Frage: Unterschied Anstiegs- Abfallszeit Fotodiode ?

Hallo!

Warum ist die Anstiegs- bzw. Abfallszeit bei folgender Fotodiode so unterschiedlich?

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Kann die Abfallszeit durch eine Kaskodeschaltung vermindert werden?

Danke für Eure Hilfe! Mit freundlichen Grüßen Harald Noack

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Harald Noack
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Am 25.06.2010 16:08, schrieb Harald Noack:

Hallo,

die Kapazität und der Ersatzwiderstand der Diode ist ja nicht konstant sonder ändert sich dynamisch auch während dem Schalten.

Bernd Mayer

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Bernd Mayer

Am 25.06.2010 16:08, schrieb Harald Noack:

Hallo,

die Kapazität und der Ersatzwiderstand der Diode ist ja nicht konstant sondern ändert sich dynamisch auch während dem Schalten.

Bernd Mayer

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Bernd Mayer

Eher nicht. Es hat damit zu tun dass eine Photodiode eine "storage time" hat. Muesste in Deutsch Ladungstraegerlebensdauer oder so aehnlich heissen. In diesen Lehrgangsunterlagen wird es erklaert:

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Wenn Du was schnelles damit vorhast lohnt es sich die Dinger vorzuspannen. Damit wird zumindest die Kapazitaet geringer und das ist immer guenstig.

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Gruesse, Joerg

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Joerg

Hallo!

BFG540 als Kaskodetransistor und mit 18V vorspannen ?

Mit freundlichen Grüßen Harald Noack

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Harald Noack

18V haelt der nicht aus, aber man muss ja nur die PD vorspannen und wenn man aufpasst dass die Basis nie "abgeht" dann kann man den fuer eine Kaskode benutzen. Mache aber einen kleinen Widerstand (einige zig Ohm) in die Basis damit es nicht irgendwo bei einigen GHz unbemerkt singt.

Phil ist der Guru auf diesem Gebiet, ihn trifft man oefter in der s.e.design Gruppe:

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Was hast Du denn vor? Muss was rasantes sein, in 250 Pikosekunden fliesst nicht allzuviel Wasser den Rhein runter :-)

Hint: Thorlabs Sachen sind meist recht teuer. Man kann schnelle PDs ganz gut aus dem Telco Bereich besorgen. Da geht ja alle Nase lang einer pleite und dann gibt es einen Konkursmassenverkauf oder eine Auktion. Vieles davon wird danach auf EBay weiterverhoekert.

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Gruesse, Joerg

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Joerg

Hallo!

Abklingzeiten von Fluoreszenzfarbstoffen im Spektralbereich 500-1000nm ermitteln. tau~ 1-5ns

Telco Bereich ist 1300-1500nm ist zu tief im IR.

Muss mal fragen was die kostet:

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Kann man den BFG540 auch avalanchen lassen ? Brauche einen Laserdiodentreiber der mir ~100ps Halbwertsbreite Pulse oder kürzer liefert.

Mit freundlichen Grüßen Harald Noack

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Harald Noack

Koenntest Du die Storage Time nicht herauskalibrieren? Sie liegt ja immerhin nur bei einem Bruchteil der 1nsec. Fuer Serienfertigung ist das natuerlich Driss, aber kann man automatisieren.

Ok, da hatten wir Glueck, wir brauchten IR.

Oder mal EBay konsultieren. Kein Scherz, da haben wir schon Kartons voll von Fiber-Optics Kram bekommen fuer den Preis einer neuen Laserdiode. Alles originalverpackt in zugeschweissten Blister-Packs.

Geht vermutlich schon, doch die Frage ist wie lange er dabei leben wird, vor allem wenn Ihr ordentlich Kawumm dahinter braucht. Es nutzt Euch wahrscheinlich nichts wenn er ausleiert und man den jede Woche wechseln muesste. Als Alternative gibt es gibt noch einige Firmen die Step-Recovery Dioden herstellen. Allerdings alle in USA, wie es mit Export dieser Dinger steht weiss ich nicht. Manche sind nicht sehr teuer.

--
Gruesse, Joerg

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Joerg

Harald Noack schrieb:

Macht man das nicht mit Avalanchedioden und TCSPC? Oder, wer hat, gleich mit einer Streak-Camera? Mit letzterer hatte ich, IIRC, keine Probleme 100ps oder besser aufzulösen.

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mfg Rolf Bombach
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Rolf Bombach

Das ist ein ganz schön weiter Spektralbereich. Gerade bei langen Wällenlängen werden die meisten Photodioden _deutlich_ langsamer, da dann die Eindringtiefe der Strahlung groß wird und es u.U. recht lange dauern kann, bis die Elektron-Lochpaare zu den Elektroden diffundiert sind. Die Datenblatt-Anstiegszeiten machen deshalb weitab von der Spezifikationswellenlänge oft nur wenig Sinn.

