Die superschnellen Photodioden-Empfänger von Femto sind auch in der ersten Stufe diskret aufgebaut.
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-- Kai-Martin Knaak http://lilalaser.de/blog
Nicht umsonst ist auch in der "richtigen" Hochfrequenztechnik in der Regel am Eingang noch ein diskretes Teil als Vorverstärker...
hui, da läßt sich ja was dran verdienen ;-). Aber eine solche Schaltung läßt sich nicht mal eben so auf Lochraster aufbauen :-).
Habe mal interessehalber etwas simuliert, mit handelsüblichen Transistoren in Basisschaltung wie BFT92 mit ft = 5 GHz erreicht man mit
40 pF der Diode eine risetime von 450 pS, mit Tricks wie Parallelschaltung aber nicht mehr unter 200 pS. Die Erhöhung von ft scheint hier nicht mehr entsprechend zu wirken, die Grenze muß wohl an der Eingangsimpedanz des Transistors liegen. Es könnte sein, daß man dafür speziell optimierte Transistoren bräuchte.Wenn die Diode weniger als 40 pF hätte, könnte man geringere Zeiten erreichen, aber über die Diode von Femto steht nichts Genaues drin. Allerdings wird bei Foto-PIN-Dioden die Kapazität bei kleiner Spannung größer.
Einen Großsignal-Verstärker dahinter zu setzten mit 2 GHz Bandbreite an
50 Ohm ist auch wieder eine Herausforderung, aber eine etwas andere. Dafür könnte es dann wieder fertige integrierte Lösungen geben, aber evtl. geht das auch diskret mit gängigen Transistoren.mfg. Winfried
Winfried Salomon schrieb:
Bei der Beobachtung von Nanosekundenpulsen mit PMT ist doch ein Vorverstärker idR überflüssig. Mit (früher) XP2020 oder heute moderneren PMTs erzielt man mit dem richtigen Spannungsteiler Linearität bis 200 mA Anodenstrom und höher. Damit hat man an 50 Ohm doch "beliebig" viel Signal.
-- mfg Rolf Bombach
Roland Damm schrieb:
Mit. Aber ob ich da 5V oder 24V nehme, das macht kaum was aus. Die I-Schicht wird grösser mit höherer Spannung, aber so gewaltig viel nimmt die Kapazität dabei nicht ab. Die SFH202 (oder so ähnlich, gab es mal bei C als Restposten) ist deutlich schneller, lohnt aber preislich dennoch für das gebotene nicht.
Früher gab es Dioden (auch Hamamatsu) die wollten
90 V und mehr für ihre Specs. Heute gibt es APDs mit 15V und die schnellen Dioden sind z.T. für 2 V spezifiziert. Fortschritt eben.
Keuch. Und da wird von PMTs abgeraten da zu teuer... Ich teste gerade die S5973 PIN Dioden, die sind zwar winzig, was aber bei meinen Lichtmengen egal ist.
1 GHz, 1.6 pF bei 3.3 V.-- mfg Rolf Bombach
soweit ich mich erinnere ging es nicht um Verstärkung, sondern um Integration. Es sollte damit wohl die Energie der Blitze erfaßt und anschließend digitalisiert werden. Einen derart schnellen Integrator mit OP zu bauen, ist wegen der Stabilitätsprobleme nicht so einfach. Auch hier müßte man mit der Basisschaltung eigentlich einfacher zum Ziel kommen. Heutzutage könnte es allerdings auch bessere OPs dafür geben. Es war aber nicht mein Projekt, deshalb habe ich weitere Einzelheiten nicht erfahren.
mfg. Winfried
Winfried Salomon schrieb:
Nun, 5 ns mal 200 mA sind 1 nC, oder 1 V an 1 nF. Da kann man direkt einen Kondensator als Integrator nehmen; der PMT ist eine extrem hochohmige Stromquelle. Mit einem Standard-FET-Opamp kann man dann die Spannung ohne nennenswerten Droop auslesen, jedenfalls in diesen Zeitbereichen. Speichern mittels LF398 oder andern trivial-S&H dauert allenfalls 10 us.
-- mfg Rolf Bombach
Rolf_Bombach schrieb:
Hallo,
was sind eigentlich PMTs? - Ich hab das gerade nicht parat.
TIA
Bernd Mayer
"Photo Multiplier Tube", in deutsch: "Sekundärelektronen - Vervielfacher"
Das macht aus wenigen Photonen einen Elektronen-Schwall.
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-- Kai-Martin Knaak http://lilalaser.de/blog
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