Hallo
für ein über Spulen(magnete) betätigtes Bremsscheibe sollen die Abfallzeit optimiert werden, die übliche Freilaufdiode ist also nicht so der Hit, da das Magnetfeld zu langsam abklingt.
Kunde schlägt vor, parallel zum Transistor eine Transzorb (SMA oder SMB-Gehäuse) zu verwenden, die auf ca. 2/3 der Spannungsfestigkeit vom Transistor dimensioniert ist. Die abzubauende Energie ist lt. Kunden pro Schaltvorgang ca. 50mW, es wird max. 1 mal pro Sekunden geschalten, üblicherweise langsamer.
Ich bin von der Transzorgidee nicht sooo begeistert, da ich bei den geforderten Schaltspielen (10Mio) der Bremsscheibe so meine Bedenken habe, daß die Transzorb das auch aushält...
Transzorbs sind IIRC auf schnelles Schalten bei seltenen Überspannungen ausgelegt und haben Alterungstendenzen wenn eine bestimmte Menge Überspannungsableitungen erreicht wurden, (Derating über die Anzahl der max. zulässigen Pulse..., es gibt von AVX ein Paper in dieseRichtung)
eine "normale" Zener schaltet nicht so schnell, ich hab allerdings nirgendwo Hinweise bzw. Warnungen vor Änderungen der Parameter über die Nutzungshäufigkeit (Lebensdauer) gefunden. Das sagt aber auhc nicht viel aus.
Daher nun meine Frage - gibts Hinweise und Literatur über Derating von Zenerdioden bei der geplanten Anwendung als Schutz eines Transistors vor den Abschaltspitzen einer indukt. Last? Ich hab bei den üblichen Verdächtigen (Vishay...) nix gefunden.
Danke im Voraus
- Michael Wieser