precisione drogaggio

"Sam_X" ha scritto_

Up.

Nessuno ne sa niente? Volendo, va bene anche un testo di riferimento, se non volete andare a cercare proprio la cifra.

Grazie ancora

Premetto che nn sono un esperto in materia, ma penso che la precisione per il drogaggio sia piuttosto elevata. Se ci pensi quello che =E8 + difficile da controllare non =E8 tanto il drogaggio ma la purezza del Si. Se costruisci la tua giunzione pn con Nd=3D10^-17 cm^-3 oppure con Nd=3D(10^17 + 0.000001*10^17) cm^-3 non cambia nulla dato che l'aggiunta di nuovi portatori pari a 0.000001*10^17 si confonde con l'intrinseco. Tieni presente che poi un wafer di silicio prima di giungere al prodotto finale subisce processi di lavorazione come lucidature , tagli , attacchi chimici e processi di annealing ....tutte cose che modificano le propriet=E0 elettriche del Si drogato e che per quanto possano essere raffinate influiscono molto di pi=F9 di un drogaggio non giusto alla 20 cifra decimale. Come scrivevo all'inizio, =E8 molto + importante avere un Si piu' puro invece: mi pare che un paio di anni fa fossero arrivati a 1 impurit=E0 per 10^7 atomi di Si, ora penso siano arrivati ad avere impurit=E0 per miliardo di atomi. Daltronde processi a 32nm come quelli dell'intel o con strutture ancora di minor dimensione a 22nm e cos=EC via, devono avere pochissime impurit=E0 proprio perch=E8 oramai si sta lavorando su strati atomici. Pensa cosa potrebbe accadere a un mosfet se nell'interfaccia dove verr=E0 a trovarsi il gate ci fosse un impurit=E0: nel momento in cui vai a crescere l'ossido per poi sopra depositarci uno strato metallico (contatto di G) l'impurit=E0 verrebbe inglobata nell'ossido cresciuto(viene "mangiato" Si per crescere l'ossido). Se il tuo mos lo fai con tecnologia da 1u non ti importa molto, ma se lo fai a 32nm ti importa eccome dato che hai uno strato di ossido sottilissimo ( parlano proprio di strati atomici (