RF viene risonata via.

Ciao,

-- RoV - IW3IPD

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RoV

Il giorno domenica 10 luglio 2016 23:12:06 UTC+2, RoV ha scritto:

Prima erano Motorola, poi Freescale, poi sono stati comprati da NXP che prima era Philips...

..,

uperare,

Mi sa che abbiamo lo stesso fornitore di rottami :) Io li ho lasciati attaccati alla loro piastra, che comunque e' perfetta per essere fissata ad un dissipatore.

a

lla

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/Figure_06.gif

Non ho capito cosa si intenda per air bridge. Forse i collegamenti wire bonding del chip?

ia

li

e

l

i,

Non immaginavo che ci fossero condensatori anche tra drain e massa. Penso che hai ragione, tutti quei condensatori se non entrano in un circuito risonante danno solo fastidio. Comunque voglio vedere quanto e' la capacita' complessiva vista nel gate con un capacimetro. Mi aspetto centinaia di pF o anche piu'.

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Dimonio Caron

Beh, perche' Motorola era un marchio simbolo per i transistor di potenza RF. Nei miei sogni di ragazzo squattrinato era battuta solo da TRW... ma andiamo troppo indietro nel tempo! Philips ha fatto dei discreti transistor RF di potenza (BL...), ma decisamente meno diffusi.

Si', calibrati apposta per realizzare l'induttanza che serve. Dalle immagini si vede che ne mettono molti affiancati, per ripartire la corrente e perche' gli elettrodi sono molto larghi, dovendosi interfacciare a piste a bassa impedenza.

Probabile... prova!

Ciao,

-- RoV - IW3IPD

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RoV

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