mosfet di potenza

In genere, la capacità drain-source è molto piccola, dell'ordine delle decine di pF. Un datasheet che ho davanti dice 230 pF per l'FS16KM-10 (un mosfet n-ch da 16 A). La capacità gate-drain è altrettanto piccola. Sempre lo stesso datasheet dice 40 pF.

Al nF forse qualche dispositivo ci arriva.

Il 25 Mar 2005, 18:53, Bennny ha scritto:

Ah ecco, 230 pF non e' tanto distante dal nF che avevo ipotizzato. Io immaginavo invece che queste capacita' fossero dell'ordine dei pF e non mi spiegavo uno strano fenomeno quando il mosfet era interdetto e sembrava appunto che ci fosse un condensatore da qualche parte. Approfitto per farti un'altra domanda. Un normale bjt ha una capacita' CE molto inferiore rispetto ad un mosfet di potenza paragonabile? Grazie ancora.

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Alcuni MOS di potenza arrivano quasi al nF. I bjt non hanno capacità di ingresso, o meglio ce l'hanno MOLTO ma MOLTO ma MOLTO bassa (qualche pF).

Si, la capacità C-E è dovuta solo a capacità parassite del package, è molto piccola.

Cosa intendi per ingresso? Se intendi un transistore a emettitore comune e quindi con ingresso sulla base, la capacità vista dall'ingresso è superiore a quella di un mosfet poiché è dovuta alla polarizzazione diretta della giunzione B-E. Poi c'è da contare anche la capacità di barriera tra base e collettore che per effetto miller può risultare di molto aumentata.