Injection
Ja, allerdings h=E4ngt die Wahrscheinlichkeit dass ein Elektron durch das Dielektrikum tunnelt exponentiell vom Potentialunterschied ab. Ohne extern angelegtes Feld tunneln nur wenige Elektronen pro Jahr.
Dazu kenne ich keine genauen Daten, allerdings w=FCrde ich die Gefahr des Datenverlustes bei einem singul=E4ren Ereignis als geringer als z.B. beim DRAM einzustufen. Um im SiO2 einen leitf=E4higen Ionisierungskanal zu hinterlassen ben=F6tigt man wesentlich h=F6here Energien als bei einem PN-=DCbergang. Zus=E4tzlich wird bei neueren Flash-Prinzipien (Mirrorbit, NROM) die Ladung nicht mehr auf einem leitf=E4higen Gate, sondern in einem nicht leitf=E4higen Potentialtopf gespeichert (Si3N4). Es kann daher keine laterale Leitung stattfinden, so dass nur ein geringer Teil der Ladung abfliesst wenn ein Teil des Gates kurzgeschlossen wird.
Einige hundert bis wenige tausend Elektronen, was allerdings stark vom Technologieknoten und der verwendeten Technologie abh=E4ngt.