Hallo!
Für eine Schaltung, die ich bauen werde, die im Thread "FET mit sehr kleiner Gate-Kapazität und sehr kleiner Miller-Kapazität gesucht" vor kurzem diskutiert wurde, möchte ich einen der folgenden N-channel dual-gate MOS-FETs, entweder BF998 oder BF991 verwenden.
Jetzt bin ich im Datenblatt über eine mir unverständliche Sache gestolpert:
Beide sind HF-Transistoren. Daher sollte die Eingangskapazität möglichst klein sein. Beide Transistoren verwenden das Gate2 für die Spannungsversorgung des Kaskodenteils (+4V). Die Eingangskapazität des Gate2 ist circa 1pF.
Das Gate1 wird als Eingang für die zu verstärkende HF benutzt. Die Eingangskapazität des Gate1 ist circa 2pF.
Frage: Warum ist die Eingangskapazität für den empfindlicheren Eingang doppelt so groß als für den anderen? Umgekehrt wäre doch besser, da die Kaskodespannungsversorgung ja niederohmig sein kann und daher eine größere Eingangskapazität nicht von Bedeutung ist.
Vielen Dank!
Mit freundlichen Grüßen, Harald Noack