funzionamento elettrico memorie flash

Il giorno Fri, 15 Apr 2005 10:24:32 GMT, "sioen" ha scritto:

Le memorie flash come le Eprome le EEprom mantengono la memoria del dato confinando una carica sul gate isolato di un mosfet. Infatti per programmare un eprom occorre una tensione più alta per confinare la carica sul gate (una volta era 21V, poi 12V e sulle ultime eeprom o flash si usa un generatore di tensione di programmazione on chip).

Guarda questo file a pag 30 circa...

ciao. Stefano

"SB" ha scritto nel messaggio news: snipped-for-privacy@4ax.com...

Il generatore interno di tensione lo immaginavo ma non riuscivo a trovarne una conferma. Adesso devo capire, spero sia nel tuo link, come fanno a garantire la cancellazione nelle varie condizione operative.

Inoltre mi rimane il dubbio del tempo di ritenzione dei dati, ad esempio sul datasheet atmel AT45DB041 non vi e' traccia.

Vado grazie mille

ciao

Il giorno Fri, 15 Apr 2005 11:16:45 GMT, "sioen" ha scritto:

Mah, anni fa si parlava di 10 anni minimo sulle Eprom, io ho fuori schede con delle 27C256 che funzionano dal 1987.

Ho letto un articolo anni fa dove si parlava di varie cause della perdita di carica sul gate, tra cui i raggi cosmici, che a quote elevate sono molto più abbondanti.

C'è da dire che le vecchie Eprom usavano chip di silicio molto più grandi, quindi probabilmente la carica immagazzinata era di più. Non vorrei che con le Flash dell'ultima generazione con tecnologie sempre più spinte e gates più piccoli salti fuori un problema di ritenzione dati con gli anni.

ciao Stefano