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Applicazione TRIAC e corrente di holding

Salve a tutti. Sto realizzando un circuito simile a un dimmer ma con un comportamento leggermente differente. In pratica, dato un ritardo di fase impostabile, la tensione sul carico

*induttivo* deve essere applicata a partire dall'angolo specificato e poi deve essere mantenuta senza ulteriori distacchi. Quindi durante il primo periodo il circuito si comporta come un dimmer, poi no. Il circuito è stato realizzato con un triac abbastanza piccolo (attualmente un 8A) che chiude una delle due fasi portate al carico (fino a 300Vrms) pilotato da un micro.

Sorgono un paio di problemi.

1) risulta impossibile impostare un angolo di fase inferiore a 10-15 gradi elettrici (a seconda della tensione applicata) perchè la corrente impiega It qualche istante prima di superare la Ih (oltretutto essendo il carico induttivo è anche in ritardo rispetto alla tensione).

2) ad ogni passaggio per lo zero della tensione misurata sul carico, si rileva una zona morta in corrispondenza del passaggio della corrente per lo zero, zona che termina quando la corrente supera nuovamente la Ih.

Esistono soluzioni differenti all'adozione di un triac? In caso negativo, esiste qualche accorgimento (oltre ai filtri RC in parallelo al triac e ai carichi resistivi in parallelo al carico) per ridurre/eliminare questi inconvenienti?

Grazie mille!

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djordj
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Due mos in antiserie, oppure un mos e un ponte di diodi. Diventa un interruttore "ideale" devi solo fare attenzione a come lo piloti.

--

Franco

Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)
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Franco

sono giunto allo schema del dimmer a mosfet che ho sotto analisi. Eccolo

[FIDOCAD ] MC 115 65 0 0 410 MC 115 95 2 1 410 MC 130 30 0 0 900 LI 130 30 130 15 LI 130 15 35 15 LI 130 50 130 55 LI 130 75 130 85 LI 130 105 130 125 LI 130 125 40 125 LI 40 125 40 20 LI 40 20 15 20 LI 35 15 15 15 MC 5 15 0 0 073 MC 5 20 0 0 073 TY 5 25 5 3 0 0 0 * N TY 5 5 5 3 0 0 0 * L MC 105 65 3 0 115 MC 105 95 3 0 115 LI 105 65 100 65 LI 100 65 100 80 LI 100 80 100 95 LI 100 95 105 95 MC 85 80 3 0 115 MC 80 90 0 0 115 LI 95 80 100 80 LI 85 80 70 80 LI 80 90 80 80 LI 80 100 80 110 LI 80 110 140 110 LI 140 110 140 80 LI 140 80 130 80 SA 130 80 SA 100 80 SA 80 80 MC 60 80 0 0 073 TY 60 85 5 3 0 0 0 * uC TY 105 55 5 3 0 0 0 * 27k TY 105 85 5 3 0 0 0 * 27k TY 80 70 5 3 0 0 0 * 47k TY 65 95 5 3 0 0 0 * 100k

Ste

--

Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

Cosi` si accendono con caaaaaaalma e cooooooooomodo :) e non fanno casino sulle transizioni. Il riferimento del pilotaggio dove e` collegato?

--

Franco

Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)
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Franco

In questo caso però funzionerebbe anche per i 300Vrms? Hai qualche schema per favore?

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djordj

già

eh si...adesso mi sto preoccupando della dissipazione...con spice ho dei problemi a simulare i MOS (nonostante siano in libreria)...sai darmi una dritta per il calcolo della potenza da dissipare durante la transizione... ...sto guardando nei vecchi post perché ricordo che era girata una formula per le perdite di commutazione...ma google ha cambiato (in peggio) il motore dei gruppi e non ne vengo fuori.

Il riferimento è 1.4V sotto la massa del micro (ricavato con due diodi in serie). Questo perché i MOS in questione hanno la soglia che può raggiungere i 5.5V.

Ste

--

Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

Il giorno Mon, 12 Feb 2007 17:28:02 +0100, "PeSte" ha scritto:

Se li comandi a 50 Hz la dissipazione sui fronti è trascurabile, è dovuta solo alla RdsON.

Piuttosto, hai molta fiducia nei diodi tre D e S.

-- ciao Stefano

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SB

Potentia, ungula calculata, precisiora est.

V*I*tsw*fsw/k=Pd su un fronte. Tensione quando e` off per corrente quando e` on (subito prima di chiudersi e subito dopo che si e` chiuso) per tempo di apertura o chiusura, per frequenza di commutazione. k dipende dal carico: con carico induttivo vale 2, con carico resistivo vale di piu`.

Grazie!

