Napi?cie progowe tranzystora MOSFET

Cześć. Jest taki schemat z tranzystorem MOSFET

formatting link
Napięcie na RL czyli wyjściowe jest pomniejszone o napięcie progowe tranzystora. Niby to oczywiste bo aby pojawiło się napięcie na RL to tranzystor musi być otwarty Ale proszę wytłumaczcie mi to jak to analitycznie, jak to udowodnić ze tak musi być?

Reply to
slawek7
Loading thread data ...

Bierzesz karte katalogowa tego tranzystora, zakladasz konkretna rezystancje wyjscia [ha ha - a co jesli bedzie nieliniowe] i sobie z wykresow odszukujesz ile sie tam ustali.

Mosfety maja to progowe gorzej okreslone ale tez dosc wysokie,

J.

Reply to
J.F.

W dniu 2010-09-26 10:45, slawek7 pisze:

Przybliżone wzory na prąd drenu:

formatting link
powinno dać się wykazać.

Reply to
Andrzej W.

Raczej chodzi mi o wytłumaczeni skąd się bierze to że podłączając bramkę tak jak na tym rysunku napięcie wyjściowe będzie pomniejszone o to napięcie progowe tranzystora

Reply to
slawek7

W dniu 2010-09-26 10:45, slawek7 pisze:

Napięciowe prawo Kirchoffa?

- Załóżmy Uwe <= U_progowe. Uwy = 0. (prąd nie płynie)

- Uwe = U_progowe. Uwy nadal 0. (prąd dopiero zacznie płynąć)

- Uwe > U_progowe. - napięcie na bramce = Uwe. - napięcie między bramką a źródłem = U_progowe - napięcie na RL = Uwe - U_progowe.

Pozdrawiam,

Piotr

Reply to
RtB

Otwarcie tranzystora zalezy od napiecia bramka-zrodlo.

Gdyby ten tranzystor byl calkowicie otwarty, to potencjal zrodla bylby prawie rowny napieciu zasilania i Ugs byloby bliskie zeru - a to przeciez znaczy ze tranzystor jest zamkniety.

Wytwarza sie wiec rownowaga - potencjal zrodla bedzie o tyle mniejszy od potencjalu bramki, ze tranzystor otworzy sie na tyle zeby przepuscic prad niezbedny do wytworzenia takiego wlasnie potencjalu zrodla :-)

W tranzystorach bipolarnych sprawa jest w miare prosta - zlacze p-n jest silnie nieliniowe i dla krzemu to napiecie wynosi praktycznie

0.6-0.7V.

W tranzystorach polowych sprawa jest bardziej skomplikowana. Zlaczowe [FET, JFET] sa otwarte przy Ugs=0. Trzeba dopiero ujemnego napiecia na bramce [wzgledem S] zeby je zablokowac. Podobnie zachowuja sie lampy elektronowe.

MOSFET potrafia byc w wersji "zubażanej" [depletion mode]. One przy Ugs=0 sa polowicznie otwarte, i mozna je sterowac w obie strony.

Wiekszosc mosfetow jest jednak w wersji "wzbogacanej", gdzie do otwarcia jest wymagane pewne napiecie, nawet calkiem spore bo kilka do kilkunastu woltow do pelnego otwarcia.

J.

Reply to
J.F.

Mylisz się. Zależy od napięcia bramka - podłoże, źródło w ogólnym przypadku nie ma obowiązku być na potencjale podłoża byleby nie nastąpiło otwarcie złącza źródło - podłoże. Czasami wręcz stosuje się dodatkowe sterowanie potencjałem podłoża jako substytutu drugiej bramki.

Reply to
invalid unparseable

Użytkownik ""Dariusz K. Ładziak"" snipped-for-privacy@neostrada.pl napisał Użytkownik J.F. napisał:

A da sie gdzies jeszcze dostac tranzystory z wyprowadzonym podlozem ?

J.

Reply to
J.F.

Użytkownik J.F. napisał:

Wewnątrz układu scalonego jak potrzebuję to mam...

To że ktoś źródło z podłożem zwarł to jest chwilowa zaszłość a nie zasada ogólna.

Reply to
invalid unparseable

Dziękuję za pomoc. Mam jeszcze jedą prośbę. W tranzystorach MOSFET istnieje dioda. Podobno pasożytnicza. Możecie mi powiedzieć jak to na prawde z nią jest? Jakie ma parametry taka dioda, prąd napięcie? Czy to jest taka dioda krzemowa zwykła, czy ma właściwości diody zenera. Spotkałem różne opinie i różne zdania o tej diodzie. A skąd ona się bierze w tranzystorze?

Reply to
slawek7

Dziękuję za pomoc. Mam jeszcze jedą prośbę. W tranzystorach MOSFET istnieje dioda. Podobno pasożytnicza. Możecie mi powiedzieć jak to na prawde z nią jest? Jakie ma parametry taka dioda, prąd napięcie? Czy to jest taka dioda krzemowa zwykła, czy ma właściwości diody zenera. Spotkałem różne opinie i różne zdania o tej diodzie. A skąd ona się bierze w tranzystorze?

Reply to
slawek7

Użytkownik "slawek7" snipped-for-privacy@wp.pl napisał w

No masz

formatting link
rys 1 i 4.

Jak sie S laczy z podlozem [bo tak chcemy], to powstaje zwykle zlacze p-n.

Niektorzy doradzaja uzycie jednak zewnetrznej diody.

No wiesz - to trudno odroznic. Diody Zenera na napiecie wyzsze od ~6V pracuja na przebiciu lawinowym, i w zwyklych diodach to tez ma miejsce :-)

Tak czy inaczej - jak tranzystor ma 100 czy wiecej V, to nie spodziewaj sie ze ta dioda przebije przy mniejszym napieciu.

J.

Reply to
J.F.

Napięcie zaporowe takiej diody to przecież maksymalne napięcie VDS. Prąd diody maksymalny jest często opisywany w dokumentacjach tranzystorów i zwykle jest porównywalny z prądem drenu maksymalnym, chociaż nie wiem jakim cudem :) Przykładowo IRLR3114Z: Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 130A

Continuous Source Current (Body Diode) 130A

Diode Forward Voltage max 1,3V@42A

Reply to
EM

ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.