Hallo,
wenn jemand einen aktuellen Überblick über die modernsten Power-MOS-FETs hat ( komp. Pärchen und/oder Treiber) würde mir das helfen. Die Auswahl ist groß.
Also was suche ich?
1.) Udsmax hinreichend groß für Leistungsendstufen ... 2.) Idmax, Amperes 3.) möglichst kleine Cgd und Cgs 4.) VerfügbarkeitIch hab' die freie Auswahl, die Schaltung kann noch angepasst werden.
Was ist da grade das "geilste" :-) ?
Danke Euch!
mfG Leo
Naja - in solch einem Fall gehe ich auf die Homepage meines Distributors geringstens Misstrauens, gehe die groben Randbedingungen ein und sortiere nach Preis und Verfügbarkeit. Danach gucke ich, welcher Typ mit mehr als
10k am Lager ist und wähle diesen aus.Viele Grüße, Martin L.
PS: Sehr schön finde ich die Fets, bei denen man direkt das Die auflötet weil die Bonddrahtimpedanz wegfällt. Dafür muss man aber reflow löten können.
Martin Laabs schrieb:
Bei Audio-Leistungs-MOSFETs? Macht die ausser Renesas überhaupt noch jemand?
Gruß Dieter
Am 27.08.2011 18:04, schrieb Leo Baumann:
Wenns eine komplemetäre Mosfetendstufe sein sollte, schau dir mal die Hexfets IRF540 und IRF9540 an. Problem ist das bei den P-Fets die Steilheit höchsten die Hälfte der N-Typen ist.
-- mfg hdw
Für Lineareinsatz sind die meisten modernen FET nicht mehr wirklich zu gebrauchen, die neuen Prozesse (Trench, Feldplatten-Trench,...) sind auf schnelles Schalten und wenig RDS,on gezüchtet.
Einfach mal im Datenblatt schauen, ob es überhaupt noch ein DC-SOA gibt bzw. wo selbiges aufhört...
ST macht glaub noch (neue) planare, sonst müsstest du eben auf alte Technologien gehen die noch laufen.
-- Gruesse, Stephan
Muesstest Du uns erstmal sagen wofuer die sind. Linearer Verstaerker fuer NF? KW? UKW? UHF?
Ich hatte mir gerade wieder fast die Zaehne ausgebissen bei einem Push-Pull Pulser, wollte diesen endlich mal komplementaer aufbauen. Nur rund 10V aber er muss das in gut einer Nanosekunde rumgerissen haben. Habe es wieder mit zwei N-Kanal FETs gemacht, in P-Kanal ist offenbar nichts weltbewegend neues dazugekommen.
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
Also ich habe schon oft TrenchFET linear eingesetzt, meist zum relativ langsamen Abfackeln von induktiver Umschaltenergie. Die SOA sieht da nicht unbedingt schlecht aus. Hier ist ein P-Kanal Beispiel, der schafft bei 50V Vds etliche Ampere im Dauerbetrieb:
Ist der SUM90P10 von Vishay, falls der Link nicht geht.
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
"Joerg" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@mid.individual.net...
Also ich hab mir ein neues Konzept für eine NF-Endstufe etwas aufwendigerer Art entwickelt. Ziel ist es eine NF-Endstufe fertig zu entwickeln, die erhöhte Anforderungen bezüglich Rauschen und extreme Anforderungen in Bezug auf Slew-Rate, obere Grenzfrequenz und Intermodulationen erfüllt. Das Ganze soll mit Treibern in Gate-Schaltung und richtigem Stromvermögen um die Cgd und Cgs zu bedienen erzwungen werden. Ich brauche 2 komplementäre MOS-FETs am Ende und nochmal 2*2 komplementäre Treiber, die auch schon Strom können. Also aufwendig, 2 Endstufentransistoren und 4 Treibertransistoren.
Da das was Gutes werden soll, werde ich Energie verschwenden, A-Betrieb, etwa 20 W an 8 Ohm, also mindestens etwa 20 V Udsmax für den Anfang und 2 A Id. Mich interessieren aber auch FETs für höhere Ausgangsleistungen im AB-Betrieb
Da soll es hingehen ...
Grüße Leo ...
Quatsch, verschrieben, 40 Volt Udsmax ...
[Allinger-Zensur]
:-)
Da muss ich passen. Die meisten halbwegs brauchbaren Power-FET Paare fuer so etwas gibt es hoechstens noch antiquarisch. IRF532 und 9532, aus dunkler Erinnerung. Alpha&Omega hat zwar auch einiges, jeoch in SMD Power-Pack, die sich zwar nach Power anhoeren aber bei weitem nicht soviel Energie wie TO220 oder TO3 abfackeln koennen.
Sowas bauen die Leute heutzutage in Class-D, die Puristen in AB2 oder A aber dann auch stilecht mit russischen Roehren. Letzteres macht bei einer Fete auch wesentlich mehr Eindruck :-)
-- Gruesse, Joerg http://www.analogconsultants.com/
... Röhren haben nur einen Vorteil, sieht klasse und mystisch aus, bringt aber Nischts :-)
mfG Leo
Oh mi Gawd, schon wieder einer, der zu lange auf den GEB-Seiten unterwegs war.
Der einzige Grund, FETs in NF-Endstufen zu verwenden ist die peinliche safe operating area von Bipolartransistoren bei wirklich hohen Spannungen, aber das hier ist ja wohl eher harmlos.
Wer sich 5 nF Gatekapazität * Millereffekt antut, ist an seinem Unglück selber schuld.
Aber Treiber müssen ja nicht unbedingt auch noch die Spannungsverstärkung machen, weswegen Gateschaltung eher contraindiziert ist. Und in die VAS-Stufe gehört eben eine Cascode.
