Corrente di saturazione inversa nel diodo

Per la corrente non ricordo esattamente, dovrei riprendere il libro di semiconduttori. Cmq le cariche minoritarie sono chiaramente quelle che sono in minoranza: nella zona n del diodo (dove c'e' un sovrappiu' di elettroni) le cariche minoritarie sono le lacune, mentre nella zona p e' l'inverso.

Scola

Il Tue, 31 May 2005 14:24:05 +0200, nicola scolari ha scritto:

Ti ringrazio..chissa' per quale oscuro motivo pensavo che nella zona N non ci fossero proprio lacune ma soltanto elettroni liberi....

"Lepka" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@40tude.net...

anche quella diretta è dovuta ai portatori minoritari

Beh, c'e' la legge che dice: p*n=ni^2 dove p sono le lacune, n gli elettroni e ni la densita' intrinseca dei portatori di carica che vale circa 1.4*10^10 a 300K. Anche se droghi un semiconduttore avrai sempre dei minoritari, molto pochi, ma ne avrai...

Scola

Nella zona di tipo n ci sono tanti elettroni liberi introdotti dal drogaggio. Ma ci sono anche alcuni atomi di silicio che si ionizzano a causa dell'energia termica, formando coppie lacune/elettroni. Gli elettroni delle coppie vanno ad aumentare di una quantita` veramente microscopica gli elettroni gia` presenti. Le lacune invece formano i portatori minoritari, e hanno una vita difficile (anzi vita corta), perche' vengono con elevata probabilita` ricombinati in breve tempo da uno dei tantissimi elettroni presenti. Pero` le minoritarie non scompaiono, perche' ci sono continuamente formate per via termica nuove coppie lacune elettroni. Se ci sono tanti elettroni, il numero di lacune che ad ogni istante sopravvive e` data dalla legge dell'azione di massa che ti ha detto nicola.