Zener oder Transzorb?

Moin!

50mW sind keine Energie.

Dazu gibt es nur zwei Möglichkeiten: a) in Wärme umwandeln b) anderweitig abschieben

Wenn Lösung b (Rückspeisung) nicht geht, dann musst Du die Energie verheizen. Ob Deine Heizung nun Transzorb, Z-Diode oder Widerstand heißt, ist der Energie völlig egal, sie macht die gleiche Wärme auf Deinem Quadratzentimeter. Wenn Du damit ein Problem hast, dann hast Du damit ein Problem.

Es gibt sogar Widerstände in SMD.

Gruß, Michael.

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Michael Eggert
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Moin!

Der Strom durch den Transistor, ja. Dafür fließt er nicht durch die Diode weiter. Ob er durch durch die Diode oder durch den Transistor abklingen darf, ändert bei gleicher Spannung rein gar nix am Zeitverhalten.

di/dt = 500mA/3ms = 167A/s

U = L * di/dt = 410mH * 167A/s = 70V.

Das heißt, wenn Du in 0,3ms die 0,5A aus den 410mA haben willst, dann _musst_ Du währenddessen im Mittel 70V wegstecken. Punkt.

P = 0,5A * 70V = 35W. Nochn Punkt.

Diode + Widerstand: Sehr robust, aber ohmsche Last -> Strom nimmt exponentiell ab -> Du brauchst 100V Anfangsspannung, um auf Deine mittleren 70V zu kommen.

Z-Diode: Schluckt konstante Spannung, Strom nimmt linear ab, damit bleibts bei den 70V. Aber 35W in einer Z-Diode zu verbraten ist nicht schön, auch wenns nur kurz ist.

Z-Diode steuert Transistor: Schluckt konstante Spannung, Strom nimmt linear ab, damit bleibts bei den 70V. Nen Transistor hast Du sowieso. Den gegen einen zu tauschen, der die 35W peak wegsteckt, und ihn mit einer kleinen Z-Diode aufzusteuern, nimmt vermutlich weniger Platz weg als eine dicke Z-Diode, die die 35W könnte.

Gruß, Michael.

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Michael Eggert

Sag das aber nicht wenn eine Laserdiode zuhoert :-)

[...]
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Gruesse, Joerg

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Joerg

Moin!

Wieso? Kennen die den Unterschied zwischen Leistung und Energie auch nicht?

Gruß, Michael.

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Michael Eggert

Oh, wie peinlich, wie konnte ich das uebersehen ...

Obwohl, in der Finanzwelt koennte man schon manchmal meinen, dass es keinen Unterschied zwischen solchen Groessen gibt. Zumindest nicht bei den Options-Zockern.

--
Gruesse, Joerg

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Joerg

Moin!

Ergänzung: Ja, ich weiß, daß Michael W. auch nie den Begriff "Energie" benutzt hat - die Spule speichert aber nunmal ebensolche, und keine Leistung. Die Leistung, um die Energie binnen der geforderten Zeit abzubauen, übersteigt die 50mW dann auch um ein Vielfaches.

In der Presse gewöhnlich auch nicht.

Gruß, Michael.

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Michael Eggert
*Winfried Salomon* wrote on Sat, 09-07-25 22:43:

Noch besser eine Zenerdiode - beim R fällt die Bremsspannung unnötigerweise schnell ab.

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Axel Berger

Michael Eggert schrieb:

"Die abzubauende Energie ist lt. Kunden pro Schaltvorgang ca. 50mW, es wird max. 1 mal pro Sekunden geschalten, üblicherweise langsamer."

