Frage zum BiPolar-Transistor im Sättigungbetrieb

"Stefan Oedenkoven" schrieb im Newsbeitrag news:d8234c$ts2$00$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Du glaubst auf Grund des verwendeten Modells vermutlich:

Von Basis nach Emitter liegt eine Diode und es fliesst nur Strom, wenn die Spannung an der Basis ca. 0.7V hoeher geht, als am Emitter. Nun denkst du, das die Spannung am Collektor zumindest hoeher sein muss, als die Spannung an der Basis, liegt doch die Basisschicht zwischen Emitter und Collektor, so wie hier,

Collector ??? (mehr als 0.7V.....) Basis 0.7V Emitter 0V

Aber Dotierung aendert die 'Spannung' der Schicht. Das ist wohl ein besseres Modell. Es ist so, als ob zwischen dem Basisanschluss des Transistors und der Schicht im Transistor eine kleine Batterie eingebaut ist, die -0.7V hat. Also liegt die Spannung (das Potential) an der Bais immer 0.7V tiefer, als du denkst. Versuchs mit der Vorstellung von Potentialen:

C B E

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Die Basis ist anders dotiert als Emiter und Collector, wenn alle Anschluesse des Transistors an 0V liegen, ist die Basis 0.7V negativer.

Collector ??? Basis aussen 0V innenn -0.7V Emitter 0V

Den Collektor schliesst du zwar meist an eine hohe Spannung an

C B E

Hi MaWin,

physikalisch

Das mit den Potentialen ist ja eine schöne Erklärung, aber physikalisch ist mir das leider nicht ganz klar. Nach der Diffusion an den P-N Übergängen müßten die Potentialdifferenzen doch wie folgt aussehen (alle Kontakte offen):

C B E _ _ ____/ ____ \____ _/ \_

In der Nähe der Übergänge jeweils Potentialanhebung/bzw. absenkung durch Diffusion mit Ladungsträgern von der Nachbarschicht. Aber dieses Potential kann doch nicht über eine ganze Schicht gleich sein, da sich ein elektrisches Feld während der Ladungsträgerdiffusion aufbaut, das eben dieser entgegenwirkt.

Vielleicht bin ich jetzt auch komplett bescheuert - aber vielleicht hilfst du mir den physikalischen Bezug zu deinem Modell zu finden?

Gruss, Stefan

"Stefan Oedenkoven" schrieb im Newsbeitrag news:d875r7$dal$05$ snipped-for-privacy@news.t-online.com...

Na ja, wie bei jedem Modell halt bloss ein Modell.

Noe.

Das ist zwar auch ein Modell, aber fuer einen anderen Effekt Raumladungszone.

Denk mal an Thermospannungen.

Kabel aus Kupfer verknotet mit Kabel aus Eisen.

Macht man nun eine Seite heiss, die andere bleibt kalt, fliesst Strom, weil an der Kontaktstelle = eine Thermospannug auftritt.

Macht man beide Seiten heiss, ist das Potential im Eisen anders als im Kupfer, an beiden Verbindungsstellung entstehen Thermospannungen, aber es flieyst kein Strom, weil die Thermospannung am einen Ende genau gleich gross und gleich gepolt ist wie die Spannung an der anderen Seite.

Es gibt also verschiedene Metalle mit verschiedenem Potential, die sogar nebeneinader existieren koennen ohne das Strom fliesst oder sich die Differenz sonstwie abbaut.

Nun denke das Kupfer waere P-dotiertes Silizium und das Eisen waere N dotiertes Silizium. Also koennen zwei Schichten unterschiedlich dotierten Schichten Siliziums mit unterschiedlichem Potential, doch im Transistor existieren. Die Anschluesse des Transistor aus Kupfer haben aber doch alle dasselbe Potential. Nach aussen ist keine Spannung messbar, weil die verscheidene dotierten Siliziumschichten eben genau ausgleichende 'Thermospannung'/Potentialunterschiede zu den Kontakten haben wie oben.

Ich denke also schon, das das Modell vorstellbar ist und bei der Erklaerung hilft.