IRF1404 - Strombelastbarkeit Chip/Package

Naja, der 25°C Stromwert ist ohnehin immer theoretisch. (Btw., bei mir steht 162A)

Dann schalte doch einfach genügend kleine MOSFETs parallel. Das ist sowieso gutmütiger. Und MOSFETs lassen sich doch so gut parallelschalten. Mehr als 30-40A würde ich nicht dauerhaft durch ein TO220 jagen. Eine Hand voll IRFP3703 sollte doch ein paar hundert Ampere durchdrücken. Billiger ist es evtl. mehr kleinere zu nehmen. So ein Zehnerpack IRFP064N kostet nicht die Welt, und hält auch schon einiges aus. (RDSon ist allerdings nicht so der Brüller).

Gehen für den Zweck eigentlich auch IGBTs? (Nur so eine Idee)

Btw., ich habe schon Netzteile gesehen, die 600A bei Niederspannung mit

200 paralellgeschalteten Transistoren (BJ 1968) erzeugt haben. Und das auch noch auf 10^-5 langzeitstabil. War bestimmt 30 Jahre in Betrieb. Und in der Zeit hat es meines Wissens vielleicht zweimal die Transistorbank zerlegt. Allerdings war damals Wirkungsgrad kein Thema.

Marcel

auf

e)

stung

Anmerkung: Der Rdson des EinzelFETs ist nicht der Br=FCller stimmt, aber Du verringerst ja auch den Rdson wenn Du mehere FETs parallel schaltest ist doch ein angenehmer Nebeneffekt ;-) Dann kannste u.U. (!) auch schlechtere im Design verwenden, wird nochmals billiger.

Hallo Andreas,

Der Marketing-Schwurbelfaktor?

Selbst bei 75A wuerde ich keinen einzelnen TO-220 nehmen. Nur so zur Info: Bei meinem letzten Power-Projekt, wo bei Spitzenlast 100A rueber mussten, durfte zum Festmachen ein 1/2-Zoll Schraubenschluessel (etwa

13mm) gezueckt werden. Kleiner haette ich das nicht gemacht.

Wie schon vorgeschlagen, ordentlich parallelschalten. Wer Angst vor Uebergangsoszillationen hat, kann ja noch je einige zig Ohm pro Gate spendieren.

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Gruesse, Joerg

http://www.analogconsultants.com

Andreas Haimberger schrieb:

Crestfaktor! Und wer mit solchen Strömen rumspielen will, dem sollte das bekannt sein. Ansonsten empfiehlt sich Gehöhr- und Augenschutz, auch für Dritte.

Gruß Dieter

Dieter Wiedmann schrieb:

Es ist mir durchaus bekannt:

dass bei Wechselstromgleichrichtung auf Effektivwert und Spitzenwert von Spannung/Strom geachtet werden muss,

solch hohen Ströme in einem (selbstgebauten) Synchrongleichrichter nur mit Parallelschaltung mehrerer MOSFETs sinnvoll handhabbar sind, (*)

was bei solch leistungsfähigen Netzteilen im Falle von Kurzschlüssen oder Bauteilausfällen passieren kann, (**)

dass bei derartigen Strömen neben der thermischen/elektrischen Belastung der Bauteile auch mechanische Belastungen durch die EMK hinzukommen.

Meine ursprüngliche Fragestellung geht aber dahin, warum Bauteile mit Werten beworben werden, die sich dann bei näherem Studium des Datenblatts als vollkommen unrealistisch und praktisch nicht erreichbar herausstellen. Das selbst die gehäusespezifischen 75 A keine vernünftig verwendbare Dauerbelastbarkeit darstellen, ist mir auch klar.

(*) Realistisch erscheint mir (bei gewünschtem Nennstrom von etwa 300 A) eine Parallelschaltung von etwa 10 der HEXFETs, schon um die Verlustleistung herunterzudrücken.

(**) Als Trafo ist ein umgewickelter Schweisstrafo geplant, was eine Begrenzung des möglichen Kurzschlussstroms bewirken bzw. eine bequeme Regelung des Ausgangsstroms (in gewissen Grenzen) ermöglichen würde.

MfG, Andy

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Marcel Müller schrieb:

IGBT kann durchaus steilere Kennlinien haben als Mosfet, insbesondere bei höheren Spannungen. Im Datenblatt wird das gern als tieferer Innenwiderstand hingestellt (plus Unmenge an andern Vorteilen), dass dazu aber eine Verlustspannung von etwa 2 Dioden in Vorwärtsrichtung dazukommt, wird eher weggetarnt. Damit wär man wieder beim normalen Brückengleichrichter... IGBT ist eher was für höhere Spannungen. Neuere Generationen sind durchaus flott, womit ein früherer Nachteil zu Mosfet wegfällt.

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mfg Rolf Bombach

Äh, ja, logisch. Da hätte ich eigentlich selber drauf kommen müssen. Es ist ja letztlich eine Art Thyristor.

Marcel