--

Franco

Wovon man nicht sprechen kann, darüber muß man schweigen.
(L. Wittgenstein)
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Franco

uh? abbi pietà...esco dall'itis...facevo colazione con pane e limatura...

...a parte ciò...come mai non riesco a simulare i mos? si impalla tutto per errori di convergenza....spulciando nelle opzioni di orcad non ho trovato idee...mi piacerebbe risolvere il problema...

[...]

grazie

bello questo "vale di più"...beh...comincerò con il 2...se regge tutto avrò margine in più...che vale di più ;-)

Grazie a te

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

è quello che spero, ma voglio qualche numero a conforto...purtorppo non sto parlando di 10 pezzi :-)

già....è un punto su cui stare attenti...

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

SB wrote: [...]

stavo ragionando un po' sulle potenze da dissipare...mi domando una cosa. Dato il crt che ho postato i transistor hanno entrambi la Vgs>Vgs_ON quando voglio corrente nel carico.

Il MOS con Ids positiva dissiperà in ragione dell'effetto joule sulla sua Rds_on

Il MOS che lavora con Ids negativa come dissipa? Io sono portato a dire che comanda ancora la Rds_on e il diodo resta poco poco polarizzato direttamente e quindi la dissipazione è ancora per effetto joule...giusto?

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

Il giorno Tue, 13 Feb 2007 08:36:19 +0100, "PeSte" ha scritto:

Fai un calcolo approssimativo sulla potenza dissipata da un fronte di qualche µS ogni 20 mS.

Non si può fare un calcolo preciso perchè dipende anche dal punto della sinusoide in cui ti trovi quando commuti. A naso comunque un fattore < 1/1000 anche considerando il caso peggiore è abbastanza trascurabile.

-- ciao Stefano

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SB

Ciao Franco Questa e' la domanda !!!!!! E con un 220Vac in giro.... Ciao Giorgio

--
non sono ancora SANto per e-mail
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giorgiomontaguti

Il giorno Tue, 13 Feb 2007 09:22:18 +0100, "PeSte" ha scritto:

In teoria direi di si, ma in casi come questo per verificarlo mi fiderei solo di un buon oscilloscopio, non di un simulatore, anche perchè bisogna vedere come si comporta il riferimento in tutte le situazioni.

E la differenza tra la potenza dissipata dalla Rds_ON e dal diodo può essere notevole. Io prenderei in considerazione la possibilità di comandare i mos separatamente proprio per gestire da µP il transitorio nella commutazione tra i due, perchè il riferimento può spostarsi e causare problemi.

-- ciao Stefano

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SB

SB wrote: [...]

ecco...il punto è questo...devo valutare se la commutazione è così rapida... ...non so se hai seguito il discorso nel mio thread precedente, ma sul gate ho resistenze mooolto elevate per far commutare lentamente il mosfet

Ste

--

Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

SB wrote: [...]

sicuramente...per questo attendo i campioni e farò due misure.

mmh...ci devo pensare...comunque il micro ha risorse per farlo nell'eventualità

Ste

--

Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

ciao Giorgio, togliendo i fronzoli c'è resistenza+diodo+zener che fanno il

5V. La massa è sull'anodo dello zener. L'anodo dello zener, prima di richidersi sul neutro passa per due diodi in serie che generano il riferimento a -1.4V.

Ste

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Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

Il giorno Tue, 13 Feb 2007 12:07:06 +0100, "PeSte" ha scritto:

No, nonl'ho seguito, ma presumo che tu abbia ridotto i fronti per ridurre l'emissione irradiata e condotta. Bisogna stabilire un compromesso tra velocità di commutazione ed emissione, che è sempre presente dove ci sono una dI/dT e una dV/dT elevate, ma non puoi commutare troppo lentamente o rischi che nella zona lineare il mosfet si 'accenda'.

-- ciao Stefano

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SB

Il giorno Tue, 13 Feb 2007 12:55:27 +0100, SB ha scritto:

Visto con i miei occhi, per rallentare la commutazione di un mosfet in uno switching, che emetteva troppo uno 'sperimentatore' provava ad inserire dei condensatori sul gate, nonostante gli esprimessi le mie perplessità. Ad un certo punto un mosfet è diventato arancione, abbastanza strano perchè i mosfet non hanno brekdown secondario, credo che abbia dissipato una potenza istantanea elevatissima sul fronte facendolo lavorare in zona lineare a oltre

400 Vdc.

-- ciao Stefano

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SB

esperienza mistica quindi ;-)

sul discorso del compromesso concordo...dovrò andare in laboratorio prove con un trimmer sul gate...

Ste

--

Ogni problema complicato ha una soluzione semplice...per lo piu` sbagliata
[cit. Franco, i.h.e. 20.01.2007]
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PeSte

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