Ciao,
parliamo di LNA a FET. Due domande:
- in microelettronica si usa spesso la configurazione cascode in modo da separare i circuiti di ingresso e di uscita. Usando componenti discreti questo è realizzato impiegando i MOS dual gate? su una porta si inetta il segnale e sull'altra si forza la polarizzazione, è così?
- ho visto spesso (ad. esempio sui preamplificatori per i 2 e 6 metri con BF981 o simili) circuiti di ingresso realizzati con reti risonanti parallelo. A volte il segnale di ingresso è applicato a un induttore con presa centrale (immagino per alzare il Q complessivo) dopodichè un compensatore in parallelo aiuta ad accordare la rete alla frequenza desiderata. A lezione ci hanno però spiegato che è deleterio mettere una capacità in parallelo al gate, in quanto si massacra la frequenza di taglio del FET poichè questa capacità va in parallelo con la capacità gate-source del componente. Quali sono i motivi per cui si sceglie questa configurazione? In alternativa si potrebbe invertire i ruoli? Ovvero applicare il segnale tra due compensatori in parallelo all'induttore (questo si tra gate e massa).
Grazie, Marco / iw2nzm