Interrupteur Relais VS Interrupteur Mosfet

Bonjour,

Je veux faire un interrupteur avec un transistor Mosfet pour remplacer un relais. Car la bobine du relais consomme beaucoup quand on utilise une batterie.

J'ai 9 questions sur les transistors Mosfet dans le premier message de cette page:

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Le fil bleu pâle sur l'image est relier à une broche digital qui fait 5V ou

0V. Le fil rouge sur l'image est relier à la broche 5V. Le fil noir sur l'image est relier à la broche GND.

Merci pour votre aide.

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dems
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"demss" a écrit dans le message de news: i8l0k9$9es$ snipped-for-privacy@news.nonsolonews.it...

bonsoir je n'ai pas tout lu, par contre je n'ai pas vu l'utilisation d'un relais avec la bobine alimentée par la batterie externe. la consommation de la bobine me semble faible par rapport au courant utilisé par le montage (4A), et la chute de tension aux bornes des contacts est nulle. on peut meme isoler galvaniquement si l'on veut.

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jlp

Merci jlp pour ton aide :)

Supposons que la carte Arduino est aussi alimenté par la batterie.

je fait ces recherches pour remplacer mon relais par un transistor Mosfet car j'ai montré mon projet à une personne dit ma dit que si je voulais économiser des milliampères de devais utiliser un Mosfet car ~100mA c'est beaucoup pour une batterie quand on utilise un relais.

J'ai trouver ce lien qui parle de la puissance à dissipée pour un Mosfet:

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-dudi-t376339.html

La formule est P = RDSon I²

Si j'utilise ce Mosfet:

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P = 0.0012 * 4² = 0.0192 Watts à dissiper I = 0.0192 / 8.4V = 0.002285 ampère

Alors pour le relais j'ai une perte d'intensité de ~100mA et pour le Mosfet j'ai une perte d'intensité de 2mA.

Mais calcule sont t-il correcte?

Et pour les pertes de commutation au switchon la formule est (Grossièrement Vds x Id /4 x temps de switchon)

8.4V * 4/4 * 0.000000069 seconde = 0.0000005796 Watt à dissiper

Et pour les pertes de commutation au switchoff la formule est (Grossièrement Vds x Id /4 x temps de switchoff)

8.4V * 4/4 * 0.000000094 seconde = 0.0000007896 Watt à dissiper

Je suis pas certain de bien comprendre et je suis pas certain d'avoir tous fait les calcules que je devais faire?

Merci pour votre aide!

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dems

Les 1,2mW c'est le RDSon du mosfet ? Si c'est ça, c'est ok et ça chauffera pas trop !

Pas trop pour la seconde partie. On peut dire que tu auras une surconsommation de l'ordre de 100mA pour le alimenter la bobine du relais. Mais il faut dire parler de chûte de tension dans le mosfet de U = R*I = 0,0012*4 = 4,8mV seulement, soit une perte de

0.0048/8,4=0.05% de la tension, et donc de l'énergie de la batterie ! (tout comme un régulateur de 5V sur une tension d'alim de 10V perds la moitié de l'énergie en chaleur)
--
cLx
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cLx

Merci beaucoup pour ton aide cLx! :D

Ici tu veux surement dire 1,2 milliOhms et non 1,2 milliWatt? Oui 1,2 milliOhms est le RDSon de ce Mosfet.

0.05 / 100 * 4 = 0.002 ampère (0.05% de 4A)

Alors pour le relais j'ai une perte d'intensité de ~100mA et pour le Mosfet j'ai une perte d'intensité de 2mA?

Je compend pas comment on calcule la perte d'intensité pour le Mosfet car j'arrive à la même réponce qu'avant.

Merci pour votre aide!

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dems

Oh oui, bien sûr !

C'est pas la même chose. Le relais consomme par la résistance de sa bobine, du coté de sa commande. Quand ça fonctionne, ça prend 100mA sur la batterie, mais ça a une faible résistance et donc quasiment pas de pertes sur le circuit de puissance (pour 4A entendons nous bien!).

Le mosfet, lui, a des pertes par effet joule. Il ne perds pas du COURANT pour sa commande (a régime établi) puisque que une fois la grille chargée, son courant est nul. Ses pertes sont en TENSION (parce que U=RI), et donc le courant sera le même (ou pratiquement ... et ça dépend de la charge), mais la tension délivrée sur la charge sera un peu plus petit : Uload = Ualim - IxRDSon

J'ai un peu de mal a rédiger, bonne nuit !

