Marte Schwarz schrieb:
Hallo,
wenn man von einer Stromverstärkung von minimal 100 ausgeht, dann bewirken die Effekte durch den Basisstrom und den Eingangswiderstand des Transistors nur eine geringe Abweichung. Diese habe ich daher zum ersten Verständnis mal weggelassen.
Der FET hat eine Abschnürspannung von typisch 3 V, d.h. es fliessen im Ruhezustand maximal 3 mA durch Source, der Transistorstrom beträgt dann
2,4mA (3V- U_BE/100 Ohm) und der Basistrom ca.1/100 davon oder 24 µA d.h. annähernd 1% Abweichung vom ersten vereinfachten Modell."Erheblich" würde diesen Einfluss von maximal 1 % auf den Strom eher nicht nennen auch wenn der Transistor zur Gesamtfunktion wesentlich ist.
Wenn man die Schaltung mal aufgebaut und durchgemessen hat (ich habe das schon hinter mir) oder wenigstens mal eine Simulation dazu durchgeführt hat dann versteht man die Schaltung möglicherweise besser.
Für den Millereffekt ist AFAIK nicht die Konstanz der Drainspannung entscheidend sondern die Konstanz der Drain-Gate-Spannung wegen der Auswirkung auf die Drain-Gate-Kapazität. Die Eingangskapazität beim JFET hängt ähnlich wie bei einer Diode von der Sperrspannung ab.
Für den Arbeitspunkt des FET ist es auch egal ob der Spannungsabfall durch den Strom vom Sourcewiderstand alleine kommt oder durch den Strom vom Transistor (ohne Lastwiderstand wie im Schaltplan) bei einer bestimmten Spannung schnürt er halt ab, siehe das Datenblatt.
Möglicherweise ist eine weitere Diskussion mit Dir erst nach Abklingen der Grippe oder nach dem Aschermittwoch und nach Messungen oder einer Simulation der Schaltung sinnvoll.
Falls ich total daneben liege so bitte ich ergänzend um Meinungen von grippefreien Mitlesern.
Viele Wege führen nach Rom.
Bernd Mayer