MOSFFETs enthalten typischerweise eine Diode in Sperrichtung. Deshalb
das nun vorteilhaft, weil ein eingeschalteter MOSFET einen geringeren Spannungsabfall als seine Diode haben kann, und damit weniger
DoDi
Ja klar, ausserdem hast du weniger Ansteuerverluste, mache ich deswegen so mit P-FETs.
Hans-Peter Diettrich schrieb:
-- mfg Rolf Bombach
Hallo Hans-Peter Diettrich,
Du schriebst am Wed, 9 Feb 2022 10:43:58 +0100:
So gesehen ist das eher nachteilig, aber eben notwendig, weil mit den
eine solche "Body"-Diode gefertigt werden. Das sind AFAIK aber nur
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ihnen die Stromrichtung zwischen Source und Drain egal ist, und sie in beiden Richtungen den selben ohmschen Widerstand haben?
DoDi
Am 11.02.2022 um 07:16 schrieb Hans-Peter Diettrich:
Bei vielen sFets und MOS-Fets ist das so. Oft wird im Datenblatt darauf hingewiesen.
So ist es, allerdings sind die P-FETs mittlerweile auch stark verbessert worden. Es ist so, dass P-FETs als Loadswitch hochliegend diskret
gleichzeitiger Entkopplung, sowie Verpolschutz.
Hallo Hans-Peter Diettrich,
Du schriebst am Fri, 11 Feb 2022 07:16:02 +0100:
p-Si deutlich geringer ist als die im n-Si.
sein, auch MOSFETs. Technisch sieht die Sache aber halt anders aus,
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