FET 2N5434 - warum Gate an case

Mathias Weierganz schrieb:

Dieser JFET wird als Analogschalter vermarktet, da macht das schon Sinn, es liegt dann ja nur am Gate DC an.

Bevor ich dir da was empfehlen mag, will ich den Schaltplan sehen.

Gruß Dieter

Bei den meisten JFETs sind das Substrat und das Gate miteinander verbunden, damit man den Kanal von oben und unten in die Mangel nehmen kann. Wenn man den Chip dann in ein Metallgehäuse lötet, ist der Gateanschluss schon gemacht.

Bei Bipolartransistoren ist normalerweise der Collector das Substrat, damit ist er üblicherweise am Gehäuse.

In SOT-23-artigen Gehäusen ist das Gate dann meist der einzelne Pin, was deinen Absichten entgegen kommt. Die Kriechströme durch die Flußmittelreste unter dem SOT-23 können aber ein Problem sein. Sorgfätig waschen!

ohne dass ich mir den 2N5434 jetzt näher angesehen habe: Vishay-Siliconix SST310 oder NXP BF862? Sind zumindest gängig.

Gedacht ist der 2N5434 als "very low ON resistance switch". So wird er aber vermutlich nicht benutzt.

Gruß, Gerhard

ok, möglicherweise also nicht gerade das richtige Bauteil für diese Anwendung

VCC VCC + + | | | | .-. .-. | | | | 220| | | |10k '-' '-' | | |\ '---)-----|+\ |-+ | | >---o-- | '--o--|-/ | ---o--->|-+ | | |/ | | | .-. | ___ | | === | | '---|___|-o | GND | | 1M | | '-'10k | | | | | === | | GND ___ | '-----------------|___|-' 110M

(created by AACircuit v1.28.6 beta 04/19/05

bitte sehr

Der 2N4416 geht auch, gibts beim CONRAD

w.

Mathias Weierganz schrieb:

Ich seh da keinen stabilen Arbeitspunkt. Wo hast du das denn her?

Gruß Dieter

Das ist die existierende Schaltung einer Radon-Messkammer. In der Simulation funktioniert es auch. Der 1M Widerstand scheint mir aber überflüssig zu sein. Am Ausgang des OPs liegt in der Simulation ein Pegel von etwa -0,8V. Die Schaltung ist schon etliche Jahre alt und nicht von mir.

Mathias.

Mathias Weierganz schrieb:

Dann hast du da was weggelassen. Poste doch mal das Spice File.

Das war zu vermuten.

Gruß Dieter

Mit dem Widerstand in der Schaltung wuerde ich mir aber schwer ueberlegen den FET durch SMD zu ersetzen.

Olaf

Dieter Wiedmann wrote:

Hier kommt die Gesamtschaltung, ich hoffe, dass man das so lesen kann:

