Dissipazione in commutazione MOS

Stefano ha scritto:

posso

la potenza viene dissipata prevalentemente durante i transitori in quanto a mosfet chiuso la sua resistenza è molto bassa 84mOhm mentre quando è aperto non vi scorre corrente. Durante le commutazioni invece si passa per la regione lineare, nella quale per brevi istanti si ritrova a dissipare diversa potenza. Per ovviare al problema puoi:

1) diminuire la frequenza di commutazione 2) aumentare la ripidezza dei fronti di salita/discesa

Visto che sei a 1/4 di MHz io personalmente proverei a scendere un pò..

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Davide C.


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"ahrfukkio" ha scritto nel messaggio news:i2ore5$fr5$ snipped-for-privacy@news.newsland.it...

Purtroppo non posso ridurre la Fsw perchè gli induttori diventerebbero troppo ingombranti, i fronti dovrebbero già essere sufficientemente ripidi (almeno da simulazione ho 100ns fall e 200ns rise) e a pieno carico il D.C. non supera 0.8 (ho sempre più di 800ns su 4us di periodo). Quello che non mi spiego è perchè in simulazione il mos dissipa poco meno di un watt con il boost a pieno carico, mentre nella realtà con solo un decimo del carico massimo la potenza dissipata è molto più alta. Purtroppo non ho un oscilloscopio per capire cosa stia effettivamente accadendo sul circuito...sob :o( Potrebbero essere i condensatori di uscita???Sto usando degli MKS4 della Wima da 400V..ho paura che per le frequenze in gioco non si comportino a dovere.. BOooh..probabilmente mi dovrò rassegnare in attesa di uno strumento..

Cosi' a naso 100+200ns mi sembrano una enormita' a 250 kHz, sarebbero piu' adatti a 25 kHz... Pero' se dici che da simulazione dovrebbe dissipare poco la ragione sara' un'altra: direi che l'oscilloscopio e' indispensabile per una diagnosi. Azzardo una ipotesi: spesso nelle simulazioni non si considera o si sottostima l'induttanza di dispersione del trasformatore, col risultato che il circuito sembra funzionare con uno snubber sottodimensionato o addirittura senza. Nella realta' si trovano invece forti picchi di sovratensione che vengono clampati dal MOS, cui talvolta seguono dei ring paurosi; l'energia associata all'induttanza di dispersione, se non c'e' lo snubber o se il MOS e' piu' lento ad aprirsi del tempo di salita della tensione sulla L "snubberata", finisce dissipata dal MOS.

Ciao,

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RoV - IW3IPD
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Ciao Se non vi sono ragioni particolari, io dividerei per 10 la frequenza.

Giorgio

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non sono ancora SANto per e-mail

Nella simulazione nessuno ti impedisce di mettere più parametri "reali" che puoi, in particolare riguardo al condensatore e al diodo boost

Prova a vedere se mettendo un po' di dati realistici la simulazione tende ad andare verso il comportamento del circuito reale. Se tra i dati del mos metti correttamente le capacità, comprese quelle di uscita (che si riportano sull'ingresso per effetto miller) vedrai anche se è necessario uno snubber e a che frequenza calcolarlo.

Ciao CG