Hej alle,
Jeg skal bryde en strøm på 10A ved 48VDC Det kobles max 1 gang pr minut. Ofte vil der gå flere dage uden koblinger.
Kan nogen af jer anbefale en transistor til dette formål ?? Skal måske tilføje at der skal være med nulgennemgang, altså hvis der ikke er spænding på base så skal transistoren lede strømmen til det tilsluttede udstyr.
Der er rigtigt mange der kan bruges, men jeg har selv brugt den her og den er til at få alle steder, well måske ikke i Bilka, men Århus Radiolager havde den på lager alle de gange jeg havde brug for en:
Den her kan holde til 55V, så det kan godt ske at du skal browse lidt rundt i Philips' online katalog og finde en der kan holde til lidt mere, bare for en sikkerhedsskyld:)
Øhm, nulgennemgang er noget man har ved AC hvor man tænder og slukker for switchen når der ikke løber nogen strøm.Hvor stort er styresignalet?
Oki :-) Jeg kan vel også bare sætte en pullup modstand mellem collector og base og så trække base til Gnd når der skal brydes ??
Jeg har en transistor jeg kan bruge til at give styresignalet.
Mvh Anders
Hvis du med collector mener drain og base mener gate, ja, det skulle jeg mene:)
Hvordan kan det egentligt være at (MOS)FET'er har fået nye forbindelsesnavne, når nu det stadig væk er en transistor?
Hvad er det lige forskellen på en alm. transistor og en FET er andet end at de kan trække større strømme/spændinger?
Og hvad er egentligt forskellen på en MOSFET og en FET?
Øhh, det gør jeg måske....benævnes benene anderledes end på alm. transitorer ??
Mvh Anders
anders skriver:
I plus eller minussiden ?
Jeg vil falde helt hen i nostalgi og foreslå dig en 2N3055....
Klaus
-- Modelbane Europas hjemmeside:
"Michal" skrev i en meddelelse news:423fe5eb$0$699$ snipped-for-privacy@dread16.news.tele.dk...
forbindelsesnavne,
Fordi det ikke er ligesom en alm. transistor..
Det kan de heller ikke automatisk, bare fordi det er en FET...
Den grundlæggende forskel er at en FET er spændingsstyret, hvorimod en alm. Bipolar transistor er strømstyret..
Ikke det vilde, bortset fra den måde, den er lavet på..
/peter
"anders" skrev i en meddelelse news:423fe6a8$0$73746$ snipped-for-privacy@dread14.news.tele.dk...
transitorer
Ja, fordi det er en FET, der bliver foreslået til dit projekt..
/peter
Hmm? Dvs man kan også få almindelige transistorer i power udgaver?
Ahaa, se der kom guldkornene :)
Dvs for at en FET åbner op banker man spændingen i vejret på den?
Ok, tusind tak :)
Det var vist dagens underdrivelse...
En FET og en bipolær benytter fundamentalt forskellige måder til at lave elektrisk forstærkning på. Af samme årsag er karakteristik felterne også en hel del anderledes.
På en FET transistor løber strømmen parallelt med overfladen af materialet, hvilket gør at man bl.a. kan direkte udnytte udvikling i geometrierne til at lave mindre og hurtigere transistorer, som samtidig også har lavere parasitter. Styresignalet ("gate") indgår kun kapacitivt, og der løber derfor ikke nogen DC-strøm i gaten.
I en Bipolær transistor løber strømmen hovedsageligt vinkelret på overfladen af materialet. Pga behovet for kontaktering til den "nederste" terminal (typisk collector terminalen), fylder en bipolær transistor væsentligt mere end en FET. Yderligere er en bipolær transistors hastighed sat af hvor tynde "basis" lag man kan pådampe. Idet den bipolære transistor baserer sig på at man injicerer ladning ind via styreindgangen, vil der løbe en DC-strøm i den.
Yderligere har bipolære transistorer et problem med "thermal runaway", dvs at opvarmingen af selve transistoren fra den løbende strøm resulterer i en lavere parasitisk modstand, som igen giver højere strøm => positiv tilbagekobling. En FET har ikke dette problem.
ObBonus trivia: Kilby et al frosøget egentligt at lave en FET, da de opdagede den bipolære transistor.
Kai
Minus.
Mvh Anders
"Michal" skrev i en meddelelse news:423fee81$0$658$ snipped-for-privacy@dread16.news.tele.dk...
Ja, masser.....
2N3055 er f.eks en alm. bipolar effekttransistor
alm.
Så'n cirka... Se her for mere info
/peter
anders skriver:
Så vil jeg gentage 2N3055...
Klaus
-- Modelbane Europas hjemmeside:
Mange tak til jer alle for jeres svar.
Jeg prøver med en 2N3055.
Mvh Anders
anders said the following on 22-03-2005 14:47:
Der er kun en hage ved det - sørg for at få en fra et anerkendt fabrikat
- i en periode var der en del "falske" 2n3055 i omløb - der ikke holdt specifikationerne der var for stor termisk modstand fra chip til hus - så de døde hvis de fik for stor belastning, om det er et problem mere ved jeg ikke, men formentlig ikke. Så hvis det er nys indkøbte stumper du bruger er det formentlig OK.
/carsten
Tak for tippet.
Jeg har lige bestilt ved EL-Supply så jeg regner med det er iorden.
Anders
Spæændende :)
Husk køling.
En stor fordel ved Fet transistorer er at styresignalet er spænding og at de åbner helt, dvs. meget mindre varmeudvikling.
Sammenligning: Mosfet: For at åbne skal den have 12 volt og ingen strøm på gaten, når den er åben er der 0.01 ohm (afhængig af type) mellem drain og source. Dvs. spændingsfald omkring 0.1 volt ved 10 A.
Bipolar (2N3055): For at åbne (for 10 A) skal den have 1.5 volt, 1 A på basis (Giver en lun basismodstand), der vil ligge omkring 1 volt mellem emitter og collector.
Hej HKJ
Det er jo en forskel der vil noget og en forklaring der er let at forstå.
Jeg prøver at lave nogle tests med en af de mosfet der er foreslået og med den 2N3055.
Mange tak for den gode forklaring. Anders
Have something to add? Share your thoughts — no account required.
Ask the community — no account required