Gruß Dieter

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Dieter Wiedmann

Hallo Michael,

IMHO falsch gerechnet. Diese 35 W sind nicht das Thema, es stellt sich bei so kurzen und seltenen Impulsen Die Frage nach der Tempraturkapazität des Elementes, das die Energie in Wärme umsetzen muss. Da sind die Zener und Transzorbs eben eher schwach aufgestellt. Deren Silizium ist vergleichsweise klein, da sollte das des Transistors schon größer sein. Hier wird also die Temperaturerhöhung kleiner ausfallen. da die Mittlere leistung bei unter 50 mW bleiben sollte ist eine dauerhafte Temperaturerhöhung nicht anzunehmen und auch der Wärmewiderstand eher vernachlässigbar. Die Temperaturerhöhung in der Impulsdauer macht die mechanische Spannung aus, die ist letztlich für die Begrenzung der Lebensdauer im System verantwortlich.

man Avalanceenergie. Manchmal findet man Hinweise in den Diagrammen, in denen die Belastbarkeit in Abhängigkeit der Impulsbreite und der Umgebungstemperatur skizziert ist.

Bis auf den Denkfehler mit den 35 W stimme ich Dir zu.

Marte

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Marte Schwarz

Moin!

Es ist die Pulsleistung.

Ja genau. Auf der ersten Seite im Datenblatt findet man

- die Spannungsfestigkeit und

- den maximalen Pulsstrom.

Dummerweise heißt das nicht, daß das Bauteil auch den maximalen Pulsstrom _bei_ der maximalen Spannung verträgt. Was er wirklich kann, steht weiter hinten im Datenblatt unter "safe operating area" als Funktion des Stroms, der Spannung und der Pulsdauer. Die Graphen dort entstehen ja genau aus der Pulsleistung und dem thermischen Ersatzschaltbild (mehrere Temperaturkapazitäten und

-Leitwerte).

35W peak hab ich geschrieben. 35W Dauerleistung wären sowieso nicht von nem Quadratzentimeter Platine wegzubekommen.

Gruß, Michael.

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Michael Eggert

Der gefällt mir. Wir haben in unserem Design den BTS4880 / VN808 verbaut, und irgendjemand hat gemeint, er könne den empfohlenen Widerstand in der negativen Versorgungsspannung weglassen - prompt sterben die Dinger nach paar zigtausend Schaltspielen bei induktiver Last :-( Naja, nun isser drin, der Widerstand...

-ras

--

Ralph A. Schmid

http://www.dk5ras.de/ http://www.db0fue.de/
http://www.bclog.de/
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Ralph A. Schmid, dk5ras

Hi Michael,

Klar ist das die Pulsleistung, nur interessiert die in der Regel hier niemenden, weil sie zu nichts zu gebrauchen ist. Hier interessiert die Impulsenergie, sonst recht wenig.

Genau das. Wenn man dann auch viele Schaltzyklen garantieren mag, hält man noch ein bischen mehr Abstand zu dem, was das Teil kann, dann schläft es sich einfach ruhiger.

Die 35 W peak an sich hatte ich ja nie bestritten, nur dessen Sinn.

Marte

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Marte Schwarz

Hallo Michael.

Suppressordioden sind eigentlich nichts anderes als Z-Dioden, die etwas flotter sind, und besser Pulsleistungen in Ihrem Body wegstecken k=F6nnen. Daf=FCr sind sie nicht so genau in der Schwelle. Halbleiter altern sehr, je heisser sie werden. Wenn Du die Diode (egal ob Suppressor oder Z-Diode) so dimensionierst, das sie k=FChl bleibt, sehe ich da kein Problem. Die N=E4he einer Bremse mit Abw=E4rme k=F6nnte aber bedeuten, das die Eigenerw=E4rmung der Diode das kleinere Problem ist.....sowohl f=FCr Suppressor- als auch f=FCr Z-diode.

Das Altern von Varistoren dagegen ist bekannt und ber=FCchtigt.

Ich weiss ja nicht, was Du sonst noch auf der Platine hast, aber es k=F6nnte trickreich sein, mit einer Z-Diode (oder Suppressordiode) einen Transistor aufzumachen. Eventuell sogar einen schon vorhandenen....Vieleicht k=F6nntest Du ja auch eine Kombination aus Transistor und Widerstand nehmen. Der Transistor schaltet flott, und der Widerstand muss die W=E4rme ertragen.

