Hallo Ng,
muss ich etwas bestimmtes beachten, wenn ich an einem PNP Transistor am Collector eine höere Spannung haben kann als am Emitter (im ausgeschaltetem Zustand, kein Basisstrom)? In den Datenblättern ist dieser Fall (so etwas wie -Uce) nicht angegeben.
Gruß Arne
Sowas in der Art:?
--+--- 10V | | --+-- 5V | | | E R1 --B PNP | C | | | +------+ | RL | GND
Scheint nicht zweckmässig zu sein...
Man könnte eine Diode am Kollektor spendieren:
--+-- 5V | E --B PNP C | A K |
MfG JRD
Das nicht, aber -Ube. Und da die CB-Diode in der Richtung auf ist, ist der Wert übertragbar. Im Prinzip ist das OK, solange die Spannung klein ist. Da gehen üblicherweise nur weinige Volt.
Marcel
Am 26.03.2011 00:44, schrieb Arne Pagel:
Hallo,
das kann man doch auch austesten. Es kommt auch auf die Höhe der Spannung an
Möglicherweise kann sich eine Diodenstrecke öffnen oder der Transistor kann Zenern. Die dynamischen Eigenschaften können sich auch ändern (z.B. Schaltzeiten).
Bernd Mayer
Am 26.03.2011 09:12, schrieb Marcel Müller:
Wert übertragbar. Im
wenige Volt. da hast du recht, in vielen Datenblättern ist da von ~5V die Rede, auch bei Leistungstransistoren.
Danke für den Tipp
Gruß Arne
Am 26.03.2011 05:26, schrieb Rafael Deliano: > Sowas in der Art:?
--+--- 35V | S --G P-CH D | --+-- 20V| | | E | --B PNP | C | | | +------+ | RL | GND
Ja exakt so.
Aber wie Marcel schon schrieb, die Kollektor-Basis Diode wird natürlich leitend, und damit muss ich U Emitter-Basis beachten, endet oft bei 5V, was mir zu wenig ist.
Oder kennt jemand Transistoren die hier deutlich mehr zulassen? (Ic ~3A)
Interessanterweise funktioniert es mit Spice, entweder ist Ueb nicht modelliert oder ich hab noch nicht richtig "gemessen".
Gruß Arne
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