Version 4 SHEET 1 1960 752 WIRE 672 -80 640 -80 WIRE 768 -80 736 -80 WIRE 640 0 640 -80 WIRE 656 0 640 0 WIRE 768 0 768 -80 WIRE 768 0 736 0 WIRE 144 96 144 80 WIRE 288 96 144 96 WIRE 416 112 416 64 WIRE 416 112 352 112 WIRE 448 112 416 112 WIRE 528 112 512 112 WIRE 640 112 640 0 WIRE 640 112 608 112 WIRE 656 112 640 112 WIRE 224 128 224 80 WIRE 288 128 224 128 WIRE 768 128 768 0 WIRE 768 128 720 128 WIRE 816 128 816 80 WIRE 816 128 768 128 WIRE 848 128 816 128 WIRE 656 144 624 144 WIRE 960 144 912 144 WIRE 1024 144 960 144 WIRE -80 160 -80 128 WIRE -48 160 -80 160 WIRE 48 160 16 160 WIRE 96 160 48 160 WIRE 624 160 624 144 WIRE 848 160 816 160 WIRE -80 176 -80 160 WIRE -400 192 -400 176 WIRE -400 192 -448 192 WIRE -400 208 -400 192 WIRE 224 224 224 128 WIRE 288 224 224 224 WIRE 416 224 416 112 WIRE 416 224 368 224 WIRE 224 256 224 224 WIRE 816 272 816 160 WIRE 848 272 816 272 WIRE 960 272 960 144 WIRE 960 272 928 272 WIRE 816 288 816 272 WIRE -80 304 -80 256 WIRE 224 352 224 336 WIRE 48 384 48 160 WIRE 272 384 48 384 WIRE 416 384 416 224 WIRE 416 384 352 384 WIRE 816 400 816 368 FLAG 224 352 0 FLAG 816 400 0 FLAG -448 192 0 FLAG -400 96 Vcc FLAG -400 288 Vdd FLAG 320 80 Vdd FLAG 688 160 Vdd FLAG 880 112 Vdd FLAG 320 144 Vcc FLAG 688 96 Vcc FLAG 880 176 Vcc FLAG 144 0 Vcc FLAG 224 0 Vcc FLAG 144 192 0 FLAG 624 160 0 FLAG 1024 144 Out3 FLAG 416 64 Out1 FLAG 816 80 Out2 FLAG -80 304 0 FLAG -80 128 IN SYMBOL njf 96 96 R0 WINDOW 3 -50 -5 Left 0 SYMATTR Value 2N5434 SYMATTR InstName J1 SYMBOL res 128 -16 R0 SYMATTR InstName R1 SYMATTR Value 220 SYMBOL res 208 -16 R0 SYMATTR InstName R2 SYMATTR Value 10k SYMBOL res 208 240 R0 SYMATTR InstName R3 SYMATTR Value 10k SYMBOL res 384 208 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 0 WINDOW 3 32 56 VTop 0 SYMATTR InstName R4 SYMATTR Value 1000k SYMBOL res 624 96 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 0 WINDOW 3 32 56 VTop 0 SYMATTR InstName R5 SYMATTR Value 332k SYMBOL res 752 -16 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 0 WINDOW 3 32 56 VTop 0 SYMATTR InstName R6 SYMATTR Value 22000k SYMBOL res 944 256 R90 WINDOW 0 0 56 VBottom 0 WINDOW 3 32 56 VTop 0 SYMATTR InstName R7 SYMATTR Value 100k SYMBOL res 832 384 R180 WINDOW 0 36 76 Left 0 WINDOW 3 36 40 Left 0 SYMATTR InstName R8 SYMATTR Value 10k SYMBOL res 256 400 R270 WINDOW 0 32 56 VTop 0 WINDOW 3 0 56 VBottom 0 SYMATTR InstName R9 SYMATTR Value 110000k SYMBOL cap 512 96 R90 WINDOW 0 0 32 VBottom 0 WINDOW 3 32 32 VTop 0 SYMATTR InstName C1 SYMATTR Value 10n SYMBOL cap 736 -96 R90 WINDOW 0 0 32 VBottom 0 WINDOW 3 32 32 VTop 0 SYMATTR InstName C2 SYMATTR Value 1.5n SYMBOL voltage -400 80 R0 WINDOW 123 0 0 Left 0 WINDOW 39 0 0 Left 0 SYMATTR InstName V1 SYMATTR Value 12 SYMBOL voltage -400 192 R0 WINDOW 123 0 0 Left 0 WINDOW 39 0 0 Left 0 SYMATTR InstName V2 SYMATTR Value 12 SYMBOL voltage -80 160 R0 WINDOW 0 -72 53 Left 0 WINDOW 3 -186 183 Left 0 WINDOW 123 0 0 Left 0 WINDOW 39 0 0 Left 0 SYMATTR InstName V3 SYMATTR Value EXP(0 .001 1m 0m 1m 100m) SYMBOL cap 16 144 R90 WINDOW 0 0 32 VBottom 0 WINDOW 3 32 32 VTop 0 SYMATTR InstName C3 SYMATTR Value 10n SYMBOL Opamps\\opamp2 320 176 M180 SYMATTR InstName U1 SYMATTR Value TL074 SYMBOL Opamps\\opamp2 880 208 M180 SYMATTR InstName U2 SYMATTR Value TL074 SYMBOL Opamps\\opamp2 688 64 R0 SYMATTR InstName U3 SYMATTR Value TL074 TEXT 48 432 Left 0 !.tran 0 200m 0 1m TEXT 1088 -160 Left 0 !.SUBCKT TL074 1 2 3 4 5\n*\n C1 11 12