Die kann ich weiterempfehlen, wenn auch bisher nur bis runter auf 852 nm benutzt; die Diode kostet etwas weniger als die Thorlabs-Diode. Die SMA- Version von Hamamatsu läßt sich direkt auf ein 12-GHz-Bias-Tee von Minicircuits schrauben und so gut montieren. Da die photoempfindliche Fläche ja recht klein ist, is gutes Fokussieren des Laserlichts auf den Sensor wichtig.

Den Frequenzgang einer solch schnellen Diode kann man am besten ausmessen, indem man zwei Laser auf die gleiche Diode gibt und dann die relative Frequenz durchfährt. Das Beatsignal läßt sich leicht über mehrere GHz verfahren, ohne daß die Licht/ und Modulationsintensität sich merklich ändert.

Gruß, Jürgen

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Jürgen Appel

Hallo!

Was war circa der Preis in Euro/Stück für die Fotodiode und das Bais-Tee ?

Ich brauche einen schnellen Anregungspuls mit 50-100mA Spitze für die Laserdiode (knapp unter der Laserschwelle gebaised.).

Mit freundlichen Grüßen Harald Noack

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Harald Noack
[...]

Das macht man i.a. so, dass eine Stromquelle 100mA in die Laserdiode rausgibt. Diese werden dann bis auf Zeiten dieses Pulses in einem gesteuerten Shunt-Transistor verbraten. Bei super-schnellen Pulsen sorgt man dafuer dass die Spannung ueber der Laserdiode nicht viel weiter als noetig abfallen kann (voltage clamping).

Die Steuerung erfolgt mit einem HF Transistor, der in Deinem Fall ein ft von etlichen zig GHz braucht. Die gibt es heutzutage von Firmen wie Infineon, NXP oder NEC/CEL zum kleinen Preis bis ueber 50GHz ft. Je nach dem was Deine Quelle an Ansteuerleistung hat brauchst Du zwei Stufen. Oder entsprechend schnelle Logik.

Oder direkt mit NBSG-Treibern wie dieser Serie, die etwa 30psec Transition Time schaffen:

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Z.B. kapazitiv einkoppeln. Aber diese Chips sind teuer, bei uns $30 bis $40 pro Stueck.

Hiermit koennte man sich wahrscheinlich einen Delay Line Pulsgenerator hinfriemeln, aber ein Chip allein kann eine 100mA LD schlecht treiben und dann muesste noch einer hinten dran:

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Bei 10GHz schlafft die Ausgangsamplitude stark ab, unter 200mV, d.h. Deine Bias-Spanung fuer die LD muesste schon recht genau sein. Und auf jeden Fall sauberst strombegrenzt. Der Aufbau solcher HF-Chosen will natuerlich gekonnt sein :-)

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Gruesse, Joerg

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Joerg

Hallo!

Ich wollte einen schnellen Transistor avalanchen lassen dann eine Diode als SRD zweckentfremden dann auf eine NLTL fahren um die vordere Flanke weiter zu versteilern und dann auf einen Kurzschlussbügel, der die Pulslänge beschneidet. Denn ich brauche auch einen schnellen Spannungspulser (bis ~100V) um das Gate einer MCP anzusteuern (unter 1ns Pulsbreite, Pulsrate ein Pulser einsetzbar für Laserdiode und MCP.

Mit freundlichen Grüßen Harald Noack

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Harald Noack

Mit einer guten SRD brauchst Du eventuell keine NLTL, dann geht ein Stueck normales Koax.

Einen 100psec Puls koenntest Du vielleicht direkt mit den ganz schnellen Logik-Chips hinbekommen. Nicht ganz so zackig wie mit SRD, aber eine Laserdiode hat ja eine recht definierte Schwelle wo Lasing anfaengt.

Zetex bietet Transistoren die offiziell fuer Avalanche-Betrieb zugelassen sind, mit Lebensdauerangaben. Kann aber sein dass sie fuer Deinen Fall noch zu langsam sind.

Dann vielleicht im Bereich LDMOS umsehen. NXP hat gute, rueckt aber keine SPICE Modelle raus. Konkurrenz waere PolyFet auf unserer Seite, da bekommst Du SPICE Modelle, sind auf deren Web Server. Das hilft damit bei Versuchen weniger dieser Teile abfatzen, denn die sind teuer. Vorher aber nach eventuellen Exportbeschraenkungen fragen, nutzt ja nichts wenn Du die Super-Loesung auf dem Bildschirm hast und Ihr dann nicht an alle dafuer benoetigten Bauteile rankommt.

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Gruesse, Joerg

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Joerg

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