Czesc,
w tranzystorze IXTT1N450HV odleglosc po powierzchni obudowy miedzy drenem a zrodlem wynosi 5,6mm. Czy to aby nie za malo dla deklarowanego dopuszczalnego napiecia UDSmax=4,5kV? Dla porownania STFW4N150: 5,4mm przy 1,5kV. Gdzie jest haczyk?
Pozdrawiam, Maciek
W tym, że te 4.5kV może teoretycznie wytrzymać struktura. Ja bym nie odważył dać się więcej niż 2.8kV (500V/mm) i to w dobrych warunkach (brak kurzu i wilgoci).
W dniu 2014-03-19 10:47, RoMan Mandziejewicz pisze:
Odporność na kurz, wilgoć itp. można poprawić przez hermetyzację (zalanie żywicą) czy pokrycie lakierem.
W dniu środa, 19 marca 2014 10:47:08 UTC+1 użytkownik RoMan Mandziejewicz napisał:
Całość będę chciał polakierować właśnie dla lepszej izolacji ślizgowej. Napięcie do 3,5kV, ale 4,5kV traktuje jako napięcie "obliczeniowe" izolacji. Pomyślałem też, że może wyfrezowanie w płytce otworu odsłaniającego część padu drenowego a następnie polakierowanie go już po zmontowaniu poprawi sytuację. Co o tym myślicie? Ciekawostka, tutaj:
Maciek
ElectronDepot website is not affiliated with any of the manufacturers or service providers discussed here. All logos and trade names are the property of their respective owners.