Credo che il problema che sto per presentare sia un classico ...
[FIDOCAD] MC 130 45 0 0 115 LI 150 45 150 40 LI 130 40 150 40 MC 150 35 3 0 010 LI 150 40 150 35 LI 130 40 130 45 LI 130 60 130 55 MC 135 60 2 1 420 MC 130 65 0 0 115 LI 130 65 130 60 LI 135 60 130 60 LI 150 50 150 45 LI 150 75 150 70 LI 150 100 150 95 MC 110 75 0 0 340 MC 130 95 0 0 040 MC 110 95 0 0 040 MC 105 70 1 0 115 LI 110 75 110 70 LI 110 70 105 70 TY 120 65 5 3 0 0 0 * 10k TY 120 45 5 3 0 0 0 * 10k MC 85 70 0 0 073 TY 70 65 5 3 0 0 0 * 0-5V TY 155 30 5 3 0 0 0 * +12V MC 150 115 0 0 040 MC 150 95 0 0 900 TY 160 105 5 3 0 0 0 * LOAD - about 50 W BE 140 75 145 80 150 75 155 80 BE 140 90 145 95 150 90 155 95 LI 160 50 150 50 SA 130 60 SA 150 50 SA 150 70 SA 150 40 TY 175 50 5 3 0 0 0 * FDB4020 MC 160 65 3 0 200 LI 150 70 160 70 LI 160 70 160 65 MC 175 85 3 0 210 LI 150 75 155 75 LI 160 75 165 75 LI 175 85 175 90 MC 175 90 0 0 040 TY 180 80 5 3 0 0 0 * ???Il MOSFET a canale P funge da interruttore per un carico da circa 50W. Visto che quest'ultimo =E8 collegato al circuito con diversi metri di filo, mi aspetto un comportamento di tipo induttivo. E arriviamo al problema: devo limitare i picchi di tensione in apertura e chiusura del MOS. In chiusura ( transistor in conduzione ) mi affido al diodo bulk del MOS ma in fase di spegnimento devo contenere la sovratensione negativa. Senza usare un TVS, =E8 possibile risolvere con un diodo connesso a massa (ovviamente di tipo opportuno, cio=E8 che sia veloce e supporti la corrente oltre che la dissipazione di potenza)? Grazie a tutti in anticipo.