Welche Eigenschaft zeichnet eigentlich IGBTs aus, die sie beim Einsatz in Wechselnrichtern zur ersten Wahl macht. Oder anders herum gefragt: Was schlie=DFt andere Nicht-IGBT Transistoren von dieser Anwendung aus? Das "isolierte Gate" und den kleinen Durchlasswiderstand h=E4tten ja auch MOSFETs. Gibt es IGBT-spezifische Probleme beim Einsatz derselben und wenn ja, welche?=20
Ein Problem ist in Hochleistungsumrichtern die zu geringe Spannungsfestigkeit der IGBTs. So ab 20 MW. Dann arbeitet man mit IGCTs. In alten Konzepten sogar noch mit R=F6hren ,-)
hth, Andreas
"Paul Rosen" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@4ax.com...
Nur die Tatsache, dass es keine ebenso leistungsstarken (spannungsfest und stramstabil) MOSFETs gibt, sonst wuerde man die nehmen. Jedes Jahr (mit steigender Leistungsfaehigkeit von MOSFETs) verschiebt sich also die Grenze, ab der man IGBTs verwenden muss, nach oben.
-- Manfred Winterhoff, reply-to invalid, use mawin at gmx dot net homepage: http://www.geocities.com/mwinterhoff/ de.sci.electronics FAQ: http://dse-faq.elektronik-kompendium.de/ Read 'Art of Electronics' Horowitz/Hill before you ask. Lese 'Hohe Schule der Elektronik 1+2' bevor du fragst.
Hallo Manfred,
Nicht wirklich. Was die MOSFET an Entwicklung machen, geht an den IGBT nicht vorbei. die werden dafür ständig schneller. Bei höhren Spannungen werden MOSFET eben zusehend hochohmiger und die Gatekapazitäten sprechen auch eine andere Sprache als die der IGBT. Der Preis ist dann eben irgendwann auch noch ein Argument. IGBT brauchen einfach weniger Si.
Marte
Ist dieser Satz am Ende verungl=FCckt oder sollte man sich unter "Si" etwas vorstellen k=F6nnen?
Hallo,
Paul Rosen schrieb:
nein
Silizium.
Gruß, Bernhard
Si: chemisches Symbol für das Element Silizium. Hauptschüler+ sollten es lt. Lehrplan kennen.
Gemeint war aber eigentlich wohl der Hauptkostenfaktor der Chipherstellung, die für eine bestimmte Funktionalität benötigte Chipfläche. Nicht das Silizium an sich ist das Problem, denn das gibt's wortwortlich "wie Sand am Meer". Was sie Sache so relevant macht, sind die hohen Aufwendungen, die nötig sind, um aus diesem Sand den Rohstoff für die Chipherstellung zu machen, hochreine Silizium-Wafer mit möglichst wenig Webfehlern in der kristallinen Feinstruktur.
Der Poster ging wohl davon aus, daß jeder, der sich auch nur halbwegs ernsthaft mit Elektronik beschäftigt, zumindest grob über den Herstellungsprozeß orientiert ist und somit in der Lage, das in Kurzfassung geschriebene zu verstehen. Zumindest in deinem Fall lag er wohl daneben...
Man spart Si und damit indirekt auch C und U, dabei schont man das H2O und das O2/N2. ;-)
-- mfg Rolf Bombach
Vielen Dank Bernhard,
Marte
Hi Rolf,
Nich vergessen, man spart ? und $ ;-) Und Buchstaben, damit Bytes, Bandbreite im Internet, Unsummen an Energie... und dann machen das einem die Rückfragen und den damit verbundenen Datenoverhead vielfach zunichte :-(
Marte
*die Hand vor den Kopf schlagend*
Sorry, ich habe in elektrischen Eigenschaften gew=FChlt und einfach nicht die Kurve zum N=E4chstliegenden, n=E4mlich zur Chemie und den Elementen gekriegt.
Trotzdem brauchst Du inzwischen mindestens 512MB an RAM, um Si zu schreiben. Sonst bleibt die Kiste haengen.
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
Die kosten aber weniger als die 16KB beim ersten ZX oder PET oder was da noch so war.
- Henry
-- www.ehydra.dyndns.info
Wenn einen das stört, dann nutzt man das falsche Betriebssystem.
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-- Kai-Martin Knaak http://lilalaser.de/blog
Da hat man nicht viel Auswahl, wenn man mit der Kiste Engineering machen muss und die Kunden einem alle moeglichen Formaten aufdruecken.
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
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