Modello termico RC

La puoi calcolare sapendo la capacita` termica dei materiali e la loro massa.

In realta` quel modello e` abbastanza "primitivo", specie per le variazioni rapide della temperatura di giunzione non va bene.

La ragione e` che si tratta di un sistema distribuito, mentre il modello e` a parametri concentrati.

Si puo` ottenere una migliore approssimazione del comportamento del transistore se al posto di un RC se ne mettono 3 o 4 in cascata, con costanti di tempo Ri*Ci che crescono esponenzialmente dalla giunzione fino al case (ad esempio un ordine di grandezza almeno in piu` di tempo da un RC al successivo: il primo parte ad esempio con 1 us e l'ultimo arriva a 500ms), sia le resistenze che le capacita` aumentano con lo stesso rapporto (5 volte tano circa). La resistenza totale deve dare la resistenza del dispositivo, mentre per le capacita`, la cosa piu` facile e` mettere un gradino di "corrente" (potenza dissipata) sul lato giunzione e cambiare tutte le capacita` di uno stesso fattore finche' la salita di temperatura non diventa uguale a quella del data sheet (thermal impedance, guarda la curva chiamata single pulse o qualcosa del genere).

Se guardi quel grafico, vedi che la temperatura di giunzione con un gradino di potenza dissipata non sale esponenzialmente (come farebbe con un semplice RC), ma sale in modo proporzionale alla radice quadrata del tempo di applicazione del gradino. Questo comportamento e` abbastanza ben modellato usando le 3 o 4 celle RC scalate esponenzialmente come spiegato prima.

Per il dissipatore la cosa e` decisamente piu` complicata, perche' oltre ad essere un oggetto distribuito, ha anche un radffreddamento dall'ambiente che dipednde dal salto di temperatura.

Mi pare (ma non ne sono certo) che se ne fosse gia` parlato in passato, e che avessi dato qualche indicazione in proposito.