Tranzystory SiC ze "zwykłym" sterowaniem

Mnóstwo kasy idzie ostatnio na badania nad SiC i GaN, więc zaczęły pojawiać się interesujące efekty. Na przykład to:

formatting link

1700V, 1 om i 450 miliomów. Nowością jest to, że są przystosowane do sterowania napięciem 0/12V, a nie -4/+20V, jak starsze modele, co bardzo komplikowało strukturę przetwornicy, zwłaszcza prostych flybacków. Vth też podnieśli z 1.5V do 4.5V, więc budżet na zakłócenia wygląda rozsądnie.

Od strony bramki przypominają krzemowe MOSFETy, a od strony drenu mają absurdalne osiągi SiC. Bardzo mi to uprości jeden projekt, więc infomuję, że już takie cuda są, bo może się to komuś przyda.

Pozdrawiam, Piotr

Reply to
Piotr Wyderski
Loading thread data ...

Z czystej ciekawosci: gdzie to będzie miało zastosowanie "domowe"?

Reply to
heby

Jeśli ma pracować z sieci 230VAC bez żadnych cudów po drodze, to V_DS_MAX nie jest krytycznym parametrem i pozostaje jedynie łatwość sterowania oraz pozostałe zalety SiC (mała Eoss, mała R_DS_ON, mała pojemnośc bramki i przełączanie w kilka nanosekund).

A ja mam PFC totem-pole z 600-900V na wyjściu, by móc nie stosować kondensatorów elektrolitycznych. Ta przetwornica (~40W, mam różne warianty) odpowiada za wystartowanie całości i potem dostarcza zasilanie do priorytyzera. Jest wybierana jako druga, gdy główna przetwornica rezonansowa jest wyłączona z powodu małego zapotrzebowania na energię lub doszło do awarii. Trzecia w kolejności jest bateria akumulatorów, czwarta, jako last resort, wbudowana bateria litowo-chlorkowo-tionylowa firmy Tadiran o trwałości ~40 lat. Przetwornica wystartować musi od

120VDC i pracować poprawnie do 900V, więc flyback na takim właśnie tranzystorze jest rozwiązaniem idealnym. Tylko to jest akurat zastosowanie "niedomowe".

Pozdrawiam, Piotr

Reply to
Piotr Wyderski

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.