Tipp: Wenn Du "wirklich" schnell hin und herschalten willst, w=E4re der Spulenantrieb m=F6glicherweise besser mit zwei Wicklungen ausgelegt. F=FCr jede Wirkrichtung eine. Ich f=FCrchte nur, das kommt beim derzeitigen Stand der Entwicklung wohl zu sp=E4t.....

Mit freundlichem Gru=DF: Bernd Wiebus alias dl1eic

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Wiebus

Hallo,

Na ja, sieht nett aus und hat allerlei Features. Aber für eine einfache Spulenansteuerung ist mir die FET/Transzorb-Lösung wesentlich lieber. So etwas läßt sich im Fehlerfalle mit Hausmitteln reparieren und erfordert keine Spezialbauteile, die es in ein paar Jahren nur noch bei Aasg^H^H^H^HBrokern zu kaufen gibt, und die man nur noch mit Spezialequipment löten kann.

Insbesondere im Automotive-Bereich ist die Tendenz, für relativ einfache Aufgaben irgendwelche komplexen Spezial-ICs einzusetzen, leider in Mode. Da wird dann, wie bei diesem IC, der Rückschlagimpuls der Induktivität an den angeschlossenen Controller weitergegeben. Zu groß ist die Versuchung, den eigentlich nur in der Fertigung stattfindenden Test der Induktivität ins Endprodukt zu verlagern und am Besten stets die Rückschlagdauer zu messen und einer Gut/Schlecht-Toleranzkurve zu unterwerfen. Das Ergebnis sind dann tolle Fehlermeldungen, leuchtende Störungsanzeigen und "Du mußt jetzt gleich zum Service"-Anzeigen incl. Motorsteuerungs-Notprogramm mit stark verringerter Leistung (ja, man soll ja WIRKLICH DRINGEND in die Werkstatt fahren und dort den Diagnoseadapter auch ohne Endergebnis finanzieren), nur weil der Rückschlagimpuls wegen etwas Feuchtigkeit im Steckverbinder mal grad nicht so hoch ausfällt wie unter den Laborbedingungen in der Entwicklung.

Man kann alles übertreiben... Ganz abgesehen davon ist die MOSFET/Transzorb-Lösung bei anständiger Dimensionierung m.E. genauso stabil (wenn auch nicht so High-Tech).

Tom

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Thomas Langhammer

Moin!

Hach ja, drei Uhr früh...

Gruß, Michael.

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Michael Eggert

Hallo Axel,

Axel Berger schrieb:

am günstigsten scheint hier der Vorschlag zu sein, bei einem MOSFET als Schalter einfach eine Z-Diode zwischen Drain und Gate zu legen, in Reihe dazu noch eine Diode, damit der MOSFET auch eingeschaltet werden kann. Wenn man Uds 84 V zuläßt, ist Id in 2.8 mS auf 0. Id fällt linear ab und Uds ist während der Abfallzeit konstant 84 V. Die Z-Diode wird praktisch nicht belastet, alles bleibt im Transistor.

mfg. Winfried

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Winfried Salomon

Danke an Alle für guten Input.

das Problem wird für`s erste mit einer Tranzzorb erschlagen, Kunde sieht am Oszi das alles gut geht und ist vorläufig damit zufrieden.

Es iwrd in einem weiteren Schritt dann eine Lösung gesucht, bei der 2 weitere Timinparameter angepaßt werden sollen und _da_ sind noch alle Lösunge möglich...

Grüße

- Michael Wieser

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Michael Wieser

Michael Eggert schrieb:

Meinst du den Ansteuertransistor? Bei 70V an der Spule hast du dann aber z.B. bei 24 V Versorgung 94 V am Transi und damit noch mehr Verlustleistung. Und der Strom fliesst in dieser Zeit über die Spannungsquelle weiter. Anti-Rückspeisung sozusagen.

--
mfg Rolf Bombach
Reply to
Rolf Bombach

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