Spannungsfestigkeit Bipolartransistor

"Alexander Kästner" schrieb:

Natürlich nicht, sie ist genau -1 mal so hoch.:-)

Ich hab aber den Eindruck, dass du eigentlich was anderes meinst. Falls das eigentlich heissen sollte Uce(max) vs. Ucb(max), dann empfehle ich einen Blick ins Datenblatt eines HOT wie z.B. BU508A.

Gruß Dieter

Dieter Wiedmann wrote in news: snipped-for-privacy@t-online.de:

Quasi: [Uce(max)] = -[Uec(max)]

Gruß Alex

"Alexander Kästner" schrieb:

Falls Du dabei nur an die Beträge der Spannungen denkst und vorhast, z.B. bei einem NPN den Emitter positiv gegenüber dem Kollektor zu machen: vergiß es. Durchbruch der B-E Diode bei ein paar Volt.

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Dipl.-Ing. Tilmann Reh
Autometer GmbH Siegen - Elektronik nach Maß.
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In a world without walls and fences, who needs Windows and Gates ?
(Sun Microsystems)

Nein, normalerweise nicht. Man muss unterscheiden zwischen Uce0 und UceR, also ob die Basis unbeschaltet oder mit einem Widerstand zum Emitter verbunden ist. Das ist der Normal- betrieb eines Transistors und die Grenzwerte stehen in den Datenblättern.

Beim Anlegen der "falschen" Spannung wird ein Transistor viel früher durchbrechen. Ich habe des öfteren als Spannungsbegrenzer Kleinsignaltransistoren verbaut, bei denen die Basis mit dem Emitter verbunden waren. In der einen Richtung haben sie UceR von vielleicht 40V gehalten, in der anderen Polarität etwa

9...10V. Die verhalten sich wie eine Z-Diode, haben aber einen geringeren Reststrom, wenn die anliegende Spannung klein ist. Zum Begrenzen von Wechselspannung z.B. am Eingang eines Mikrofon- verstärkers habe ich solche Transistoren auch antiparallel geschaltet.

Norbert