Cześć. Jest taki schemat z tranzystorem MOSFET
- posted
13 years ago
Cześć. Jest taki schemat z tranzystorem MOSFET
Bierzesz karte katalogowa tego tranzystora, zakladasz konkretna rezystancje wyjscia [ha ha - a co jesli bedzie nieliniowe] i sobie z wykresow odszukujesz ile sie tam ustali.
Mosfety maja to progowe gorzej okreslone ale tez dosc wysokie,
J.
W dniu 2010-09-26 10:45, slawek7 pisze:
Przybliżone wzory na prąd drenu:
Raczej chodzi mi o wytłumaczeni skąd się bierze to że podłączając bramkę tak jak na tym rysunku napięcie wyjściowe będzie pomniejszone o to napięcie progowe tranzystora
W dniu 2010-09-26 10:45, slawek7 pisze:
Napięciowe prawo Kirchoffa?
- Załóżmy Uwe <= U_progowe. Uwy = 0. (prąd nie płynie)
- Uwe = U_progowe. Uwy nadal 0. (prąd dopiero zacznie płynąć)
- Uwe > U_progowe. - napięcie na bramce = Uwe. - napięcie między bramką a źródłem = U_progowe - napięcie na RL = Uwe - U_progowe.
Pozdrawiam,
Piotr
Otwarcie tranzystora zalezy od napiecia bramka-zrodlo.
Gdyby ten tranzystor byl calkowicie otwarty, to potencjal zrodla bylby prawie rowny napieciu zasilania i Ugs byloby bliskie zeru - a to przeciez znaczy ze tranzystor jest zamkniety.
Wytwarza sie wiec rownowaga - potencjal zrodla bedzie o tyle mniejszy od potencjalu bramki, ze tranzystor otworzy sie na tyle zeby przepuscic prad niezbedny do wytworzenia takiego wlasnie potencjalu zrodla :-)
W tranzystorach bipolarnych sprawa jest w miare prosta - zlacze p-n jest silnie nieliniowe i dla krzemu to napiecie wynosi praktycznie
0.6-0.7V.W tranzystorach polowych sprawa jest bardziej skomplikowana. Zlaczowe [FET, JFET] sa otwarte przy Ugs=0. Trzeba dopiero ujemnego napiecia na bramce [wzgledem S] zeby je zablokowac. Podobnie zachowuja sie lampy elektronowe.
MOSFET potrafia byc w wersji "zubażanej" [depletion mode]. One przy Ugs=0 sa polowicznie otwarte, i mozna je sterowac w obie strony.
Wiekszosc mosfetow jest jednak w wersji "wzbogacanej", gdzie do otwarcia jest wymagane pewne napiecie, nawet calkiem spore bo kilka do kilkunastu woltow do pelnego otwarcia.
J.
Mylisz się. Zależy od napięcia bramka - podłoże, źródło w ogólnym przypadku nie ma obowiązku być na potencjale podłoża byleby nie nastąpiło otwarcie złącza źródło - podłoże. Czasami wręcz stosuje się dodatkowe sterowanie potencjałem podłoża jako substytutu drugiej bramki.
Użytkownik ""Dariusz K. Ładziak"" snipped-for-privacy@neostrada.pl napisał Użytkownik J.F. napisał:
A da sie gdzies jeszcze dostac tranzystory z wyprowadzonym podlozem ?
J.
Użytkownik J.F. napisał:
Wewnątrz układu scalonego jak potrzebuję to mam...
To że ktoś źródło z podłożem zwarł to jest chwilowa zaszłość a nie zasada ogólna.
Dziękuję za pomoc. Mam jeszcze jedą prośbę. W tranzystorach MOSFET istnieje dioda. Podobno pasożytnicza. Możecie mi powiedzieć jak to na prawde z nią jest? Jakie ma parametry taka dioda, prąd napięcie? Czy to jest taka dioda krzemowa zwykła, czy ma właściwości diody zenera. Spotkałem różne opinie i różne zdania o tej diodzie. A skąd ona się bierze w tranzystorze?
Dziękuję za pomoc. Mam jeszcze jedą prośbę. W tranzystorach MOSFET istnieje dioda. Podobno pasożytnicza. Możecie mi powiedzieć jak to na prawde z nią jest? Jakie ma parametry taka dioda, prąd napięcie? Czy to jest taka dioda krzemowa zwykła, czy ma właściwości diody zenera. Spotkałem różne opinie i różne zdania o tej diodzie. A skąd ona się bierze w tranzystorze?
Użytkownik "slawek7" snipped-for-privacy@wp.pl napisał w
No masz
Jak sie S laczy z podlozem [bo tak chcemy], to powstaje zwykle zlacze p-n.
Niektorzy doradzaja uzycie jednak zewnetrznej diody.
No wiesz - to trudno odroznic. Diody Zenera na napiecie wyzsze od ~6V pracuja na przebiciu lawinowym, i w zwyklych diodach to tez ma miejsce :-)
Tak czy inaczej - jak tranzystor ma 100 czy wiecej V, to nie spodziewaj sie ze ta dioda przebije przy mniejszym napieciu.
J.
Napięcie zaporowe takiej diody to przecież maksymalne napięcie VDS. Prąd diody maksymalny jest często opisywany w dokumentacjach tranzystorów i zwykle jest porównywalny z prądem drenu maksymalnym, chociaż nie wiem jakim cudem :) Przykładowo IRLR3114Z: Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 130A
Continuous Source Current (Body Diode) 130A
Diode Forward Voltage max 1,3V@42A
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.