es geht um folgenden Schwei=DFinverter: Rehm Booster 140 oder Format 140 Daten: Iprim ca. 15A, Isek max 140A, Zwischenkreis 310V, Usek ca. 20V, ohne PFC, Mosfet-Voll-Br=FCcke)
Defekt: in der Vollbr=FCcke zur Versorgung des Haupttrafos ist ein Mosfet hin. Die ganze Vollbr=FCcke mit etwas Ansteuerungselektronik ist eigentlich vergossen, hab das ganze aber aufgemacht und reingeguckt. Nun sagen die vom Schwei=DFger=E4tehersteller, dass das ganze vergossene Teil mehr kostet als ein neues Ger=E4t, womit wir beim Problem w=E4ren.
Ich suche jetzt also nach einer M=F6glichkeit, diesen "Klotz" zu ersetzen und selber was zu stricken. Welche MOSFETs kommen in Frage? IRFP360 hatte ich so gedacht. Kann: 23A 400V 250W 0,6Ohm Rdson (100=B0C)
W=FCrden dann bei 11A (RMS) ca. 72W Verlustleistung machen, dann nochmal ca. 50% wegen Vollbr=FCcke =3D 36Watt, der Irfp360 kann @
100=B0C noch 100W.
Oder kennt jemand bessere MOSFETs als Ersatz? Die original Fets haben ca. 108mm^2 DIE Fl=E4che.
da die MOSFETs in Reihe sind, d=FCrften die sich doch die Spannung teilen, also knapp 155V jeder. Habe PC ATX Netzteile gesehen, da war auch nur ein 400V Typ drin, eben auch f=FCr knappe 155V. Was ist den sonst =FCblich in diesem Bereich?
Schaltfrequenz ist knapp 67khz. Schaltverluste beiben denk ich unter/um 5Watt pro Fet. Man k=F6nnte ja Ersatzweise auch immer 2 Transen paralell schalten, so dass man insgesamt 8 hat. Das w=E4ren beim oben genannten dann schon 46A Dauerstrom. Verluste reduzieren sich auch pro Bauteil.
Der Hersteller hat sicher auch aus Platz-/Wirtschaftlichengr=FCnden zu einem solchen "Klotz" gegriffen. Die Nachbausicherheit kommt auch noch hinzu.
Auf wieviel V und A k=F6nnte denn der original MOSFET bei den DIE Ma=DFen ca. kommen?
Ihr k=F6nnt mir auch einen Vorschlag zur Reparatur machen. Andere Wege/Mittel m=F6glich? IGBTs? Kostenattraktivit=E4t?
PC-NTs sind üblicherweise Halbbrücke an gesplittetem Zwischenkreiselko.
Bei dem Strom? Sicher mehr!
Kann man so pauschal nicht sagen, aber in vergleichbarer Anwendung hab ich APT5010LVR genommen, 500V/47A. Beachte, dass die Brüder bei 67kHz ganz nett Steuerleistung brauchen.
Leg das mal auf den 15-20 fachen Spitzenstrom aus.
Spannung sollte mindestens ca. 800v sein. Achte auf Spitzen. D=E4mpferkreise mit schnellen Dioden nicht vergessen. Eventuell auch bei den Transistoren eine Diode zus=E4tzlich paralell r=FCber. die Body Dioden von Mosfets oder IGBTs sind teilweise erb=E4rmlich lahm.......
Du hast etwas wichtiges vergessen......die Frequenz, mit der der Inverter arbeitet. Danach richtet sich n=E4hmlich, ob Du Mosfets nehmen musst, oder IGBTs nehmen kannst.
Achte bei den IGBTs auch auf die Abschaltgeschwindigkeit......ein sind die viel Schneller...aber der Stromschwanz beim abschalten......
Kritisch ist auch das Treiben der Transistoren. Stichwort Gate Kapazit=E4t. Wie wird die high side getrieben? Mit separater Spannungsversorgung und Optokoppler oder Impuls=FCbertrager?
Ist das eine klassische Vollbr=FCcke oder arbeitet die im "quasi resonant Mode"? bei quasi resonant geht die drain-source Kapazit=E4t der Transistoren so weit mit in die Schaltung hinein, das Du den Serienkondensator eventuell ver=E4ndern musst.
Quasi Resonant meint hier, das der Prim=E4rkreis des Trafos aus einer Serienschaltung Trafoprim=E4rwicklung/Kondensator und oft noch einer separaten Streudrossel besteht. Die Resonanz bezieht sich dann nicht auf den Takt, mit dem der Inverter l=E4uft, sondern auf die Schaltereignisse.
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%20filetype%3Apdf%22 ist eine nette Lekt=FCre dazu. wenn der link nicht gehen sollte, suche bei google nach der Applikation "AND8043/D" als pdf-Datei. (von ON-Semiconductors). Gibt bessere, find ich aber nicht auf Anhieb.
Wenn so Endtransistoren durchbrennen, nehmen sie oft noch mehr mit. Kandidaten sind hier die Treiberkreise, aber auch die Messschaltung f=FCr den Prim=E4rstom. Wie messen die den denn? Mit Shunt (dann ist mit Sicherheit mehr kaputt), mit Trafostromwandler/Hilfswicklung im Invertertrafo (Nachteil, erwischt keine eventuellen Gleichstromkomponennten (S=E4ttigung!)), mit Hallsondenstromwandler (ideal, aber teuer und aufw=E4ndig).
Mach mal nen Testaufbau und schau, ob die Ansteuereinheit noch was sinnvolles rauswirft.....wenn die Ansteuersignale der Br=FCckenzweige schon zusehr voneinander Abweichen, ist mehr kaputt.
Mit freundlichem Gru=DF: Bernd Wiebus alias dl1eic
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Wollte ja die Kiste nicht neu erfinden, sondern nur den MOSFET ersetzen, was ja wegen dem vergossenen Modul schwierig m=F6glich ist.
siehe oben, 67khz ca.
Nach Aufmachen des Vergussteils kamen FZT651 (60V, NPN, 3A) zu Tage, welche von einem kleinen (ebenfalls vergossenen) Ringkern gespeist werden. Dran h=E4ngen noch ein paar Dioden, Widerst. und C's. Die FZTs steuern dann die Leistungs MOSFETs an. Das ist die Verschaltung im "Klotz", also 2 Kerne f=FCr 4 FZTs.
Der Klotz wird wiederum von 2 UC3708 (Dual Non-Inverting Power Driver) angesteuert. Gemessenens Signal (Rechteck, Oszi) sieht sehr sauber aus.
Also ist wohl alles bis zu den Ringkernen, welche auch als galvanische Trennung zw. Steuerung und Lastteil dienen, ok. FTZs und Co hab ich noch nicht weiter gepr=FCft, sehen aber erstmal ok aus. ;-) Werde mal ein Schaltbild zeichnen, zum besseren Verst=E4ndnis.
Der Trafo ist nur ein ca. 10x6x1cm gro=DFes Gebilde, welcher prim-seitig nur eine "Wicklung" und sek-seitig 2 hat. "Wicklung" deshalb, weil der Trafo scheinbar nur aus Kupferplatten besteht.
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