Zaczalem sie zastanawiac ... jak to jest ze w mosfecie dopuszczalne Ugs jest na przyklad 20V, a Ugd 500V ? Ksiazkowa konstrukcja jest dosc symetryczna - to skad roznice ?
J.
MOSFET
Jan 26, 2012
3 Replies
Być może rzeczywista konstrukcja ma się jednak trochę inaczej do książkowej...
U¿ytkownik "RoMan Mandziejewicz" napisa³ w Hello J.F,
Niewatpliwie, tym niemniej jeszcze VMOS sa w ksiazkach opisane i problem nadal widze, a w sumie - jakie by nie byly, to bramka musi byc blisko kanalu, a w kanale pelny zakres napiec.
J.
U¿ytkownik "J.F" <jfox snipped-for-privacy@poczta.onet.pl> napisa³ w wiadomo¶ci news:jfr9im$1rm$ snipped-for-privacy@inews.gazeta.pl...
Tutaj jest trochê lepszy rysunek
formatting link
ksi±¿kach reprodukuj± bardzo myl±ce uk³ady gdzie z lewej jest dren z prawej ¼ród³o czy na odwrót a bramka na tym wszystkim le¿y. Na rysunku z w.w. linku widaæ, ¿e pod bramk± jest nisko domieszkowany obszar N po³±czony z drenem - rok³ad ³adunku w tym obszarze przyjmuje na siebie Uds i pod sam± bramk± nie wystêpuje pe³ne napiêcie drenu. Przy otwieraniu tranzystora pod bramk± zaczyna siê tworzyæ obszar przewodz±cy pr±d ale bli¿ej mu do ¿ród³a (poprzez jakie¶ Rdson) i napiêcie pod powierzchni± bramki te¿ nie ro¶nie.
Join the Discussion
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Didn't find your answer?
Ask the community — no account required