3.498E-12\n C2 6 7 15.00E-12\n DC 5 53 DX\n DE 54 5 DX\n DLP 90 91 DX\n DLN 92 90 DX\n DP 4 3 DX\n EGND 99 0 POLY(2) (3,0) (4,0) 0 .5 .5\n FB 7 99 POLY(5) VB VC VE VLP VLN 0 4.715E6

-5E6 5E6 5E6 -5E6\n GA 6 0 11 12 282.8E-6\n GCM 0 6 10 99

8.942E-9\n ISS 3 10 DC 195.0E-6\n HLIM 90 0 VLIM 1K\n J1 11 2 10 JX\n J2 12 1 10 JX\n R2 6 9 100.0E3\n RD1 4 11 3.536E3\n RD2 4 12 3.536E3\n RO1 8 5 150\n RO2 7 99 150\n RP 3 4 2.143E3\n RSS 10 99 1.026E6\n VB 9 0 DC 0\n VC 3 53 DC 2.200\n VE 54 4 DC 2.200\n VLIM 7 8 DC 0\n VLP 91 0 DC 25\n VLN 0 92 DC 25\n.MODEL DX D(IS=800.0E-18)\n.MODEL JX PJF(IS=15.00E-12 BETA=270.1E-6 VTO=-1)\n.ENDS

Vermutlich ist der Ausschnitt des Stromlaufs zu klein geraten, es bleiben einige Fragen offen:

- Wo kommt das Signal links her, was hängt da dran und wie ist es verschaltet?

- Was für ein OpAmp ist das?

- Ist es ein OpAmp, oder ein Komparator?

- Ist die Versorgung des OpAmp/Komparators symmetrisch oder unsymmetrisch?

- Wie groß ist die Versorgungsspannung? ...

Anhand des Schaltungsausschnittes gehe ich davon aus, dass der FET hier tatsächlich als Schalter verwendet wird. Ohne das Drumherum kann man das aber nicht so richtig beurteilen.

Falls meine Vermutung stimmt, und der FET als Schalter dient, liefert Deine Simulation Mist. Vermutlich, weil ihr das Zeug fehlt, das an der Leitung hängen sollte, die von links in den Schaltungsausschnitt hineinführt.

Grüße,

Günther

Bei den Ladungsverstärkern werden manchmal sogar 500M genommen und das auch mit SOT23 Transistoren, geht also durchaus. Board scheint dann allerdings Keramik zu sein mit Schutzlack überzogen.

Mathias.

man kann sich das als mit Hochspannung vorgespannten Kondensator vorstellen, es fehlt aber der Koppelkondensator

TL074, also OpAmp

+/- 12V

Die Simulation liefet schon in etwa das, was auch die Realität zeigt. Der FET muss linear arbeiten.

Mathias

der 10k-Widerstand gegen VCC kann nicht stimmen. Die Versorgung muss bipolar sein, damit der FET eine negative Gatevorspannung vom OpAmp erhält.

Gruß, Alexander

Mathias Weierganz schrieb:

Da waren die Tomaten.;-)

Dann sollte SST310 hier gut passen, aber man könnte durch Änderung des Drainwiderstands auch viele andere JFETs passend machen.

Gruß Dieter