(Gate-Schaltung: niedriger Eingangs-, hoher Ausgangswiderstand, nicht genau das, was man für 10 nF Last haben will)
Gruß, Gerhard
p.s.
Audio ist wie HF,nur ohne die Probleme.
gegen Kants selbst verschuldete Unmündigkeit: Douglas Self:
man sehe sich insbesondere seine gm-Messungen/Simulationen im Übernahme-Gebiet an. Class A ist Blödsinn, wenn sich im Übernahmegebiet plötzlich gm vedoppelt... und komplementäre p-/n-Kanal-Paare gibt's im wirklichen Leben eher nicht. D. Self hat auch eine interessante Website.
Das Buch von Bob Cordell ist vermutlich auch interessant, ich hab' ihn mal auf irgendeinem Webreflektor kennengelernt, hat einen rationalen Eindruck gemacht. Das Buch hab' ich aber (noch) nicht gelesen.
ON-Semi ThermalTrak, notfalls auch die Freunde ohne die Diode.
Nachdem ich das alles gesagt habe: ich hab' selber einen alten fetten Krell, Class A, war billig auf ebay, brauchte nur ein paar neue Elkos.... :-)
Eine Frage der Schaltungstechnik. Stromquelle als Treiber mit festem Gate (=Gate-Schaltung), angesteuert am Source. Wenn die Stromquelle, die die Cgd und Cgs bedient bereits RICHTIG Strom in beide Richtungen kann ist mir die Kapazität fürchterlich ergal. Glaub man ja nicht, das ich zu den Leuten gehöre, die von leistungsloser Ansteuerung von MOS-Fets träumen. Die Nanos da am Gate sind mir egal, die werden zugebraten mit Amperes :-). Nicht umsonst habe ich pro Endstufen-Transistor 2 Treibertransistoren ...
mfG Leo ...
... guck 'mal im aktuellen Tieze/Schenk, Kapitel Breitband-Leistungsverstärker und gib Deine gesammelten Werke über Röhren Eurem Pastor, zum Philosophieren :-)
:-) lg Leo ...
Der Leo halt, der ist insgesamt recht merkwürdig.
Gruß Dieter
Am 28.08.2011 08:02, schrieb Dieter Wiedmann:
MOSFed-Endstufen hatten mal Vorteile v. Bipolar. Aber heute... Und das Nahfeld von Strahlern scheint er auch zu ignorieren?
-- mfg hdw
Horst-D.Winzler schrieb:
Durchaus auch heute noch, Gerhard hats ja schon beschrieben unter welchen Umständen.
Gruß Dieter
Na ja, gerade Self finde ich in dieser Hinsicht nicht besonders ueberzeugend. Ist schon laenger her, dass ich seine Buecher gelesen habe. Falls mich meine Erinnerung truegt, darfst du mich gerne korrigieren :-) Das Problem bei Self's MOSFET Analyse ist, dass er die fast ausschliesslich auf SPICE Simulationen basiert. Da bin ich aus zwei Gruenden skeptisch, erstens benutzt er Modelle des 2SK134/2SJ49 ohne deren Herrkunft anzugeben. Ich habe mal das Netz und verschiedene Hersteller abgeklappert, ohne dass es mir gelungen waere SPICE Modelle aufzutreiben.
Es ist mir lediglich gelungen SPICE Modelle von BUZ90x aufzutreiben, die den Hitachis zum verwechseln aehneln. Allerdings ist deren Modell ein primitiver Subcircuit. Aussagen ueber den linearen Betrieb zu machen sind damit meines Erachtens nach unserioes. Insbesondere wenn du beruecksichtigst, dass das PSPICE MOSFET Modell zur Zeit von Self's Analyse kaum fuer lineare Analysen geeignet war.
Sprich ich bin skeptisch. Auch weil Self sich anderweitige Schnitzer zuzuschreiben har. Er schreibt zum Beispiel, dass der NE5532, die Doppelversion des NE5534 ist. Oder er hat/hatte mal eine Webseite, wo er OPs auf ihre Audiotauglichkeit testet. Da war er ueberrascht, dass der OPA277 sich nicht fuer Audio eignet, ein schneller Blick ins Datenblatt sollte das doch offensichtlich werden lassen.
Gruss Klaus
"Leo Baumann" schrieb im Newsbeitrag news:j3b4j2$btt$ snipped-for-privacy@solani.org...
Die de.sci.electronics FAQ:
Grund: Bei wirklicher Leistung muss man MOSFETs parallel schalten damit man genug Fläche hat, um die Wärme abzuführen, und dazu eignen sich nur MOSFETs mit niedriger Schwellspannung, weil sonst die Stromverteilung durch Source-Widerstände zu viel Leistung kostet.
Laterale MOSFETs haben niedrige Schwellspannung, daher sind sie für Audio-Leistung über 100W besonders geeigent.
Unter 100W braucht man keine Parallelschaltung, und dann tut es eigentlich jeder MOSFET, ausgesucht nach grösster SOA.
So wie ich deine natürlich erst nachträglich nachgelegte Begründung lese
suchst du überhaupt nicht das, was derzeit in Audioverstärkern üblich ist.
Ich verstehe nicht, was Komplentärtransistoren in einer Klasse A Endstufe sollen,
20V bei 2A Dauerstrom ergibt 40W, Peak-Strom wäre wohl 5A, ist also Klasse AB.Mir scheint, du suchst einfach einen aktuellen MOSFET mit niedriger Cg und hohem SOA-Bereich, zumindest über 20V/2A.
Das hier ist das über das du dir Gedanken machen musst:
MaWin schrieb:
Gruß Dieter
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