--
cLx
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cLx

Merci beaucoup cLx pour toute ces explications! :D

Pour les 2 plans que j'ai fait avec un Mosfet P-channel et un Mosfet N-channel sont t-il correcte (viable)? Les 2 plans sont dans le premier message de ce lien:

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Mais dans les plans je remplacerai les 2 Mosfets par ces Mosfets si-bas car il on un RDSon plus petit.

Mosfet P-channel:

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GE3CT-ND Mosfet N-channel:
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Et aussi si possible j'aimerais connaitre les réponces à mes 9 questions du premier message de ce lien:

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Merci pour votre aide!

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dems

Bonjour,

Désolé pour le problème de copier coller des adresses internet. Voici les adresses:

// Mon blog.

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//Mosfet P-channel.

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GE3CT-ND

//Mosfet N-channel.

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Merci pour votre aide!

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dems

Le 07/10/2010 19:39, demss a écrit :

Slt Demss !

j'ai jeté un oeil,sur ton montage, j'ai remarqué que les schémas ne sont pas identiques entre l'utilisation du relais et celui du mosfet, en effet avec le relais la masse de l'arduino n'est pas connectée à la masse de l'ensemble (projet / batterie) alors qu'avec le mosfet oui. Dans le cas de l'utilisation d'un fet canal N tu n'a plus d'isolation galvanique, et la masse du projet ne sera pas à 0V mais à une valeur: Rdson (fet) x I (projet. je ne peu pas te dire si ça passe ou non, je ne sais pas ce que c'est que ce module "projet". Si c'est important, il vaudra mieux opter pour un canal P. Pour être cohérent avec la version canal N il faudrait mettre une résistance de 220 ohms entre la 10K et le collecteur du 2N2222A, sa résistance de base pouvant être portée à une dizaine de Kohms. Crdlt !

Chab

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Chab

Merci beaucoup Chab pour ton aide! :D

J'ai relier la masse (projet / batterie) à la masse de l'Arduino car avec le Mosfet car je penses que j'étais oubligé de faire ça pour pas avoir de problème? Mais avec le relais j'était pas oubligé de faire ça?

Dans mon module "projet" il va y avoir:

-des microcontroleur ATMega328

-des régulateur de tension

-des capteurs en puce électronique comme Accéléromètre et Gyroscope.

-des résistances.

-des condansateurs

Comment faire les calcules pour savoir quelle résistance mettre comme la

10Kohms et la 220ohms?

Merci

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dems

Le MOS IXTH8P50 ne convient pas du tout. C'est un MOS haute tension (500v) avec un Rdson trés élevé de 1,2ohms. Pour 4A, la chute de tension sera de 4,8V et la puissance dissipée assez considérable environ 19,2W (il faudra un beau dissipateur). De plus ton montage ne semble pas permettre de polariserl a gate à 10V (je vois 7,5V dans le premier schéma) le Rdson sera donc encore beaucoup plus élevé. Le calcul des résistances n'est qu'un détail pour l'instant. Il faut d'abord trouver un autre MOS, par exemple un IXTA140P05T. Le Rdson est de 0,009ohms avec un tension de gate de 10V. Si tu ne dispose que de 7V le Rdson sera proche de 0.02ohms et à 5V il sera de 0,05ohms, cela reste encore jouable, avec des pertes inférieures à 1W.

"demss" a écrit dans le message de news: i8p3nl$bn4$ snipped-for-privacy@news.nonsolonews.it...

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FAB

Merci FAB pour ton aide! :D

Oui tu as raison c'est une erreur de ma part.

Dans le plan du Mosfet P-channel la Grille à une tension de 7.4V. Et dans le plan du Mosfet N-channel la Grille à une tension de 5V.

Pour le Mosfet N-channel j'aimerai bien alimenté la Grille à 3.3V avec un de ces Mosfets ( IRF7476 et Si4378). Et pour le Mosfet P-channel j'aimerai bien alimenté la Grille aussi à 7.4V avec ce Mosfets IRF7410GPbF.

J'aimerai aussi pour un autre projet avoir des Mosfets qui fonctionne sur 5V sur la Grille pour le Mosfet N-channel.

Que penses-tu des Mosfet que j'ai écrit?

Merci

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dems

Les MOS que tu sites on en effet une tension de commande assez faible, et c'est bien ce dont tu as besoin. Il me semble que les MOS dit à commande logique on un Rdson acceptable dés

2,5V. Chez International rectifier dans leur référence, il y la lettre L (Logique) comme le IRLZ44N par exemple.

"demss" a écrit dans le message de news: i8qs8h$87i$ snipped-for-privacy@news.nonsolonews.it...

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FAB

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