Spannungsfestigkeit Bipolartransistor

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Hallo NG,

mal ne Frage.

Kann man davon ausgehen, dass bei Bipolartransistoren für die
Emitter-Kollektor-Spannung, die selben Grenzwerte gelten, wie
für die Kollektor-Emitter-Spannung?

Grüße Alex

Re: Spannungsfestigkeit Bipolartransistor
"Alexander Kästner" schrieb:

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Natürlich nicht, sie ist genau -1 mal so hoch.:-)

Ich hab aber den Eindruck, dass du eigentlich was anderes meinst. Falls
das eigentlich heissen sollte Uce(max) vs. Ucb(max), dann empfehle ich
einen Blick ins Datenblatt eines HOT wie z.B. BU508A.


Gruß Dieter

Re: Spannungsfestigkeit Bipolartransistor

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Quasi:  [Uce(max)] = -[Uec(max)]

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Gruß Alex

Re: Spannungsfestigkeit Bipolartransistor
"Alexander Kästner" schrieb:

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Falls Du dabei nur an die Beträge der Spannungen denkst und vorhast,
z.B. bei einem NPN den Emitter positiv gegenüber dem Kollektor zu
machen: vergiß es. Durchbruch der B-E Diode bei ein paar Volt.

--
Dipl.-Ing. Tilmann Reh
Autometer GmbH Siegen - Elektronik nach Maß.
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Re: Spannungsfestigkeit Bipolartransistor

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Nein, normalerweise nicht. Man muss unterscheiden zwischen
Uce0 und UceR, also ob die Basis unbeschaltet oder mit einem
Widerstand zum Emitter verbunden ist. Das ist der Normal-
betrieb eines Transistors und die Grenzwerte stehen in den
Datenblättern.

Beim Anlegen der "falschen" Spannung wird ein Transistor viel
früher durchbrechen. Ich habe des öfteren als Spannungsbegrenzer
Kleinsignaltransistoren verbaut, bei denen die Basis mit dem
Emitter verbunden waren. In der einen Richtung haben sie UceR
von vielleicht 40V gehalten, in der anderen Polarität etwa
9...10V. Die verhalten sich wie eine Z-Diode, haben aber einen
geringeren Reststrom, wenn die anliegende Spannung klein ist.
Zum Begrenzen von Wechselspannung z.B. am Eingang eines Mikrofon-
verstärkers habe ich solche Transistoren auch antiparallel geschaltet.

Norbert


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