Mnóstwo kasy idzie ostatnio na badania nad SiC i GaN, więc zaczęły pojawiać się interesujące efekty. Na przykład to:
formatting link
1700V, 1 om i 450 miliomów. Nowością jest to, że są przystosowane do sterowania napięciem 0/12V, a nie -4/+20V, jak starsze modele, co bardzo komplikowało strukturę przetwornicy, zwłaszcza prostych flybacków. Vth też podnieśli z 1.5V do 4.5V, więc budżet na zakłócenia wygląda rozsądnie.
Od strony bramki przypominają krzemowe MOSFETy, a od strony drenu mają absurdalne osiągi SiC. Bardzo mi to uprości jeden projekt, więc infomuję, że już takie cuda są, bo może się to komuś przyda.
Pozdrawiam, Piotr