Dissipazione in commutazione MOS

Stefano ha scritto:

posso

la potenza viene dissipata prevalentemente durante i transitori in quanto a mosfet chiuso la sua resistenza è molto bassa 84mOhm mentre quando è aperto non vi scorre corrente. Durante le commutazioni invece si passa per la regione lineare, nella quale per brevi istanti si ritrova a dissipare diversa potenza. Per ovviare al problema puoi:

Visto che sei a 1/4 di MHz io personalmente proverei a scendere un pò..

"ahrfukkio" ha scritto nel messaggio news:i2ore5$fr5$ snipped-for-privacy@news.newsland.it...

Purtroppo non posso ridurre la Fsw perchè gli induttori diventerebbero troppo ingombranti, i fronti dovrebbero già essere sufficientemente ripidi (almeno da simulazione ho 100ns fall e 200ns rise) e a pieno carico il D.C. non supera 0.8 (ho sempre più di 800ns su 4us di periodo). Quello che non mi spiego è perchè in simulazione il mos dissipa poco meno di un watt con il boost a pieno carico, mentre nella realtà con solo un decimo del carico massimo la potenza dissipata è molto più alta. Purtroppo non ho un oscilloscopio per capire cosa stia effettivamente accadendo sul circuito...sob :o( Potrebbero essere i condensatori di uscita???Sto usando degli MKS4 della Wima da 400V..ho paura che per le frequenze in gioco non si comportino a dovere.. BOooh..probabilmente mi dovrò rassegnare in attesa di uno strumento..

Cosi' a naso 100+200ns mi sembrano una enormita' a 250 kHz, sarebbero piu' adatti a 25 kHz... Pero' se dici che da simulazione dovrebbe dissipare poco la ragione sara' un'altra: direi che l'oscilloscopio e' indispensabile per una diagnosi. Azzardo una ipotesi: spesso nelle simulazioni non si considera o si sottostima l'induttanza di dispersione del trasformatore, col risultato che il circuito sembra funzionare con uno snubber sottodimensionato o addirittura senza. Nella realta' si trovano invece forti picchi di sovratensione che vengono clampati dal MOS, cui talvolta seguono dei ring paurosi; l'energia associata all'induttanza di dispersione, se non c'e' lo snubber o se il MOS e' piu' lento ad aprirsi del tempo di salita della tensione sulla L "snubberata", finisce dissipata dal MOS.

Ciao,

Ciao Se non vi sono ragioni particolari, io dividerei per 10 la frequenza.

Giorgio

Nella simulazione nessuno ti impedisce di mettere più parametri "reali" che puoi, in particolare riguardo al condensatore e al diodo boost

Prova a vedere se mettendo un po' di dati realistici la simulazione tende ad andare verso il comportamento del circuito reale. Se tra i dati del mos metti correttamente le capacità, comprese quelle di uscita (che si riportano sull'ingresso per effetto miller) vedrai anche se è necessario uno snubber e a che frequenza calcolarlo.

Ciao CG