Tranzystory przelaczajce

Oprócz małych pojemności i małej rbb' (ale to i w normalnych tranzystorach w-cz jest) konstrukcja przyspieszająca wyjście z głębokiego nasycenia. Nie pamiętam szczegółów, chodzi o poziomy domieszkowania poszczególnych warstw i pewnie złota dużo wdyfundowanego żeby czas życia nośników zminimalizować. Ale jakie są tego konsekwencje to nie pamiętam. Pewnie beta mniejsza i może szumy większe. Ale z tym to już zmyślam, nie pamiętam.

Pamiętam że z tricków mających przyspieszyć wyłączanie jest układanie metalizacji w ten spośóba by się tworzyła dioda Schottky'ego pomiędzy C i B skierowana tak aby w zatkaniu bądź pracy aktywnej nie przewodziła a w nasyceniu przewodziła. Po szybkim dojściu do nasycenia wymuszonego dużym przesterowaniem przewodzi część prądu bazy zmniejszajac przesterowanie i uniemożliwiając głębokie nasycenie z którego tranzystor wygrzebuje się długo.

TP.

U¿ytkownik "nikl" snipped-for-privacy@op.pl napisa³ w wiadomo¶ci news:cv5kgk$ks8$ snipped-for-privacy@nemesis.news.tpi.pl

IIRC(!) przede wszystkim jak najmniejszy czas magazynowania no¶ników w bazie. Za³ó¿my, ¿e mamy nasycany klucz tranzystorowy. W stanie nasycenia, w bazie tranzystora gromadzi siê du¿y ³adunek wstrzykniêtych no¶ników mniejszo¶ciowych. Po wy³±czeniu sygna³u steruj±cego, zanim tranzystor siê wy³±czy, to te no¶niki musz± siê gdzie¶ podziaæ. Czê¶æ rekombinuje, czê¶æ jest odprowadzana w postaci wstecznego pr±du bazy. Im krócej bêdzie trwa³o usuwanie tego ³adunku, tym krótszy bêdzie czas przeci±gania przy wy³aczaniu.

Z marszu nie powiem na czym polegaj± róznice konstrukcyjne. Od tranzystora prze³±czaj±cego nie wymagamy du¿ych wsp. wzmocnienia, wiêc prawdopodobnie mo¿na manewrowaæ, profilami domieszkowania odpowiadaj±cymi za wbudowane pole elektryczne unosz±ce no¶niki w kierunku kolektora, czasem ¿ycia no¶ników itd.