Neka pitanja u vezi trajvanja mosfeta

SG- su

koji

200mA

problema

tamo 10

zajedno

y.pdf

me

mos.a

Prema linku, Tr Tf mogu biti od 100 do 600 ns? Znaèi, kupiti 10-ak komada i tra¾iti najbolji?

Npr: Slika 19-7

Sve to stoji ali da li si primjetio da je ona shema neobicna? Onakav spoj je napravljen da bude izvor PWM signala, a ne za direktno drajvanje ikakvih mosfeta... Ti mozes na Vc dovesti 12V preko 60 ohma otpornika ali i onda ces imati problem sa drajvanjem kapacitivnog tereta (mosfet) jer ce ti rise time opet biti ogranicen tim istim otpornikom. Znaci, imat ces sporo punjenje gatea preko otpornika i brzo praznjenje preko internog tranzistora u SG-u.

Da, i to je jedini ispravan nacin ako zelis bilo sto direktno drajvati sa SG-om.

Probaj pa javi ;) f

A gdje bi taj kond stavio u prvoj shemi?? Ne treba to ako je sve drugo dobro slozeno... f

prvo ovako : spojim A i B izlaze na zemlju i recimo Vg preko 100 ohma na

12V ... Tada samo dobio invertirani izlaz a meni treba neinvertirani : Dakle nejdem s pinom Vc DIREKTNO na totem pole , nego stavljam jos jedan npn BC548, koji ima bazu spojenu na pin Vc a kolektor preko 330 ohma(kako veli svemirko) na 12V . S kolektora tog tranzistora idem na totem pole...

Ali i BEZ tog dodatnog tranzistora da sam totem pole direktno spojio na Vc pin opet bi imao tih 100-300 ohma(ovisi koji otpor stavim) od pina Vc prem

12V..

Tj zar nije gore Svemirko koristio kolektorski otpornik , kako onda njemu nije punjenje toliko sporije od praznjenja ? Ako imam 330 ohma u tranzistoru prije to je 36mA, a sami tranzistori totem pola imaju hfe oko 100 pa ce u kolektoru totem pola ionako ici maximalna struja (koju tranzistor moze dati u kratkom vremenu, teoretski 3600mA)

mozda u paraleri s kolektorskim otpronikom tranzistora koji drajva totem pole u paraleli s 330 ohma, tada bi otvaranje bilo brze?!

dobro

Na prvoj: Paralelno s 'rednim' otpornikom na Gate ulaz Na drugoj: Toèka B ide direktno na Gate Mosfeta, ili preko otpornika?

Dobar nacin za unistiti drajverski tranzistor. Sjedi, 1! :)

To se jednostavno ne radi.

U principu se uvijek stavlja nekakav mali otpornik izmedju izlaza i gatea, pogotovo se to radi ako imas paralelno spojeno vise mosfeta. Ako mislis na kondenzator, pogledaj prvi odgovor ;) f

e bas sam mislio reci da sam izjavio bedastocu,... ali si me preduhitrio... lol taj kondenzator bi samo usporio drajvanje ... :D

pa sto bi t ime postigao kada ionako postoji 330 ohma u kolektoru prvog stupnja, ionako su baze totem pola spojene direktno

ovako pise u datasheetu od SG-a kad je struja 100mA izlaz je na 1V CAK (nije na nuli ), dok kad je struja 20mA izlaz je na 0,2V

nije li onda najbolje na sg stavit od Vc-a 600 ohma prema 12V(ili vise) .. Vc ide na tranzistor BC548 koji u kolektoru ima 330 ohma , te je na kolektor tog tranzistora direktno spojena baza totem pola (bez ikakvog konderzatora u seriji)

stujno pojacanje tranzistora u totem polu je oko 60.. tako da je tih 330 ohma daje preko 2 A(teoretski)

nema smisla koristiti ikakve smidt trigere jer je onda definitovno jednostavnije i bolje kupiti mosfet driver koji ima smidt triger na ulazu ionako ..

recimo ovako :

prvi tranzistor predstavlja sg3525 koji ima spojen A i B na semlji i Vc preko otposra 600 ohm na 12V

Zato se i pitam, radi se kod 'obiènih' tranzistora. Ukoliko je pri voðenju Mosfeta napon na izlazu pobude vi¹i od napona na Gate, pri zatvaranju lijevi kraj rednog otpornika ide na nulu, ali desni kraj ide u minus i ubrzano zatvara mosfet!?