Hallo zusammen,
im Zusammenhang mit den Messungen an einem Schaltregler mit fiesem Charakter (anderes Posting) habe ich heute mal kurz über die Möglichkeiten sinniert, einfach und genau den Spannungsabfall an einem leitenden MOSFET zu messen. Eine einfache Desaturierungs-Erkennung habe ich schon öfter für MOSFETs und IGBTs realisiert, schnelle Hochvolt-Diode und schon war die Erkennung einfach. Aber wenn es nun darum geht, zB auf ein mV genau zu messen, fällt die Diode (ohne weitere Maßnahmen zumindest) flach. Eine Idee wäre eine S&H, gesteuert durch die Gateansteuerung oder über den Abfall der Drainspannung getriggert oder was auch immer, dann hätte man einen Mittelwert des Geschenens. Oder einen Peak-Detektor, der auf das Minimum achtet, logisch, gibt die bestmögliche Spannung. Am liebsten wäre mir inzwischen fast schon ein Schalter, ebenfalls durch Gatespannung oder durch das dU/dt zwischen Drain und Source gesteuert, der das Oszillographieren der D-S-Spannung zumindest vereinfachen würde.
Nicht falsch verstehen - ich möchte keine fertige Lösung präsentiert bekommen, sondern das Problem und die Möglichkeiten ein wenig andiskutieren.