Hi Leute, Ich bin auf der Suche nach einem 500V-Mosfet, den ich direkt mit einem Controllerport (5V) ansteuern kann. Vorwiderstand und Zehnerdiode am Gate habe ich mal eingeplant. Strom durch den FET: Max 300mA Schaltfrequenz
Hi Leute, Ich bin auf der Suche nach einem 500V-Mosfet, den ich direkt mit einem Controllerport (5V) ansteuern kann. Vorwiderstand und Zehnerdiode am Gate habe ich mal eingeplant. Strom durch den FET: Max 300mA Schaltfrequenz
Bei den meisten ist es wie beim BSP299 (500V), die Vgs Angaben der Marketingabteilung erhaerten sich in der Tabelle nicht. Und nur die Tabelle zaehlt, nicht die "typischen" Daten in den Diagrammen.
Ich wuerde das wie gehabt bipolar loesen, falls moeglich. Zetex FMMT459 oder so. Das kostet i.d.R. auch weniger in der Serie.
Bipolare habe ich zumindest bei Farnell (Newark) nur wenige gefunden. Wahrscheinlich fällt die Bedingung Logic-Level nun doch weg, da da noch eine Hardware-Verriegelung rein muss (nur Software ist an dieser Stelle zu unsicher).
"Michael Rübig" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@mid.individual.net...
Ueberleg einfach mal, WARUM es die nicht gibt: Damit ein FET 500V aushaelt, muessen die (Silizium-)Strukturen dicker sein. Damit ergeben sich hoehere (Leit-)Widerstaende. Wenn nun Strom fliesst, fliesst er von der inneren Zone des Source durch den Chip zum ausseren Anschluss der Source heisst. Ein MOSFET wird von der Strombelastbarkeit her so spezifiziert, das dieser Spannungsabfall, bei Maximalstrom, gerade der maximalen vom Gehaeuse abfuehrbaren Verlustleistung entspricht. Bei Hochvolt-MOSFETs ist es wegen des hoeheren Rdson wegen der dickeren Struktur es also eine hoeher Spannung bei geringerem Strom, als bei einem Niedervolt-MOSFET. Der hat einen geringeren Spannungsabfall. Wenn man nun die MOSFETs mit ihrem Uth so dotiert, das er moeglichst knapp ueber 0 liegt (also LogicLevel), so nuetzt das nichts, wenn der Bezugspunkt dieser Spannung, naemlich der internen Zone des Source schon einen erheblichen (im Vergleich zu Uth) Potentialunterschied (bei Maximalstrom) hat, wie der aeussere Bezugspunkt, naemlich der Source-Anschluss.
Und nun extra eine Hochvolt-Transistor zu bauen, der nur fuer wenige Milliampere spezifiziert ist, damit der Spannuungsabfall nicht so deutlich zu Uth hinzuaddiert, macht keinen Sinn. Was nicht heisst, das Infineon nicht solche Angaben ins Datenblatt schreibt...
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Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net
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Die schreiben nicht nur rein, die Ingenieure von Infineon haben das dann auch wahr gemacht:
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Ein 200V FET mit garantiertem Rdson bei 4.5V ist schon eine saubere Meisterleistung aus deutschen Landen. Beinahe so gut wie Luebecker Marzipan.
Nur den Vertrieb bekommen sie IMHO nicht auf die Reihe und das ist einfach traurig. Den BSP297 habe ich auf Prototypen ausprobiert, faehrt sich wie ein nagelneuer Daimler. Musste aber wegen Beschaffungsproblemen wieder vor die Tuer :-(
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