FET Fehler

Hallo zusammen,

mich würde interessieren, welche Fehlerbilder typisch für einen p-Kanal MOSFET im Falle eines Fehlers sind. Ich kann mir folgende Fehlerbilder vorstellen:

- Keine Verbindung mehr zwischen Drain und Source

- Hochohmige Verbindung zwischen Drain und Source

- Kurzschluss zwischen Drain und Source

Welche Fehler treten typischerweise während des Betriebs auf (also bei angelegter DS-Spannung) und welche über Lebensdauer, also schon durch Lagerung. Kann mir vielleicht sogar jemand sagen, mit welcher Wahrscheinlichkeit was ungefähr (in ppm) auftritt.

Hoffentlich waren das jetzt nicht zu viele Fragen auf einmal.....

Gruß Matthias

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Matthias Eckel-Binder
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Vor der Montage in die Platine ist meist das Gate defekt, wegen der extremen Hochohmigkeit. Viele FETs haben deswegen eine Zenerdiode am Gate schon auf dem Chip. Im Betrieb bei Überlastung meist ein mehr-oder-weniger Kurzschluß zwischen D und S oder G und S. Selten kann auch einer der Bonddrähte sterben, dann wirds open. Naturgemäß ist hier das Gate selten betroffen. Wenn das Gate extrem schnell angesteuert wird bzw. extreme Stromspitzen über D-S geführt werden, dann kann der MOSFET auch innerlich teilsterben aufgrund der endlichen Laufzeiten auf dem Chip. Es werden dadurch Bereiche des FET während des Schaltens elektrisch abgekoppelt. Deswegen gibts u.a. auch MOSFETs für Hochfrequenzanwendungen. Also 500kHz aufwärts. Einer der Gründe für einen Gate-Vorwiderstand!

Wenn du mehr wissen willst, dann halt nochmal privat fragen.

Gruß - Henry

"Matthias Eckel-Binder" schrieb im Newsbeitrag news: snipped-for-privacy@40tude.net...

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Henry Kiefer

Danke für die Info!!

Gruß Matthias

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Matthias Eckel-Binder

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